Log in    Register
ChipFind Component Selection Catalog
For example: transistor, max232, lt319a
 

Дискретные полупроводники  ·  Биполярные транзисторы (одиночные)

Производитель



















Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.)





























































Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic


























































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































Ток коллектора (макс)

















































































Ток отсечки коллетора (vfrc)

































Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce
















































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































Мощность макcимальная



















































































































































Модуляция частот




















































































































Тип транзистора







Тип монтажа


Корпус








































































































































 
PhotoNameManufacturerTechnical parametersPrices (rub.)Buy
2N58832N5883ON SemiconductorTRANS PNP PWR GP 25A 60V TO3
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 60V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 1.5A, 15A  ·  Ток коллектора (макс): 25A  ·  Ток отсечки коллетора (vfrc): 2mA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 10A, 4V  ·  Мощность макcимальная: 200Вт  ·  Модуляция частот: 4MHz  ·  Тип транзистора: PNP  ·  Тип монтажа: Chassis Mount  ·  Корпус: TO-204, TO-3
from 0,00Additional information
Find at suppliers
Buy in store
2SD17050P2SD17050PPanasonic - SSGTRANS NPN 80VCEO 10A TOP-3F
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 80V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 300mA, 6A  ·  Ток коллектора (макс): 10A  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 130 @ 3A, 2V  ·  Мощность макcимальная: 70Вт  ·  Модуляция частот: 20MHz  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TOP-3F
from 0,00
to 0,00
Additional information
Find at suppliers
Buy in store
NJL1302DON SemiconductorTRANS BIPO PNP 200W 260V TO-264
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 260V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 1A, 10A  ·  Ток коллектора (макс): 15A  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 75 @ 500mA, 5V  ·  Мощность макcимальная: 200Вт  ·  Модуляция частот: 30MHz  ·  Тип транзистора: PNP  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-264-5
from 0,00
to 0,00
Additional information
Find at suppliers
Buy in store
MJL21193GMJL21193GON SemiconductorTRANS PWR PNP 16A 250V TO264
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 250V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1.4V @ 800mA, 8A  ·  Ток коллектора (макс): 16A  ·  Ток отсечки коллетора (vfrc): 100µA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 8A, 5V  ·  Мощность макcимальная: 200Вт  ·  Модуляция частот: 4MHz  ·  Тип транзистора: PNP  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-264-3, TO-3BPL
from 0,00
to 0,00
Additional information
Find at suppliers
Buy in store
MJL21194GMJL21194GON SemiconductorTRANS PWR NPN 16A 250V TO264
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 250V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1.4V @ 800mA, 8A  ·  Ток коллектора (макс): 16A  ·  Ток отсечки коллетора (vfrc): 100µA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 8A, 5V  ·  Мощность макcимальная: 200Вт  ·  Модуляция частот: 4MHz  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-264-3, TO-3BPL
from 0,00
to 0,00
Additional information
Find at suppliers
Buy in store
2SA1987-O(Q)ToshibaTRANSISTOR PNP 230V 15A TO-3
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 230V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 800mA, 8A  ·  Ток коллектора (макс): 15A  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 1A, 5V  ·  Мощность макcимальная: 180W  ·  Модуляция частот: 30MHz  ·  Тип транзистора: PNP  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-3P(L) (2-21F1B)
from 0,00Additional information
Find at suppliers
Buy in store
2N53022N5302ON SemiconductorTRANS NPN PWR GP 30A 60V TO3
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 60V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 1A, 10A  ·  Ток коллектора (макс): 30A  ·  Ток отсечки коллетора (vfrc): 5mA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 15A, 2V  ·  Мощность макcимальная: 200Вт  ·  Модуляция частот: 2MHz  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Тип монтажа: Chassis Mount  ·  Корпус: TO-204, TO-3
