Log in    Register
ChipFind Component Selection Catalog
For example: transistor, max232, lt319a
 

Дискретные полупроводники  ·  Биполярные транзисторы (одиночные)

Производитель



















Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.)





























































Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic


























































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































Ток коллектора (макс)

















































































Ток отсечки коллетора (vfrc)

































Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce
















































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































Мощность макcимальная



















































































































































Модуляция частот




















































































































Тип транзистора







Тип монтажа


Корпус








































































































































 
PhotoNameManufacturerTechnical parametersPrices (rub.)Buy
DVRN6056-7-FDiodes IncARRAY VOLTAGE REFERENCE SOT-26
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 40В  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 750mV @ 50mA, 500mA  ·  Ток коллектора (макс): 600mA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 1V  ·  Мощность макcимальная: 300mW  ·  Модуляция частот: 250MHz  ·  Тип транзистора: NPN + Zener Diode (Isolated)  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SOT-26
from 0,00Additional information
Find at suppliers
Buy in store
FSB6714Fairchild SemiconductorBIP NPN PWR 30V 3-SSOT
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 30В  ·  Тип транзистора: NPN
from 0,00Additional information
Find at suppliers
Buy in store
BU941ZTBU941ZTSTMicroelectronicsDARL DVR NPN 350V 15A TO-220
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 350В  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1.8V @ 250mA, 10A  ·  Ток коллектора (макс): 15A  ·  Ток отсечки коллетора (vfrc): 100µA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 5A, 10V  ·  Мощность макcимальная: 150Вт  ·  Тип транзистора: NPN - Darlington  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-220-3 (Straight Leads)
from 0,00
to 0,00
Additional information
Find at suppliers
Buy in store
BU931TBU931TSTMicroelectronicsDARL DVR NPN 400V 10A TO-220
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 400В  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1.8V @ 100mA, 8A  ·  Ток коллектора (макс): 10A  ·  Ток отсечки коллетора (vfrc): 100µA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 5A, 10V  ·  Мощность макcимальная: 125Вт  ·  Тип транзистора: NPN - Darlington  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-220-3 (Straight Leads)
from 0,00
to 0,00
Additional information
Find at suppliers
Buy in store
BC107BBC107BSTMicroelectronicsIC AMP AUDIO GP LO NOISE TO-18
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 45V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 500µA, 10mA  ·  Ток коллектора (макс): 100mA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V  ·  Мощность макcимальная: 300mW  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-18
from 0,00
to 0,00
Additional information
Find at suppliers
Buy in store
BSR13BSR13Fairchild SemiconductorIC AMP NPN 30V 500MA SOT-23
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 30В  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA  ·  Ток коллектора (макс): 500mA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V  ·  Мощность макcимальная: 350mW  ·  Модуляция частот: 250MHz  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3
from 0,00Additional information
Find at suppliers
Buy in store
BSR17ABSR17AFairchild SemiconductorIC AMP NPN 40V 200MA SOT-23
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 40В  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA  ·  Ток коллектора (макс): 200mA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V  ·  Мощность макcимальная: 350mW  ·  Модуляция частот: 300MHz  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3
from 0,00
to 0,00
Additional information
Find at suppliers
Buy in store
BSR17A_D87ZBSR17A_D87ZFairchild SemiconductorIC AMP NPN 40V 200MA SOT-23
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 40В  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA  ·  Ток коллектора (макс): 200mA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V  ·  Мощность макcимальная: 350mW  ·  Модуляция частот: 300MHz  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3
from 0,00Additional information
Find at suppliers
Buy in store
BSR14_D87ZBSR14_D87ZFairchild SemiconductorIC AMP NPN 40V 800MA SOT-23
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 40В  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA  ·  Ток коллектора (макс): 800mA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V  ·  Мощность макcимальная: 350mW  ·  Модуляция частот: 300MHz  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3
from 0,00Additional information
Find at suppliers
Buy in store
BSR18ABSR18AFairchild SemiconductorIC AMP PNP 40V 200MA SOT-23
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 40В  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA  ·  Ток коллектора (макс): 200mA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V  ·  Мощность макcимальная: 350mW  ·  Модуляция частот: 250MHz  ·  Тип транзистора: PNP  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3
from 0,00Additional information
Find at suppliers
Buy in store
BSR18A_D87ZBSR18A_D87ZFairchild SemiconductorIC AMP PNP 40V 200MA SOT-23
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 40В  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA  ·  Ток коллектора (макс): 200mA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V  ·  Мощность макcимальная: 350mW  ·  Модуляция частот: 250MHz  ·  Тип транзистора: PNP  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3
from 0,00Additional information
Find at suppliers
Buy in store
BSR18BBSR18BFairchild SemiconductorIC AMP PNP 40V 200MA SOT-23
