Log in    Register
ChipFind Component Selection Catalog
For example: transistor, max232, lt319a
 

Дискретные полупроводники  ·  Биполярные транзисторы (одиночные)

Производитель



















Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.)





























































Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic


























































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































Ток коллектора (макс)

















































































Ток отсечки коллетора (vfrc)

































Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce
















































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































Мощность макcимальная



















































































































































Модуляция частот




















































































































Тип транзистора







Тип монтажа


Корпус








































































































































 
PhotoNameManufacturerTechnical parametersPrices (rub.)Buy
JAN2N1132LMicrosemiTRANSISTOR PNP 40V 600MA TO-5
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 40В  ·  Ток коллектора (макс): 600mA  ·  Тип транзистора: PNP
from 0,00Additional information
Find at suppliers
Buy in store
ESM6045DVESM6045DVSTMicroelectronicsMODULE DARL NPN 450V 84A ISOTOP
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 450V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 1A, 50A  ·  Ток коллектора (макс): 84A  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 70A, 5V  ·  Мощность макcимальная: 250Вт  ·  Тип транзистора: NPN - Darlington  ·  Тип монтажа: Chassis Mount  ·  Корпус: ISOTOP
from 0,00
to 0,00
Additional information
Find at suppliers
Buy in store
ESM5045DVESM5045DVSTMicroelectronicsIC PWR MODULE DARL NPN ISOTOP
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 450V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 700mA, 35A  ·  Ток коллектора (макс): 60A  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 50A, 5V  ·  Мощность макcимальная: 175W  ·  Тип транзистора: NPN - Darlington  ·  Тип монтажа: Chassis Mount  ·  Корпус: ISOTOP
from 0,00
to 0,00
Additional information
Find at suppliers
Buy in store
BUV298VBUV298VSTMicroelectronicsTRANSISTOR PWR MOD NPN ISOTOP
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 450V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 6.4A, 32A  ·  Ток коллектора (макс): 50A  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 12 @ 32A, 5V  ·  Мощность макcимальная: 250Вт  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Тип монтажа: Chassis Mount  ·  Корпус: ISOTOP
from 0,00Additional information
Find at suppliers
Buy in store
ESM6045AVESM6045AVSTMicroelectronicsIC PWR MODULE DARL NPN ISOTOP
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 450V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 1A, 50A  ·  Ток коллектора (макс): 72A  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 60A, 5V  ·  Мощность макcимальная: 250Вт  ·  Тип транзистора: NPN - Darlington  ·  Тип монтажа: Chassis Mount  ·  Корпус: ISOTOP
from 0,00
to 0,00
Additional information
Find at suppliers
Buy in store
FMMT417TDFMMT417TDDiodes/ZetexTRANSISTOR AVALANCHE NPN SOT23-3
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 100V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA  ·  Ток коллектора (макс): 500mA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 10mA, 10V  ·  Мощность макcимальная: 330mW  ·  Модуляция частот: 40MHz  ·  Тип транзистора: NPN - Avalanche Mode  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3
from 0,00
to 0,00
Additional information
Find at suppliers
Buy in store
ESM2012DVESM2012DVSTMicroelectronicsIC PWR MODULE DARL NPN ISOTOP
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 120V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1A, 100A  ·  Ток коллектора (макс): 120A  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1200 @ 100A, 5V  ·  Мощность макcимальная: 175W  ·  Тип транзистора: NPN - Darlington  ·  Тип монтажа: Chassis Mount  ·  Корпус: ISOTOP