from 0,00Additional information
Find at suppliers
Buy in store
2N58862N5886ON SemiconductorTRANS NPN PWR GP 25A 80V TO3
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 80V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 1.5A, 15A  ·  Ток коллектора (макс): 25A  ·  Ток отсечки коллетора (vfrc): 2mA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 10A, 4V  ·  Мощность макcимальная: 200Вт  ·  Модуляция частот: 4MHz  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Тип монтажа: Chassis Mount  ·  Корпус: TO-204, TO-3
from 0,00Additional information
Find at suppliers
Buy in store
2N58852N5885ON SemiconductorTRANS NPN PWR GP 25A 60V TO3
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 60V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 1.5A, 15A  ·  Ток коллектора (макс): 25A  ·  Ток отсечки коллетора (vfrc): 2mA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 10A, 4V  ·  Мощность макcимальная: 200Вт  ·  Модуляция частот: 4MHz  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Тип монтажа: Chassis Mount  ·  Корпус: TO-204, TO-3
from 0,00Additional information
Find at suppliers
Buy in store
2SC5359-O(Q)ToshibaTRANSISTOR NPN 230V 15A TO-3
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 230V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 800mA, 8A  ·  Ток коллектора (макс): 15A  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 1A, 5V  ·  Мощность макcимальная: 180W  ·  Модуляция частот: 30MHz  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-3
from 0,00Additional information
Find at suppliers
Buy in store
FMMT413TCFMMT413TCDiodes/ZetexTRANSISTOR AVALANCHE NPN SOT23-3
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 1mA, 10mA  ·  Ток коллектора (макс): 100mA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 10V  ·  Мощность макcимальная: 330mW  ·  Модуляция частот: 150MHz  ·  Тип транзистора: NPN - Avalanche Mode  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3
from 0,00Additional information
Find at suppliers
Buy in store
2SD20640S2SD20640SPanasonic - SSGTRANS NPN 120VCEO 6A TOP-3F
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 120V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 400mA, 4A  ·  Ток коллектора (макс): 6A  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 1A, 5V  ·  Мощность макcимальная: 70Вт  ·  Модуляция частот: 20MHz  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TOP-3F
from 0,00
to 0,00
Additional information
Find at suppliers
Buy in store
MJL21195GMJL21195GON SemiconductorTRANS PWR COMP 16A 250V TO264
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 250V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1.4V @ 800mA, 8A  ·  Ток коллектора (макс): 16A  ·  Ток отсечки коллетора (vfrc): 100µA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 8A, 5V  ·  Мощность макcимальная: 200Вт  ·  Модуляция частот: 4MHz  ·  Тип транзистора: PNP  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-264-3, TO-3BPL
from 0,00
to 0,00
Additional information
Find at suppliers
Buy in store
MJL21196GMJL21196GON SemiconductorTRANS PWR COMP 16A 250V TO264
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 250V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1.4V @ 800mA, 8A  ·  Ток коллектора (макс): 16A  ·  Ток отсечки коллетора (vfrc): 100µA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 8A, 5V  ·  Мощность макcимальная: 200Вт  ·  Модуляция частот: 4MHz  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-264-3, TO-3BPL
from 0,00
to 0,00
Additional information
Find at suppliers
Buy in store
BUB323ZGON SemiconductorTRANS DARL NPN 10A 350V D2PAK
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 350В  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 70mA, 7A  ·  Ток коллектора (макс): 10A  ·  Ток отсечки коллетора (vfrc): 100µA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 500 @ 5A, 4.6V  ·  Мощность макcимальная: 150Вт  ·  Модуляция частот: 2MHz  ·  Тип транзистора: NPN - Darlington  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: D²Pak, TO-263 (2 leads + tab)
from 0,00Additional information
Find at suppliers
Buy in store
BUB323ZT4GON SemiconductorTRANS NPN DARL 10A 350V D2PAK
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 350В  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1.7V @ 250mA, 10A  ·  Ток коллектора (макс): 10A  ·  Ток отсечки коллетора (vfrc): 100µA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 6.5A, 1.5V  ·  Мощность макcимальная: 150Вт  ·  Модуляция частот: 2MHz  ·  Тип транзистора: NPN - Darlington  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: D²Pak, TO-263 (2 leads + tab)
from 0,00
to 0,00
Additional information
Find at suppliers
Buy in store
2SA1723SANYO Semiconductor (U.S.A) CoTRANS PNP 20V 300MA TO-126
