Log in    Register
ChipFind Component Selection Catalog
For example: transistor, max232, lt319a
  

Дискретные полупроводники  ·  Биполярные транзисторы (одиночные)
Производитель



















Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.)





























































Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic


























































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































Ток коллектора (макс)

















































































Ток отсечки коллетора (vfrc)

































Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce
















































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































Мощность макcимальная



















































































































































Модуляция частот




















































































































Тип транзистора







Тип монтажа


Корпус








































































































































 
PhotoNameManufacturerTechnical parametersPrices (rub.)Buy
2N5550BU2N5550BUFairchild SemiconductorIC TRANS NPN SS HV 600MA TO-92
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 140V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 50mA  ·  Ток коллектора (макс): 600mA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V  ·  Мощность макcимальная: 625mW  ·  Модуляция частот: 300MHz  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226
from 0,00
to 0,00		Additional information
Find at suppliers
Buy in store
BC857W,135BC857W,135NXP SemiconductorsTRANSISTOR PNP 45V 100MA SOT323
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 45V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA  ·  Ток коллектора (макс): 100mA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 125 @ 2mA, 5V  ·  Мощность макcимальная: 200mW  ·  Модуляция частот: 100MHz  ·  Тип транзистора: PNP  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SC-70-3, SOT-323-3
from 0,00Additional information
Find at suppliers
Buy in store
BC846W,135BC846W,135NXP SemiconductorsTRANSISTOR NPN 100MA 65V SOT323
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 65V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 90mV @ 500µA, 10mA  ·  Ток коллектора (макс): 100mA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 110 @ 2mA, 5V  ·  Мощность макcимальная: 200mW  ·  Модуляция частот: 100MHz  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SC-70-3, SOT-323-3
from 0,00Additional information
Find at suppliers
Buy in store
BC856W,115BC856W,115NXP SemiconductorsTRANSISTOR PNP 65V 100MA SOT323
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 65V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA  ·  Ток коллектора (макс): 100mA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 125 @ 2mA, 5V  ·  Мощность макcимальная: 200mW  ·  Модуляция частот: 100MHz  ·  Тип транзистора: PNP  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SC-70-3, SOT-323-3
from 0,00Additional information
Find at suppliers
Buy in store
BC556BBUBC556BBUFairchild SemiconductorTRANSISTOR PNP 65V 100MA TO-92
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 65V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA  ·  Ток коллектора (макс): 100mA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V  ·  Мощность макcимальная: 500мВт  ·  Модуляция частот: 150MHz  ·  Тип транзистора: PNP  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226
from 0,00Additional information
Find at suppliers
Buy in store
SS9014DBUSS9014DBUFairchild SemiconductorTRANSISTOR NPN 45V 100MA TO-92
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 45V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 100mA  ·  Ток коллектора (макс): 100mA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 400 @ 1mA, 5V  ·  Мощность макcимальная: 450мВт  ·  Модуляция частот: 270MHz  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226
from 0,00Additional information
Find at suppliers
Buy in store
2N3904CBU2N3904CBUFairchild SemiconductorTRANSISTOR NPN 40V 200MA TO-92
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 40В  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA  ·  Ток коллектора (макс): 200mA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V  ·  Мощность макcимальная: 625mW  ·  Модуляция частот: 300MHz  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226
from 0,00Additional information
Find at suppliers
Buy in store
BC847W,115BC847W,115NXP SemiconductorsTRANSISTOR NPN 45V 100MA SOT323
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 45V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 90mV @ 500µA, 10mA  ·  Ток коллектора (макс): 100mA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 110 @ 2mA, 5V  ·  Мощность макcимальная: 200mW  ·  Модуляция частот: 100MHz  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SC-70-3, SOT-323-3
from 0,00Additional information
Find at suppliers
Buy in store
BC550BBUBC550BBUFairchild SemiconductorTRANSISTOR NPN 45V 100MA TO-92
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 45V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA  ·  Ток коллектора (макс): 100mA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V  ·  Мощность макcимальная: 500мВт  ·  Модуляция частот: 300MHz  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226
from 0,00Additional information
Find at suppliers
Buy in store
KSC1675OTAKSC1675OTAFairchild SemiconductorTRANSISTOR NPN 30V 50MA TO-92
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 30В  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA  ·  Ток коллектора (макс): 50mA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 1mA, 6V  ·  Мощность макcимальная: 250mW  ·  Модуляция частот: 300MHz  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226
from 0,00Additional information
Find at suppliers
Buy in store
BC847W,135BC847W,135NXP SemiconductorsTRANSISTOR NPN 45V 100MA SOT323
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 45V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 90mV @ 500µA, 10mA  ·  Ток коллектора (макс): 100mA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 110 @ 2mA, 5V  ·  Мощность макcимальная: 200mW  ·  Модуляция частот: 100MHz  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SC-70-3, SOT-323-3
from 0,00Additional information
Find at suppliers
Buy in store
KSC1675YS1TAKSC1675YS1TAFairchild SemiconductorTRANSISTOR NPN 30V 50MA TO-92
