Log in    Register
ChipFind Component Selection Catalog
For example: transistor, max232, lt319a
 

Дискретные полупроводники  ·  Биполярные транзисторы (одиночные)

Производитель



















Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.)





























































Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic


























































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































Ток коллектора (макс)

















































































Ток отсечки коллетора (vfrc)

































Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce
















































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































Мощность макcимальная



















































































































































Модуляция частот




















































































































Тип транзистора







Тип монтажа


Корпус








































































































































 
PhotoNameManufacturerTechnical parametersPrices (rub.)Buy
2N52242N5224Fairchild SemiconductorNPN LO LEVEL SWITCH TRANS TO92
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 12В  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 3mA, 10mA  ·  Ток коллектора (макс): 100mA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 10mA, 1V  ·  Мощность макcимальная: 625mW  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226
Additional information
Find at suppliers
Buy in store
2N2222Fairchild SemiconductorNPN MED GEN PUR AMP (T0-18 CASE)
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 30В  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA  ·  Ток коллектора (макс): 800mA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V  ·  Мощность макcимальная: 500мВт  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-18-3, TO-206AA, Metal Case
Additional information
Find at suppliers
Buy in store
2N2222AFairchild SemiconductorNPN MED PWR GEN PUR (TO-18 CASE)
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 40В  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA  ·  Ток коллектора (макс): 800mA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V  ·  Мощность макcимальная: 500мВт  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-18-3, TO-206AA, Metal Case
Additional information
Find at suppliers
Buy in store
2N2221Fairchild SemiconductorNPN MED PWR GP AMP TRANSISTOR
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 30В  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA  ·  Ток коллектора (макс): 800mA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 10V  ·  Мощность макcимальная: 500мВт  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-18-3, TO-206AA, Metal Case
Additional information
Find at suppliers
Buy in store
2N2221AFairchild SemiconductorNPN MED PWR GP AMP TRANSISTOR
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 40В  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA  ·  Ток коллектора (макс): 800mA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 10V  ·  Мощность макcимальная: 500мВт  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-18-3, TO-206AA, Metal Case
Additional information
Find at suppliers
Buy in store
2N2219AFairchild SemiconductorNPN MED PWR SS AMP TRANSISTOR
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 40В  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA  ·  Ток коллектора (макс): 1A  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V  ·  Мощность макcимальная: 1Вт  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-92-3 (Long Body), TO-226
Additional information
Find at suppliers
Buy in store
2N3440Fairchild SemiconductorNPN POWER 350V 10W TRANSISTOR
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 250V  ·  Ток коллектора (макс): 1A  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-39-3, TO-205AD, Металлическая банка
Additional information
Find at suppliers
Buy in store
MPS3392MPS3392Fairchild SemiconductorNPN SS GP AMP TRANSISTOR TO92
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 25V  ·  Ток коллектора (макс): 100mA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 2mA, 4.5V  ·  Мощность макcимальная: 625mW  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226
Additional information
Find at suppliers
Buy in store
MPS2924MPS2924Fairchild SemiconductorNPN SS GP AMP TRANSISTOR TO92
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 25V  ·  Ток коллектора (макс): 100mA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 2mA, 10V  ·  Мощность макcимальная: 625mW  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226
from 0,00
to 0,00
Additional information
Find at suppliers
Buy in store
PN5135PN5135Fairchild SemiconductorNPN SS GP AMP TRANSISTOR TO92
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 25V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 10mA, 100mA  ·  Ток коллектора (макс): 200mA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 10V  ·  Мощность макcимальная: 625mW  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226
from 0,00
to 0,00
Additional information
Find at suppliers
Buy in store
BC848BL3E6327Infineon TechnologiesNPN TRANSISTOR SOT 23
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 30В  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 500µA, 10mA  ·  Ток коллектора (макс): 100mA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 10µA, 5V  ·  Мощность макcимальная: 330mW  ·  Модуляция частот: 250MHz  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SOT-23
from 0,00Additional information
Find at suppliers
Buy in store
ST13009ST13009STMicroelectronicsPLANAR BIPOLAR NPN 900V 6 MASKS
