Log in    Register
ChipFind Component Selection Catalog
For example: transistor, max232, lt319a
 

Дискретные полупроводники  ·  IGBT одиночные

Производитель











Серия











Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.)
































Vce(on) (Max) @ Vge, Ic






















































































































































































































































































































































































































































































Ток коллектора (макс)











































































































































































Мощность макcимальная



















































































































































































































































Тип входа


Тип монтажа


Корпус





































































 
PhotoNameManufacturerTechnical parametersPrices (rub.)Buy
IRG4BC30F-STRRIRG4BC30F-STRRInternational RectifierN-CHAN IGBT 600V 31A COPAK D2PAK
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 600В  ·  Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 17A  ·  Ток коллектора (макс): 31A  ·  Мощность макcимальная: 100Вт  ·  Тип входа: Стандарт  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: D²Pak, TO-263 (2 leads + tab)
Additional information
Find at suppliers
Buy in store
ISL9V3040D3SFairchild SemiconductorIGBT N-CH IGNTN 400V 21A TO252AA
Серия: EcoSPARK™  ·  Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 430V  ·  Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.6V @ 4V, 6A  ·  Ток коллектора (макс): 21A  ·  Мощность макcимальная: 150Вт  ·  Тип входа: Logic  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63
Additional information
Find at suppliers
Buy in store
VDI50-12P1IXYSMOD IGBT BUCK 1200V ECO-PAC2
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 1200V  ·  Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 50A  ·  Ток коллектора (макс): 49A  ·  Мощность макcимальная: 208W  ·  Тип входа: Стандарт  ·  Тип монтажа: Chassis Mount  ·  Корпус: ECO-PAC2
Additional information
Find at suppliers
Buy in store
APTGT75SK120D1GMicrosemi-PPGIGBT 1200V 110A 357W D1
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 1200V  ·  Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A  ·  Ток коллектора (макс): 110A  ·  Мощность макcимальная: 357W  ·  Тип входа: Стандарт  ·  Тип монтажа: Chassis Mount  ·  Корпус: Модуль
Additional information
Find at suppliers
Buy in store
IXBH15N160IXBH15N160IXYSIGBT W/DIODE 1600V 15A TO-247AD
Серия: BIMOSFET™  ·  Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 1600V  ·  Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 7V @ 15V, 9A  ·  Ток коллектора (макс): 15A  ·  Мощность макcимальная: 150Вт  ·  Тип входа: Стандарт  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-247AD
Additional information
Find at suppliers
Buy in store
IRG4IBC30FDIRG4IBC30FDInternational RectifierIGBT W/DIODE 600V 20.3A TO-220FP
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 600В  ·  Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 17A  ·  Ток коллектора (макс): 20.3A  ·  Мощность макcимальная: 45Вт  ·  Тип входа: Стандарт  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-220F
Additional information
Find at suppliers
Buy in store
HGT1S7N60A4DSHGT1S7N60A4DSFairchild SemiconductorIGBT SMPS N-CHAN 600V TO-263AB
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 600В  ·  Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 7A  ·  Ток коллектора (макс): 34A  ·  Мощность макcимальная: 125Вт  ·  Тип входа: Стандарт  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: D²Pak, TO-263 (2 leads + tab)
Additional information
Find at suppliers
Buy in store
NGB15N41CLT4ON SemiconductorIGBT N-CHAN 15A 410V D2PAK
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 440V  ·  Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 4.5V, 10A  ·  Ток коллектора (макс): 15A  ·  Мощность макcимальная: 107W  ·  Тип входа: Logic  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: D²Pak, TO-263 (2 leads + tab)
Additional information
Find at suppliers
Buy in store
SGR2N60UFDTMSGR2N60UFDTMFairchild SemiconductorIGBT W/DIODE 600V 1.2A DPAK
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 600В  ·  Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 1.2A  ·  Ток коллектора (макс): 2.4A  ·  Мощность макcимальная: 25Вт  ·  Тип входа: Стандарт  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63
Additional information
Find at suppliers
Buy in store
← Ctrl  1 ... 7071727374757677next  Ctrl →

© 2006 — 2024 ChipFind Ltd.
Contact phone, e-mail, ICQ
Catalog with parameters for 1,401,534 components RegisterAdvertising