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 30В  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA  ·  Ток коллектора (макс): 50mA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V  ·  Мощность макcимальная: 250mW  ·  Модуляция частот: 300MHz  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226
from 0,00Additional information
Find at suppliers
Buy in store
BC817-16W,115BC817-16W,115NXP SemiconductorsTRANSISTOR NPN 500MA 45V SOT323
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 45V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA  ·  Ток коллектора (макс): 500mA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V  ·  Мощность макcимальная: 200mW  ·  Модуляция частот: 100MHz  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SC-70-3, SOT-323-3
from 0,00Additional information
Find at suppliers
Buy in store
BC237BUBC237BUFairchild SemiconductorTRANSISTOR NPN 45V 100MA TO-92
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 45V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA  ·  Ток коллектора (макс): 100mA  ·  Ток отсечки коллетора (vfrc): 15nA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 5V  ·  Мощность макcимальная: 500мВт  ·  Модуляция частот: 250MHz  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226
from 0,00Additional information
Find at suppliers
Buy in store
BC857W,115BC857W,115NXP SemiconductorsTRANSISTOR PNP 45V 100MA SOT323
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 45V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA  ·  Ток коллектора (макс): 100mA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 125 @ 2mA, 5V  ·  Мощность макcимальная: 200mW  ·  Модуляция частот: 100MHz  ·  Тип транзистора: PNP  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SC-70-3, SOT-323-3
from 0,00Additional information
Find at suppliers
Buy in store
BC856W,135BC856W,135NXP SemiconductorsTRANSISTOR PNP 65V 100MA SOT323
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 65V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA  ·  Ток коллектора (макс): 100mA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 125 @ 2mA, 5V  ·  Мощность макcимальная: 200mW  ·  Модуляция частот: 100MHz  ·  Тип транзистора: PNP  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SC-70-3, SOT-323-3
from 0,00Additional information
Find at suppliers
Buy in store
BC548BUBC548BUFairchild SemiconductorTRANSISTOR NPN 30V 100MA TO-92
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 30В  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA  ·  Ток коллектора (макс): 100mA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 110 @ 2mA, 5V  ·  Мощность макcимальная: 500мВт  ·  Модуляция частот: 300MHz  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226
from 0,00Additional information
Find at suppliers
Buy in store
BC558CBUBC558CBUFairchild SemiconductorTRANSISTOR PNP 30V 100MA TO-92
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 30В  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA  ·  Ток коллектора (макс): 100mA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V  ·  Мощность макcимальная: 500мВт  ·  Модуляция частот: 150MHz  ·  Тип транзистора: PNP  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226
from 0,00Additional information
Find at suppliers
Buy in store
BC546ABUBC546ABUFairchild SemiconductorTRANSISTOR NPN 65V 100MA TO-92
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 65V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA  ·  Ток коллектора (макс): 100mA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 110 @ 2mA, 5V  ·  Мощность макcимальная: 500мВт  ·  Модуляция частот: 300MHz  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226
from 0,00Additional information
Find at suppliers
Buy in store
BC549BBUBC549BBUFairchild SemiconductorTRANSISTOR NPN 30V 100MA TO-92
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 30В  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA  ·  Ток коллектора (макс): 100mA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V  ·  Мощность макcимальная: 500мВт  ·  Модуляция частот: 300MHz  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226
from 0,00Additional information
Find at suppliers
Buy in store
BC807-16W,115BC807-16W,115NXP SemiconductorsTRANSISTOR PNP 500MA 45V SOT323
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 45V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA  ·  Ток коллектора (макс): 500mA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V  ·  Мощность макcимальная: 200mW  ·  Модуляция частот: 80MHz  ·  Тип транзистора: PNP  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SC-70-3, SOT-323-3
from 0,00Additional information
Find at suppliers
Buy in store
2N5210BU2N5210BUFairchild SemiconductorIC TRANS NPN SS GP 100MA TO-92
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 1mA, 10mA  ·  Ток коллектора (макс): 100mA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100µA, 5V  ·  Мощность макcимальная: 625mW  ·  Модуляция частот: 30MHz  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226
from 0,00
to 0,00		Additional information
Find at suppliers
Buy in store
BC549BUBC549BUFairchild SemiconductorTRANSISTOR NPN 30V 100MA TO-92
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 30В  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA  ·  Ток коллектора (макс): 100mA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 110 @ 2mA, 5V  ·  Мощность макcимальная: 500мВт  ·  Модуляция частот: 300MHz  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226
from 0,00Additional information
Find at suppliers
Buy in store
BC847BW,135BC847BW,135NXP SemiconductorsTRANSISTOR NPN 45V 100MA SOT323
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 45V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 90mV @ 500µA, 10mA  ·  Ток коллектора (макс): 100mA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V  ·  Мощность макcимальная: 200mW  ·  Модуляция частот: 100MHz  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SC-70-3, SOT-323-3
from 0,00Additional information
Find at suppliers
Buy in store
BC559BBUBC559BBUFairchild SemiconductorTRANSISTOR PNP 30V 100MA TO-92
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 30В  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA  ·  Ток коллектора (макс): 100mA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V  ·  Мощность макcимальная: 500мВт  ·  Модуляция частот: 150MHz  ·  Тип транзистора: PNP  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226
from 0,00Additional information
Find at suppliers
Buy in store
← Ctrl  12345678 ... 359  Ctrl →
© 2006 — 2024 ChipFind Ltd.
Contact phone, e-mail, ICQ		 Catalog with parameters for 1,401,534 components Register • Advertising