from 0,00Additional information
Find at suppliers
Buy in store
ESM3030DVESM3030DVSTMicroelectronicsIC PWR MODULE DARL NPN ISOTOP
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 300V  ·  Ток коллектора (макс): 100A  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 85A, 5V  ·  Мощность макcимальная: 225W  ·  Тип транзистора: NPN - Darlington  ·  Тип монтажа: Chassis Mount  ·  Корпус: ISOTOP
from 0,00
to 0,00
Additional information
Find at suppliers
Buy in store
FMMT415TDFMMT415TDDiodes/ZetexTRANSISTOR AVALANCHE NPN SOT23-3
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 100V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA  ·  Ток коллектора (макс): 500mA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 10mA, 10V  ·  Мощность макcимальная: 330mW  ·  Модуляция частот: 40MHz  ·  Тип транзистора: NPN - Avalanche Mode  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3
from 0,00
to 0,00
Additional information
Find at suppliers
Buy in store
ESM2030DVESM2030DVSTMicroelectronicsIC PWR MODULE DARL NPN ISOTOP
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 300V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1.25V @ 400mA, 40A  ·  Ток коллектора (макс): 67A  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 56A, 5V  ·  Мощность макcимальная: 150Вт  ·  Тип транзистора: NPN - Darlington  ·  Тип монтажа: Chassis Mount  ·  Корпус: ISOTOP
from 0,00
to 0,00
Additional information
Find at suppliers
Buy in store
BUV98AVBUV98AVSTMicroelectronicsTRANSISTOR PWR MOD NPN ISOTOP
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 450V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 3.2A, 16A  ·  Ток коллектора (макс): 30A  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 9 @ 24A, 5V  ·  Мощность макcимальная: 150Вт  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Тип монтажа: Chassis Mount  ·  Корпус: ISOTOP
from 0,00
to 0,00
Additional information
Find at suppliers
Buy in store
2N2222AUBTT Electronics/Optek TechnologTRANSISTOR NPN GP HERMETIC SMD
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA  ·  Ток коллектора (макс): 800mA  ·  Ток отсечки коллетора (vfrc): 50nA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 75 @ 1mA, 10V  ·  Мощность макcимальная: 1.16W  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: 3-LCC
from 0,00Additional information
Find at suppliers
Buy in store
BUT90BUT90STMicroelectronicsTRANSISTOR POWER NPN TO-3
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 125V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 900mV @ 1.75A, 35A  ·  Ток коллектора (макс): 50A  ·  Мощность макcимальная: 250Вт  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Тип монтажа: Chassis Mount  ·  Корпус: TO-204, TO-3
from 0,00Additional information
Find at suppliers
Buy in store
2N2907AUATT Electronics/Optek TechnologTRANSISTOR PNP GP HERMETIC SMD
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 60V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA  ·  Ток коллектора (макс): 600mA  ·  Ток отсечки коллетора (vfrc): 50nA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 10V  ·  Мощность макcимальная: 1.16W  ·  Тип транзистора: PNP  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: 4-LCC
from 0,00Additional information
Find at suppliers
Buy in store
2N2222AUATT Electronics/Optek TechnologTRANSISTOR NPN GP 800MA 50V SMD
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA  ·  Ток коллектора (макс): 800mA  ·  Ток отсечки коллетора (vfrc): 50nA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 75 @ 1mA, 10V  ·  Мощность макcимальная: 1.16W  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: 4-LCC
from 0,00Additional information
Find at suppliers
Buy in store
2N2907AUBTT Electronics/Optek TechnologTRANSISTOR PNP GP HERMETIC SMD
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 60V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA  ·  Ток коллектора (макс): 600mA  ·  Ток отсечки коллетора (vfrc): 50nA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 10V  ·  Мощность макcимальная: 1.16W  ·  Тип транзистора: PNP  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: 3-LCC
from 0,00Additional information
Find at suppliers
Buy in store
BUT30VBUT30VSTMicroelectronicsTRANSISTOR PWR MOD NPN ISOTOP