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 20В  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 10mA, 100mA  ·  Ток коллектора (макс): 300mA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 50mA, 5V  ·  Мощность макcимальная: 1.2W  ·  Модуляция частот: 1.5GHz  ·  Тип транзистора: PNP  ·  Тип монтажа: Through Hole
from 0,00
to 0,00
Additional information
Find at suppliers
Buy in store
MJW21193GMJW21193GON SemiconductorTRANS BIPO PNP 16A 250V TO247
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 250V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1.4V @ 800mA, 8A  ·  Ток коллектора (макс): 16A  ·  Ток отсечки коллетора (vfrc): 100µA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 8A, 5V  ·  Мощность макcимальная: 200Вт  ·  Модуляция частот: 4MHz  ·  Тип транзистора: PNP  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-247-3 (Straight Leads), TO-247AC
from 0,00
to 0,00
Additional information
Find at suppliers
Buy in store
MJW21194GMJW21194GON SemiconductorTRANS BIPO NPN 16A 250V TO247
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 250V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1.4V @ 800mA, 8A  ·  Ток коллектора (макс): 16A  ·  Ток отсечки коллетора (vfrc): 100µA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 8A, 5V  ·  Мощность макcимальная: 200Вт  ·  Модуляция частот: 4MHz  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-247-3 (Straight Leads), TO-247AC
from 0,00
to 0,00
Additional information
Find at suppliers
Buy in store
2SB11540Q2SB11540QPanasonic - SSGTRANS PNP 80VCEO 10A TOP-3F
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 80V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 300mA, 6A  ·  Ток коллектора (макс): 10A  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 90 @ 3A, 2V  ·  Мощность макcимальная: 70Вт  ·  Модуляция частот: 30MHz  ·  Тип транзистора: PNP  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TOP-3F
from 0,00
to 0,00
Additional information
Find at suppliers
Buy in store
BUB941ZTT4BUB941ZTT4STMicroelectronicsTRANSISTOR DARL NPN D2PAK
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 350В  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1.8V @ 100mA, 8A  ·  Ток коллектора (макс): 15A  ·  Ток отсечки коллетора (vfrc): 100µA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 5A, 10V  ·  Мощность макcимальная: 150Вт  ·  Тип транзистора: NPN - Darlington  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: D²Pak, TO-263 (2 leads + tab)
from 0,00
to 0,00
Additional information
Find at suppliers
Buy in store
MJH11021GMJH11021GON SemiconductorTRANS DARL PNP 15A 250V TO218
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 250V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 2.5V @ 100mA, 10A  ·  Ток коллектора (макс): 15A  ·  Ток отсечки коллетора (vfrc): 1mA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 400 @ 10A, 5V  ·  Мощность макcимальная: 150Вт  ·  Модуляция частот: 3MHz  ·  Тип транзистора: PNP - Darlington  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: SOT-93, TO-218 (Straight Leads)
from 0,00
to 0,00
Additional information
Find at suppliers
Buy in store
MJ21193GMJ21193GON SemiconductorTRANS PWR PNP 16A 250V TO3
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 250V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1.4V @ 800mA, 8A  ·  Ток коллектора (макс): 16A  ·  Ток отсечки коллетора (vfrc): 100µA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 8A, 5V  ·  Мощность макcимальная: 250Вт  ·  Модуляция частот: 4MHz  ·  Тип транзистора: PNP  ·  Тип монтажа: Chassis Mount  ·  Корпус: TO-204, TO-3
from 0,00
to 0,00
Additional information
Find at suppliers
Buy in store
MJ15023GMJ15023GON SemiconductorTRANS PWR PNP 16A 200V TO3
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 200В  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1.4V @ 800mA, 8A  ·  Ток коллектора (макс): 16A  ·  Ток отсечки коллетора (vfrc): 500µA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 8A, 4V  ·  Мощность макcимальная: 250Вт  ·  Модуляция частот: 4MHz  ·  Тип транзистора: PNP  ·  Тип монтажа: Chassis Mount  ·  Корпус: TO-204, TO-3
from 0,00
to 0,00
Additional information
Find at suppliers
Buy in store
MJ15025GMJ15025GON SemiconductorTRANS PWR PNP 16A 250V TO3
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 250V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1.4V @ 800mA, 8A  ·  Ток коллектора (макс): 16A  ·  Ток отсечки коллетора (vfrc): 500µA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 8A, 4V  ·  Мощность макcимальная: 250Вт  ·  Модуляция частот: 4MHz  ·  Тип транзистора: PNP  ·  Тип монтажа: Chassis Mount  ·  Корпус: TO-204, TO-3
from 0,00
to 0,00
Additional information
Find at suppliers
Buy in store
← Ctrl  12345678 ... 359  Ctrl →

© 2006 — 2024 ChipFind Ltd.
Contact phone, e-mail, ICQ
Catalog with parameters for 1,401,534 components RegisterAdvertising