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 400В  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1.25V @ 1.6A, 8A  ·  Ток коллектора (макс): 12A  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 8A, 5V  ·  Мощность макcимальная: 100Вт  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-220-3 (Straight Leads)
from 0,00
to 0,00
Additional information
Find at suppliers
Buy in store
PN4888PN4888Fairchild SemiconductorPNP LN 150V AMP TRANSISTOR TO92
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 150V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA  ·  Ток коллектора (макс): 100mA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 10mA, 10V  ·  Мощность макcимальная: 625mW  ·  Тип транзистора: PNP  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226
Additional information
Find at suppliers
Buy in store
2N2907AFairchild SemiconductorPNP SS GP AMP MED PWR TRANS.
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 60V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA  ·  Ток коллектора (макс): 600mA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V  ·  Мощность макcимальная: 625mW  ·  Модуляция частот: 200MHz  ·  Тип транзистора: PNP  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226
Additional information
Find at suppliers
Buy in store
2N4033Fairchild SemiconductorPNP SS GP AMP TRANSISTOR
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 80V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 100mA, 1A  ·  Ток коллектора (макс): 1A  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 75 @ 100µA, 5V  ·  Мощность макcимальная: 800мВт  ·  Тип транзистора: PNP  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-39-3, TO-205AD, Металлическая банка
Additional information
Find at suppliers
Buy in store
PN5142PN5142Fairchild SemiconductorPNP SS GP AMP TRANSISTOR TO92
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 20В  ·  Ток коллектора (макс): 500mA  ·  Тип транзистора: PNP  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226
Additional information
Find at suppliers
Buy in store
PN4121PN4121Fairchild SemiconductorPNP SS GP AMP TRANSISTOR TO92
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 40В  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA  ·  Ток коллектора (макс): 100mA  ·  Ток отсечки коллетора (vfrc): 25nA  ·  Мощность макcимальная: 625mW  ·  Тип транзистора: PNP  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226
Additional information
Find at suppliers
Buy in store
PN3251PN3251Fairchild SemiconductorPNP SS GP AMP TRANSISTOR TO92
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 40В  ·  Ток коллектора (макс): 50mA  ·  Тип транзистора: PNP  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226
Additional information
Find at suppliers
Buy in store
BC858BL3E6327Infineon TechnologiesPNP TRANSISTOR SOT 23
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 30В  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA  ·  Ток коллектора (макс): 100mA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 10µA, 5V  ·  Мощность макcимальная: 330mW  ·  Модуляция частот: 250MHz  ·  Тип транзистора: PNP  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SOT-23
from 0,00Additional information
Find at suppliers
Buy in store
PBSS4240V,115PBSS4240V,115NXP SemiconductorsTRAN NPN 40V 1.8A SOT666
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 40В  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 75mV @ 1mA, 100mA  ·  Ток коллектора (макс): 2A  ·  Ток отсечки коллетора (vfrc): 100nA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 1mA, 5V  ·  Мощность макcимальная: 900мВт  ·  Модуляция частот: 150MHz  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SS Mini-6 (SOT-666)
from 0,00Additional information
Find at suppliers
Buy in store
2SC57250SL2SC57250SLPanasonic - SSGTRAN NPN HF 15VCEO 2.0A MINI 3P
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 15V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 280mV @ 30mA, 1.5A  ·  Ток коллектора (макс): 2A  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V  ·  Мощность макcимальная: 600mW  ·  Модуляция частот: 280MHz  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: Mini3-G1 (SC-59)
from 0,00
to 0,00
Additional information
Find at suppliers
Buy in store
2SA204600L2SA204600LPanasonic - SSGTRAN PN HF 20VCEO 1.5A MINI 3P
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 20В  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 25mA, 500mA  ·  Ток коллектора (макс): 1.5A  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 100mA, 2V  ·  Мощность макcимальная: 400мВт  ·  Модуляция частот: 170MHz  ·  Тип транзистора: PNP  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: Mini3-G1 (SC-59)
from 0,00
to 0,00
Additional information
Find at suppliers
Buy in store
MMBT5401-7MMBT5401-7Diodes IncTRANS 150V 350MW PNP SMD SOT23-3
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 150V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA  ·  Ток коллектора (макс): 600mA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V  ·  Мощность макcимальная: 300mW  ·  Модуляция частот: 300MHz  ·  Тип транзистора: PNP  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3
from 0,00Additional information
Find at suppliers
Buy in store
MMBT5551-7MMBT5551-7Diodes IncTRANS 160V 350MW NPN SMD SOT23-3
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 160V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA  ·  Ток коллектора (макс): 600mA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V  ·  Мощность макcимальная: 300mW  ·  Модуляция частот: 300MHz  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3
from 0,00Additional information
Find at suppliers
Buy in store
PHE13005,127PHE13005,127NXP SemiconductorsTRANS 400V 4A TO-220AB
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 400В  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 200mA, 1A  ·  Ток коллектора (макс): 4A  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 1A, 5V  ·  Мощность макcимальная: 75Вт  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-220AB-3
from 0,00Additional information
Find at suppliers
Buy in store
← Ctrl  12345678 ... 359  Ctrl →

© 2006 — 2024 ChipFind Ltd.
Contact phone, e-mail, ICQ
Catalog with parameters for 1,401,534 components RegisterAdvertising