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 125V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 900mV @ 2.5A, 50A  ·  Ток коллектора (макс): 100A  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 27 @ 100A, 5V  ·  Мощность макcимальная: 250Вт  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Тип монтажа: Chassis Mount  ·  Корпус: ISOTOP
from 0,00
to 0,00
Additional information
Find at suppliers
Buy in store
BUX348BUX348STMicroelectronicsTRANSISTOR POWER NPN TO-3
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 450V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 900mV @ 6A, 30A  ·  Ток коллектора (макс): 45A  ·  Мощность макcимальная: 300Вт  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Тип монтажа: Chassis Mount  ·  Корпус: TO-204, TO-3
from 0,00Additional information
Find at suppliers
Buy in store
MJ14002MJ14002ON SemiconductorTRANS PWR NPN 60A 80V TO3
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 80V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 2.5A, 25A  ·  Ток коллектора (макс): 60A  ·  Ток отсечки коллетора (vfrc): 1mA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 50A, 3V  ·  Мощность макcимальная: 300Вт  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Тип монтажа: Chassis Mount  ·  Корпус: TO-204, TO-3
from 0,00Additional information
Find at suppliers
Buy in store
2N56862N5686ON SemiconductorTRANS NPN PWR GP 50A 80V TO3
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 80V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 2.5A, 25A  ·  Ток коллектора (макс): 50A  ·  Ток отсечки коллетора (vfrc): 1mA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 25A, 2V  ·  Мощность макcимальная: 300mW  ·  Модуляция частот: 2MHz  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Тип монтажа: Chassis Mount  ·  Корпус: TO-204, TO-3
from 0,00Additional information
Find at suppliers
Buy in store
2N6338G2N6338GON SemiconductorTRANSISTOR NPN 100V 25A TO-3
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 100V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 1A, 10A  ·  Ток коллектора (макс): 25A  ·  Ток отсечки коллетора (vfrc): 50µA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10A, 2V  ·  Мощность макcимальная: 200Вт  ·  Модуляция частот: 40MHz  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Тип монтажа: Chassis Mount  ·  Корпус: TO-204, TO-3
from 0,00Additional information
Find at suppliers
Buy in store
2N6341G2N6341GON SemiconductorTRANSISTOR NPN 150V 25A TO-3
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 150V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 1A, 10A  ·  Ток коллектора (макс): 25A  ·  Ток отсечки коллетора (vfrc): 50µA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10A, 2V  ·  Мощность макcимальная: 200Вт  ·  Модуляция частот: 40MHz  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Тип монтажа: Chassis Mount  ·  Корпус: TO-204, TO-3
from 0,00Additional information
Find at suppliers
Buy in store
JAN2N2907AUBMicrosemiTRANS PNP BJT 60V 0.6A
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 60V  ·  Тип транзистора: PNP
from 0,00Additional information
Find at suppliers
Buy in store
MJ14001GMJ14001GON SemiconductorTRANS PWR PNP 60A 60V TO-3
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 60V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 2.5A, 25A  ·  Ток коллектора (макс): 60A  ·  Ток отсечки коллетора (vfrc): 1mA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 50A, 3V  ·  Мощность макcимальная: 300Вт  ·  Тип транзистора: PNP  ·  Тип монтажа: Chassis Mount  ·  Корпус: TO-204, TO-3
from 0,00Additional information
Find at suppliers
Buy in store
BUV20BUV20STMicroelectronicsTRANSISTOR NPN HI CURR TO-3
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 125V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 5A, 50A  ·  Ток коллектора (макс): 50A  ·  Ток отсечки коллетора (vfrc): 3mA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 25A, 2V  ·  Мощность макcимальная: 250Вт  ·  Модуляция частот: 8MHz  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Тип монтажа: Chassis Mount  ·  Корпус: TO-204, TO-3
from 0,00
to 0,00
Additional information
Find at suppliers
Buy in store
← Ctrl  previous12345678 ... 359  Ctrl →

© 2006 — 2024 ChipFind Ltd.
Contact phone, e-mail, ICQ
Catalog with parameters for 1,401,534 components RegisterAdvertising