Log in    Register
ChipFind Component Selection Catalog
For example: transistor, max232, lt319a
 

Дискретные полупроводники  ·  Биполярные транзисторы (одиночные)

Производитель



















Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.)





























































Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic


























































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































Ток коллектора (макс)

















































































Ток отсечки коллетора (vfrc)

































Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce
















































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































Мощность макcимальная



















































































































































Модуляция частот




















































































































Тип транзистора







Тип монтажа


Корпус








































































































































 
PhotoNameManufacturerTechnical parametersPrices (rub.)Buy
BC847,235BC847,235NXP SemiconductorsTRANSISTOR NPN 45V 100MA SOT23
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 45V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 90mV @ 500µA, 10mA  ·  Ток коллектора (макс): 100mA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 110 @ 2mA, 5V  ·  Мощность макcимальная: 250mW  ·  Модуляция частот: 100MHz  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3
from 0,00Additional information
Find at suppliers
Buy in store
BC849B,235BC849B,235NXP SemiconductorsTRANSISTOR NPN 30V 100MA SOT23
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 30В  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 500µA, 10mA  ·  Ток коллектора (макс): 100mA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 240 @ 10µA, 5V  ·  Мощность макcимальная: 250mW  ·  Модуляция частот: 100MHz  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3
from 0,00Additional information
Find at suppliers
Buy in store
BC856B,235BC856B,235NXP SemiconductorsTRANSISTOR PNP 65V 100MA SOT23
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 65V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA  ·  Ток коллектора (макс): 100mA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V  ·  Мощность макcимальная: 250mW  ·  Модуляция частот: 100MHz  ·  Тип транзистора: PNP  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3
from 0,00Additional information
Find at suppliers
Buy in store
BC847A,235BC847A,235NXP SemiconductorsTRANSISTOR NPN 45V 100MA SOT23
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 45V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 90mV @ 500µA, 10mA  ·  Ток коллектора (макс): 100mA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 110 @ 2mA, 5V  ·  Мощность макcимальная: 250mW  ·  Модуляция частот: 100MHz  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3
from 0,00Additional information
Find at suppliers
Buy in store
BC857C,235BC857C,235NXP SemiconductorsTRANSISTOR PNP 45V 100MA SOT23
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 45V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA  ·  Ток коллектора (макс): 100mA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V  ·  Мощность макcимальная: 250mW  ·  Модуляция частот: 100MHz  ·  Тип транзистора: PNP  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3
from 0,00Additional information
Find at suppliers
Buy in store
BC857B,235BC857B,235NXP SemiconductorsTRANSISTOR PNP 45V 100MA SOT23
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 45V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA  ·  Ток коллектора (макс): 100mA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V  ·  Мощность макcимальная: 250mW  ·  Модуляция частот: 100MHz  ·  Тип транзистора: PNP  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3
from 0,00Additional information
Find at suppliers
Buy in store
BC848B,235BC848B,235NXP SemiconductorsTRANSISTOR NPN 30V 100MA SOT23
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 30В  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 90mV @ 500µA, 10mA  ·  Ток коллектора (макс): 100mA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V  ·  Мощность макcимальная: 250mW  ·  Модуляция частот: 100MHz  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3
from 0,00Additional information
Find at suppliers
Buy in store
BC857,235BC857,235NXP SemiconductorsTRANSISTOR PNP 45V 100MA SOT23
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 45V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 500µA, 10mA  ·  Ток коллектора (макс): 100mA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 125 @ 2mA, 5V  ·  Мощность макcимальная: 250mW  ·  Модуляция частот: 100MHz  ·  Тип транзистора: PNP  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3
from 0,00Additional information
Find at suppliers
Buy in store
BC846B,235BC846B,235NXP SemiconductorsTRANSISTOR NPN 100MA 65V SOT23
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 65V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 90mV @ 500µA, 10mA  ·  Ток коллектора (макс): 100mA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V  ·  Мощность макcимальная: 250mW  ·  Модуляция частот: 100MHz  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3
from 0,00Additional information
Find at suppliers
Buy in store
BC846A,235BC846A,235NXP SemiconductorsTRANSISTOR NPN 100MA 65V SOT23
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 65V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 90mV @ 500µA, 10mA  ·  Ток коллектора (макс): 100mA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 110 @ 2mA, 5V  ·  Мощность макcимальная: 200mW  ·  Модуляция частот: 100MHz  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3
from 0,00Additional information
Find at suppliers
Buy in store
BC847B,235BC847B,235NXP SemiconductorsTRANSISTOR NPN 45V 100MA SOT23
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 45V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 90mV @ 500µA, 10mA  ·  Ток коллектора (макс): 100mA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V  ·  Мощность макcимальная: 250mW  ·  Модуляция частот: 100MHz  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3
from 0,00Additional information
Find at suppliers
Buy in store
2N3906TFR2N3906TFRFairchild SemiconductorIC TRANS PNP SS GP 200MA TO-92
