Log in    Register
ChipFind Component Selection Catalog
For example: transistor, max232, lt319a
 

Дискретные полупроводники  ·  Биполярные транзисторы (одиночные)

Производитель



















Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.)





























































Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic


























































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































Ток коллектора (макс)

















































































Ток отсечки коллетора (vfrc)

































Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce
















































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































Мощность макcимальная



















































































































































Модуляция частот




















































































































Тип транзистора







Тип монтажа


Корпус








































































































































 
PhotoNameManufacturerTechnical parametersPrices (rub.)Buy
FJMA790FJMA790Fairchild SemiconductorIC TRANS PNP 35V 2A MICROFET2X2
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 35V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 500mA  ·  Ток коллектора (макс): 2A  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1.5A, 1.5V  ·  Мощность макcимальная: 800мВт  ·  Тип транзистора: PNP  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: 6-MLP, 6-MicroFET™
from 0,00
to 0,00
Additional information
Find at suppliers
Buy in store
2STN2550STMicroelectronicsIC TRANS PNP 50V 5A SOT 223
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 550mV @ 300mA, 3A  ·  Ток коллектора (макс): 5A  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 110 @ 2A, 2V  ·  Мощность макcимальная: 1.6W  ·  Тип транзистора: PNP  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SOT-223 (3 leads + Tab), SC-73, TO-261AA
from 0,00
to 0,00
Additional information
Find at suppliers
Buy in store
2STF2550STMicroelectronicsIC TRANS PNP 50V 5A SOT 89
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 550mV @ 300mA, 3A  ·  Ток коллектора (макс): 5A  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 110 @ 2A, 2V  ·  Мощность макcимальная: 1.4Вт  ·  Тип транзистора: PNP  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SC-62, SOT-89, MPT3 (3 leads + Tab)
from 0,00
to 0,00
Additional information
Find at suppliers
Buy in store
NS2029M3T5GON SemiconductorIC TRANS PNP GP 50V SOT-723
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA  ·  Ток коллектора (макс): 100mA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V  ·  Модуляция частот: 140MHz  ·  Тип транзистора: PNP  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SOT-723
from 0,00Additional information
Find at suppliers
Buy in store
ST631KST631KSTMicroelectronicsIC TRANS PNP LOW VOLT SOT-32
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 120V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA  ·  Ток коллектора (макс): 1A  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 5V  ·  Мощность макcимальная: 12.5W  ·  Тип транзистора: PNP  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: SOT-32-3, TO-126-3
from 0,00Additional information
Find at suppliers
Buy in store
2N3906TFR2N3906TFRFairchild SemiconductorIC TRANS PNP SS GP 200MA TO-92
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 40В  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA  ·  Ток коллектора (макс): 200mA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V  ·  Мощность макcимальная: 625mW  ·  Модуляция частот: 250MHz  ·  Тип транзистора: PNP  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226
from 0,00
to 0,00
Additional information
Find at suppliers
Buy in store
2N3906BU2N3906BUFairchild SemiconductorIC TRANS PNP SS GP 200MA TO-92
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 40В  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA  ·  Ток коллектора (макс): 200mA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V  ·  Мощность макcимальная: 625mW  ·  Модуляция частот: 250MHz  ·  Тип транзистора: PNP  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226
from 0,00
to 0,00
Additional information
Find at suppliers
Buy in store
2N4125BU2N4125BUFairchild SemiconductorIC TRANS PNP SS GP 200MA TO-92
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 30В  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA  ·  Ток коллектора (макс): 200mA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 2mA, 1V  ·  Мощность макcимальная: 625mW  ·  Тип транзистора: PNP  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226
from 0,00
to 0,00
Additional information
Find at suppliers
Buy in store
2N3905BU2N3905BUFairchild SemiconductorIC TRANS PNP SS GP 200MA TO-92
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 40В  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA  ·  Ток коллектора (макс): 200mA  ·  Ток отсечки коллетора (vfrc): 50nA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 1V  ·  Мощность макcимальная: 625mW  ·  Тип транзистора: PNP  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226
from 0,00
to 0,00
Additional information
Find at suppliers
Buy in store
2N4126BU2N4126BUFairchild SemiconductorIC TRANS PNP SS GP 200MA TO-92
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 25V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA  ·  Ток коллектора (макс): 200mA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 1V  ·  Мощность макcимальная: 625mW  ·  Модуляция частот: 250MHz  ·  Тип транзистора: PNP  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-92
from 0,00
to 0,00
Additional information
Find at suppliers
Buy in store
2N4403TFR2N4403TFRFairchild SemiconductorIC TRANS PNP SS GP 600MA TO-92
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 40В  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 750mV @ 50mA, 500mA  ·  Ток коллектора (макс): 600mA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V  ·  Мощность макcимальная: 625mW  ·  Модуляция частот: 200MHz  ·  Тип транзистора: PNP  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226
from 0,00
to 0,00
Additional information
Find at suppliers
Buy in store
2N4403BU2N4403BUFairchild SemiconductorIC TRANS PNP SS GP 600MA TO-92