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 40В  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA  ·  Ток коллектора (макс): 200mA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 110 @ 10mA, 1V  ·  Мощность макcимальная: 230mW  ·  Тип транзистора: PNP  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3
from 0,00Additional information
Find at suppliers
Buy in store
BSR15BSR15Fairchild SemiconductorIC AMP PNP 40V 800MA SOT-23
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 40В  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA  ·  Ток коллектора (макс): 800mA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V  ·  Мощность макcимальная: 350mW  ·  Модуляция частот: 200MHz  ·  Тип транзистора: PNP  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3
from 0,00Additional information
Find at suppliers
Buy in store
495220TU495220TUFairchild SemiconductorIC AMPLIFIER TO-220
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 325V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 5mA, 2A  ·  Ток коллектора (макс): 4A  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 3A, 5V  ·  Мощность макcимальная: 40Вт  ·  Тип транзистора: NPN - Darlington  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-220-3 (Straight Leads)
Additional information
Find at suppliers
Buy in store
BU941ZTFPBU941ZTFPSTMicroelectronicsIC DRIVER NPN DARL 350V TO220FP
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 350В  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1.8V @ 250mA, 10A  ·  Ток коллектора (макс): 15A  ·  Ток отсечки коллетора (vfrc): 100µA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 5A, 10V  ·  Мощность макcимальная: 55Вт  ·  Тип транзистора: NPN - Darlington  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-220-3 Full Pack (Straight Leads)
from 0,00
to 0,00
Additional information
Find at suppliers
Buy in store
KSC5305DTUKSC5305DTUFairchild SemiconductorIC POWER SWITCH HS HV TO-220
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 400В  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 80mA, 800mA  ·  Ток коллектора (макс): 5A  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 22 @ 800mA, 1V  ·  Мощность макcимальная: 75Вт  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-220-3 (Straight Leads)
from 0,00
to 0,00
Additional information
Find at suppliers
Buy in store
D44C8Fairchild SemiconductorIC PWR AMP NPN 60V 5A TO-220
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 60V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 1A  ·  Ток коллектора (макс): 4A  ·  Ток отсечки коллетора (vfrc): 10µA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 200mA, 1V  ·  Мощность макcимальная: 60Вт  ·  Модуляция частот: 40MHz  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-220-3 (Straight Leads)
from 0,00Additional information
Find at suppliers
Buy in store
ESM2030DVESM2030DVSTMicroelectronicsIC PWR MODULE DARL NPN ISOTOP
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 300V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1.25V @ 400mA, 40A  ·  Ток коллектора (макс): 67A  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 56A, 5V  ·  Мощность макcимальная: 150Вт  ·  Тип транзистора: NPN - Darlington  ·  Тип монтажа: Chassis Mount  ·  Корпус: ISOTOP
from 0,00
to 0,00
Additional information
Find at suppliers
Buy in store
ESM4045DVESM4045DVSTMicroelectronicsIC PWR MODULE DARL NPN ISOTOP
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 450V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1.4V @ 2A, 35A  ·  Ток коллектора (макс): 42A  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 35A, 5V  ·  Мощность макcимальная: 150Вт  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Тип монтажа: Chassis Mount  ·  Корпус: ISOTOP
Additional information
Find at suppliers
Buy in store
ESM2012DVESM2012DVSTMicroelectronicsIC PWR MODULE DARL NPN ISOTOP
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 120V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1A, 100A  ·  Ток коллектора (макс): 120A  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1200 @ 100A, 5V  ·  Мощность макcимальная: 175W  ·  Тип транзистора: NPN - Darlington  ·  Тип монтажа: Chassis Mount  ·  Корпус: ISOTOP
from 0,00Additional information
Find at suppliers
Buy in store
ESM3030DVESM3030DVSTMicroelectronicsIC PWR MODULE DARL NPN ISOTOP
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 300V  ·  Ток коллектора (макс): 100A  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 85A, 5V  ·  Мощность макcимальная: 225W  ·  Тип транзистора: NPN - Darlington  ·  Тип монтажа: Chassis Mount  ·  Корпус: ISOTOP
from 0,00
to 0,00
Additional information
Find at suppliers
Buy in store
ESM3045DVESM3045DVSTMicroelectronicsIC PWR MODULE DARL NPN ISOTOP
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 450V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 300mA, 15A  ·  Ток коллектора (макс): 24A  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 20A, 5V  ·  Мощность макcимальная: 125Вт  ·  Тип транзистора: NPN - Darlington  ·  Тип монтажа: Chassis Mount  ·  Корпус: ISOTOP
Additional information
Find at suppliers
Buy in store
ESM6045AVESM6045AVSTMicroelectronicsIC PWR MODULE DARL NPN ISOTOP
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 450V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 1A, 50A  ·  Ток коллектора (макс): 72A  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 60A, 5V  ·  Мощность макcимальная: 250Вт  ·  Тип транзистора: NPN - Darlington  ·  Тип монтажа: Chassis Mount  ·  Корпус: ISOTOP
from 0,00
to 0,00
Additional information
Find at suppliers
Buy in store
ESM5045DVESM5045DVSTMicroelectronicsIC PWR MODULE DARL NPN ISOTOP
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 450V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 700mA, 35A  ·  Ток коллектора (макс): 60A  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 50A, 5V  ·  Мощность макcимальная: 175W  ·  Тип транзистора: NPN - Darlington  ·  Тип монтажа: Chassis Mount  ·  Корпус: ISOTOP
from 0,00
to 0,00
Additional information
Find at suppliers
Buy in store
ST2111FXST2111FXSTMicroelectronicsIC TRANS BIPOLAR SMPS ISOWATT218
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 700В  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 2A, 8A  ·  Ток коллектора (макс): 12A  ·  Ток отсечки коллетора (vfrc): 1mA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 4.5 @ 8A, 5V  ·  Мощность макcимальная: 65Вт  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: ISOWATT218FX
from 0,00Additional information
Find at suppliers
Buy in store
← Ctrl  12345678 ... 359  Ctrl →

© 2006 — 2024 ChipFind Ltd.
Contact phone, e-mail, ICQ
Catalog with parameters for 1,401,534 components RegisterAdvertising