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 40В  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA  ·  Ток коллектора (макс): 200mA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V  ·  Мощность макcимальная: 625mW  ·  Модуляция частот: 250MHz  ·  Тип транзистора: PNP  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226
from 0,00
to 0,00
Additional information
Find at suppliers
Buy in store
PMBS3906,215PMBS3906,215NXP SemiconductorsTRANS PNP 40V 100MA SOT23
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 40В  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA  ·  Ток коллектора (макс): 100mA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 100µA, 1V  ·  Мощность макcимальная: 250mW  ·  Модуляция частот: 150MHz  ·  Тип транзистора: PNP  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3
from 0,00Additional information
Find at suppliers
Buy in store
PMBS3904,235PMBS3904,235NXP SemiconductorsTRANS NPN 40V 100MA SOT23
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 40В  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 1mA, 10mA  ·  Ток коллектора (макс): 100mA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 100µA, 1V  ·  Мощность макcимальная: 250mW  ·  Модуляция частот: 180MHz  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3
from 0,00Additional information
Find at suppliers
Buy in store
PMBS3906,235PMBS3906,235NXP SemiconductorsTRANS PNP 40V 100MA SOT23
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 40В  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA  ·  Ток коллектора (макс): 100mA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 100µA, 1V  ·  Мощность макcимальная: 250mW  ·  Модуляция частот: 150MHz  ·  Тип транзистора: PNP  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3
from 0,00Additional information
Find at suppliers
Buy in store
MMBT3906_D87ZFairchild SemiconductorTRANS GP PNP 40V 200MA SOT-923F
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 40В  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA  ·  Ток коллектора (макс): 200mA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V  ·  Мощность макcимальная: 350mW  ·  Модуляция частот: 250MHz  ·  Тип транзистора: PNP  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3
from 0,00Additional information
Find at suppliers
Buy in store
BC846,215BC846,215NXP SemiconductorsTRANSISTOR NPN 65V 100MA SOT23
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 65V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 90mV @ 500µA, 10mA  ·  Ток коллектора (макс): 100mA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 110 @ 2mA, 5V  ·  Мощность макcимальная: 200mW  ·  Модуляция частот: 100MHz  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3
from 0,00Additional information
Find at suppliers
Buy in store
BC856,215BC856,215NXP SemiconductorsTRANSISTOR PNP 65V 100MA SOT23
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 65V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA  ·  Ток коллектора (макс): 100mA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 125 @ 2mA, 5V  ·  Мощность макcимальная: 250mW  ·  Модуляция частот: 100MHz  ·  Тип транзистора: PNP  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3
from 0,00Additional information
Find at suppliers
Buy in store
BC857A,215BC857A,215NXP SemiconductorsTRANSISTOR PNP 45V 100MA SOT23
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 45V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 500µA, 10mA  ·  Ток коллектора (макс): 100mA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 125 @ 2mA, 5V  ·  Мощность макcимальная: 250mW  ·  Модуляция частот: 100MHz  ·  Тип транзистора: PNP  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3
from 0,00Additional information
Find at suppliers
Buy in store
BC857,215BC857,215NXP SemiconductorsTRANSISTOR PNP 45V 100MA SOT23
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 45V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 500µA, 10mA  ·  Ток коллектора (макс): 100mA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 125 @ 2mA, 5V  ·  Мощность макcимальная: 250mW  ·  Модуляция частот: 100MHz  ·  Тип транзистора: PNP  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3
from 0,00Additional information
Find at suppliers
Buy in store
BC847,215BC847,215NXP SemiconductorsTRANSISTOR NPN 45V 100MA SOT23
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 45V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 90mV @ 500µA, 10mA  ·  Ток коллектора (макс): 100mA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 110 @ 2mA, 5V  ·  Мощность макcимальная: 250mW  ·  Модуляция частот: 100MHz  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3
from 0,00Additional information
Find at suppliers
Buy in store
MMBT3904_D87ZFairchild SemiconductorTRANS GP NPN 40V 200MA SOT-23
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 40В  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA  ·  Ток коллектора (макс): 200mA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V  ·  Мощность макcимальная: 350mW  ·  Модуляция частот: 300MHz  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3
from 0,00Additional information
Find at suppliers
Buy in store
BC856ALT1GBC856ALT1GON SemiconductorTRANS PNP LP 100MA 65V SOT23
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 65V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA  ·  Ток коллектора (макс): 100mA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 125 @ 2mA, 5V  ·  Мощность макcимальная: 225mW  ·  Модуляция частот: 100MHz  ·  Тип транзистора: PNP  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3
from 0,00
to 0,00
Additional information
Find at suppliers
Buy in store
2N4401TF2N4401TFFairchild SemiconductorTRANSISTOR NPN 40V 600MA TO-92
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 40В  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 750mV @ 50mA, 500mA  ·  Ток коллектора (макс): 600mA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 1V  ·  Мощность макcимальная: 625mW  ·  Модуляция частот: 250MHz  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226
from 0,00
to 0,00
Additional information
Find at suppliers
Buy in store
MMBT4403-7-FMMBT4403-7-FDiodes IncTRANS PNP 40V 350MW SMD SOT23-3
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 40В  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 750mV @ 50mA, 500mA  ·  Ток коллектора (макс): 600mA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V  ·  Мощность макcимальная: 300mW  ·  Модуляция частот: 200MHz  ·  Тип транзистора: PNP  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3
from 0,00
to 0,00
Additional information
Find at suppliers
Buy in store
← Ctrl  12345678 ... 359  Ctrl →

© 2006 — 2024 ChipFind Ltd.
Contact phone, e-mail, ICQ
Catalog with parameters for 1,401,534 components RegisterAdvertising