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 40В  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 750mV @ 50mA, 500mA  ·  Ток коллектора (макс): 600mA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V  ·  Мощность макcимальная: 625mW  ·  Модуляция частот: 200MHz  ·  Тип транзистора: PNP  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226
from 0,00
to 0,00
Additional information
Find at suppliers
Buy in store
2N4402BU2N4402BUFairchild SemiconductorIC TRANS PNP SS GP 600MA TO-92
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 40В  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 750mV @ 50mA, 500mA  ·  Ток коллектора (макс): 600mA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 150mA, 2V  ·  Мощность макcимальная: 625mW  ·  Тип транзистора: PNP  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226
from 0,00
to 0,00
Additional information
Find at suppliers
Buy in store
2N57712N5771Fairchild SemiconductorIC TRANS PNP SS HS 200MA TO-92
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 15V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 100µA, 1mA  ·  Ток коллектора (макс): 200mA  ·  Ток отсечки коллетора (vfrc): 10nA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 300mV  ·  Мощность макcимальная: 350mW  ·  Модуляция частот: 8.5MHz  ·  Тип транзистора: PNP  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226
from 0,00
to 0,00
Additional information
Find at suppliers
Buy in store
2N54002N5400Fairchild SemiconductorIC TRANS PNP SS HV 600MA TO-92
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 120V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA  ·  Ток коллектора (макс): 600mA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 10mA, 5V  ·  Мощность макcимальная: 625mW  ·  Модуляция частот: 400MHz  ·  Тип транзистора: PNP  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226
from 0,00
to 0,00
Additional information
Find at suppliers
Buy in store
2N5401BU2N5401BUFairchild SemiconductorIC TRANS PNP SS HV 600MA TO-92
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 150V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA  ·  Ток коллектора (макс): 600mA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V  ·  Мощность макcимальная: 625mW  ·  Модуляция частот: 400MHz  ·  Тип транзистора: PNP  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226
from 0,00
to 0,00
Additional information
Find at suppliers
Buy in store
BC858CBC858CFairchild SemiconductorIC TRANS PNP SS LN 100MA SOT-23
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 30В  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA  ·  Ток коллектора (макс): 100mA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V  ·  Мощность макcимальная: 310mW  ·  Модуляция частот: 150MHz  ·  Тип транзистора: PNP  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3
Additional information
Find at suppliers
Buy in store
2N5087BU2N5087BUFairchild SemiconductorIC TRANS PNP SS LN 100MA TO-92
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA  ·  Ток коллектора (макс): 100mA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 100µA, 5V  ·  Мощность макcимальная: 625mW  ·  Модуляция частот: 40MHz  ·  Тип транзистора: PNP  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226
from 0,00
to 0,00
Additional information
Find at suppliers
Buy in store
STF817ASTF817ASTMicroelectronicsIC TRANS PWR PNP BIPO 30V SOT89
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 80V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A  ·  Ток коллектора (макс): 1.5A  ·  Ток отсечки коллетора (vfrc): 1mA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 1A, 2V  ·  Мощность макcимальная: 1.4Вт  ·  Модуляция частот: 50MHz  ·  Тип транзистора: PNP  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SOT-89-3, TO-243-3
from 0,00
to 0,00
Additional information
Find at suppliers
Buy in store
LP395Z/NOPBLP395Z/NOPBNational SemiconductorIC TRANS PWR ULTRA RELBLE TO-92
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 36V  ·  Ток коллектора (макс): 100mA  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226
from 0,00
to 0,00
Additional information
Find at suppliers
Buy in store
BSS44BSS44STMicroelectronicsIC TRANSISTOR PNP TO-39
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 60V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 500mA, 5A  ·  Ток коллектора (макс): 5A  ·  Ток отсечки коллетора (vfrc): 500nA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 2A, 2V  ·  Мощность макcимальная: 5Вт  ·  Модуляция частот: 80MHz  ·  Тип транзистора: PNP  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-39-3, TO-205AD, Металлическая банка
from 0,00
to 0,00
Additional information
Find at suppliers
Buy in store
LM395T/NOPBLM395T/NOPBNational SemiconductorIC TRANSISTOR ULTR REL PWR TO220
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 36V  ·  Ток коллектора (макс): 2.2A  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-220-3 (Straight Leads)
from 0,00
to 0,00
Additional information
Find at suppliers
Buy in store
BU808DFIBU808DFISTMicroelectronicsIC TRANSISTR DARL NPN ISOWATT218
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 700В  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 500mA, 5A  ·  Ток коллектора (макс): 8A  ·  Ток отсечки коллетора (vfrc): 400µA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5A, 5V  ·  Мощность макcимальная: 52Вт  ·  Тип транзистора: NPN - Darlington  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: ISOWATT-218-3
from 0,00Additional information
Find at suppliers
Buy in store
ESM6045DVESM6045DVSTMicroelectronicsMODULE DARL NPN 450V 84A ISOTOP
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 450V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 1A, 50A  ·  Ток коллектора (макс): 84A  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 70A, 5V  ·  Мощность макcимальная: 250Вт  ·  Тип транзистора: NPN - Darlington  ·  Тип монтажа: Chassis Mount  ·  Корпус: ISOTOP
from 0,00
to 0,00
Additional information
Find at suppliers
Buy in store
2N5088BU2N5088BUFairchild SemiconductorNPN LL LN HI GAIN AMP TRANS TO92
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 30В  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA  ·  Ток коллектора (макс): 100mA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 100µA, 5V  ·  Мощность макcимальная: 625mW  ·  Модуляция частот: 50MHz  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226
from 0,00
to 0,00
Additional information
Find at suppliers
Buy in store
← Ctrl  12345678 ... 359  Ctrl →

© 2006 — 2024 ChipFind Ltd.
Contact phone, e-mail, ICQ
Catalog with parameters for 1,401,534 components RegisterAdvertising