Log in    Register
ChipFind Component Selection Catalog
For example: transistor, max232, lt319a
 

Дискретные полупроводники  ·  IGBT одиночные

Производитель











Серия











Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.)
































Vce(on) (Max) @ Vge, Ic






















































































































































































































































































































































































































































































Ток коллектора (макс)











































































































































































Мощность макcимальная



















































































































































































































































Тип входа


Тип монтажа


Корпус





































































 
PhotoNameManufacturerTechnical parametersPrices (rub.)Buy
STGB7NB60KDT4STGB7NB60KDT4STMicroelectronicsMOSFET N-CHAN 7A 600V D2PAK
Серия: PowerMESH™  ·  Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 600В  ·  Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 7A  ·  Ток коллектора (макс): 14A  ·  Мощность макcимальная: 80Вт  ·  Тип входа: Стандарт  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: D²Pak, TO-263 (2 leads + tab)
from 0,00Additional information
Find at suppliers
Buy in store
STGD7NB60ST4STGD7NB60ST4STMicroelectronicsMOSFET N-CHAN 7A 600V DPAK
Серия: PowerMESH™  ·  Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 600В  ·  Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.6V @ 15V, 7A  ·  Ток коллектора (макс): 15A  ·  Мощность макcимальная: 55Вт  ·  Тип входа: Стандарт  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63
from 0,00Additional information
Find at suppliers
Buy in store
STGP7NB60HDSTGP7NB60HDSTMicroelectronicsMOSFET N-CHAN 7A 600V TO-220
Серия: PowerMESH™  ·  Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 600В  ·  Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 7A  ·  Ток коллектора (макс): 14A  ·  Мощность макcимальная: 80Вт  ·  Тип входа: Стандарт  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-220-3 (Straight Leads)
from 0,00Additional information
Find at suppliers
Buy in store
IRG4BC30F-STRRIRG4BC30F-STRRInternational RectifierN-CHAN IGBT 600V 31A COPAK D2PAK
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 600В  ·  Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 17A  ·  Ток коллектора (макс): 31A  ·  Мощность макcимальная: 100Вт  ·  Тип входа: Стандарт  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: D²Pak, TO-263 (2 leads + tab)
Additional information
Find at suppliers
Buy in store
VUB135-22NO1IXYSRECT BRIDGE 3PH 220V 135A E2
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 1700V  ·  Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.13V @ 15V, 75A  ·  Ток коллектора (макс): 113A  ·  Мощность макcимальная: 445W  ·  Тип входа: Three Phase Bridge Rectifier  ·  Тип монтажа: Chassis Mount  ·  Корпус: E2
from 0,00Additional information
Find at suppliers
Buy in store
IXGH45N120IXGH45N120IXYSTRANSISTOR IGBT N-CHAN 1200V
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 1200V  ·  Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 45A  ·  Ток коллектора (макс): 75A  ·  Мощность макcимальная: 300Вт  ·  Тип входа: Стандарт  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-247
from 0,00Additional information
Find at suppliers
Buy in store
IXGH60N60IXGH60N60IXYSTRANSISTOR IGBT N-CHAN 600V 75A
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 600В  ·  Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 60A  ·  Ток коллектора (макс): 75A  ·  Мощность макcимальная: 300Вт  ·  Тип входа: Стандарт  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-247AD
from 0,00Additional information
Find at suppliers
Buy in store
IXBT16N170AIXYSTRANSISTOR NON 10A 1.7KV TO-268
Серия: BIMOSFET™  ·  Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 1700V  ·  Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 6V @ 15V, 10A  ·  Ток коллектора (макс): 16A  ·  Мощность макcимальная: 150Вт  ·  Тип входа: Стандарт  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: TO-268
from 0,00Additional information
Find at suppliers
Buy in store
2ST501TSTMicroelectronicsTRANSISTOR NPN
Тип входа: Стандарт  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-3
from 0,00Additional information
Find at suppliers
Buy in store
← Ctrl  1 ... 7071727374757677next  Ctrl →

© 2006 — 2024 ChipFind Ltd.
Contact phone, e-mail, ICQ
Catalog with parameters for 1,401,534 components RegisterAdvertising