Log in    Register
ChipFind Component Selection Catalog
For example: transistor, max232, lt319a
  

Дискретные полупроводники  ·  IGBT одиночные
Производитель











Серия











Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.)
































Vce(on) (Max) @ Vge, Ic






















































































































































































































































































































































































































































































Ток коллектора (макс)











































































































































































Мощность макcимальная



















































































































































































































































Тип входа


Тип монтажа


Корпус





































































 
PhotoNameManufacturerTechnical parametersPrices (rub.)Buy
MID200-12A4IXYSMOD IGBT RBSOA 1200V 270A Y3-DCB
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 1200V  ·  Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 150A  ·  Ток коллектора (макс): 270A  ·  Мощность макcимальная: 1130W  ·  Тип входа: Стандарт  ·  Тип монтажа: Chassis Mount  ·  Корпус: Y3-DCB
from 0,00Additional information
Find at suppliers
Buy in store
MID300-12A4IXYSMOD IGBT RBSOA 1200V 330A Y3-DCB
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 1200V  ·  Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 200A  ·  Ток коллектора (макс): 330A  ·  Мощность макcимальная: 1380W  ·  Тип входа: Стандарт  ·  Тип монтажа: Chassis Mount  ·  Корпус: Y3-DCB
from 0,00Additional information
Find at suppliers
Buy in store
MID400-12E4IXYSMOD IGBT RBSOA 1200V 425A Y3-LI
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 1200V  ·  Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 300A  ·  Ток коллектора (макс): 420A  ·  Мощность макcимальная: 1700W  ·  Тип входа: Стандарт  ·  Тип монтажа: Chassis Mount  ·  Корпус: Y3-Li
from 0,00Additional information
Find at suppliers
Buy in store
MID400-12E4TIXYSMOD IGBT RBSOA 1200V 425A Y3-LI
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 1200V  ·  Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 300A  ·  Ток коллектора (макс): 420A  ·  Мощность макcимальная: 1700W  ·  Тип входа: Стандарт  ·  Тип монтажа: Chassis Mount  ·  Корпус: Y3-Li
from 0,00Additional information
Find at suppliers
Buy in store
MID550-12A4IXYSMOD IGBT RBSOA 1200V 670A Y3-DCB
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 1200V  ·  Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 400A  ·  Ток коллектора (макс): 670A  ·  Мощность макcимальная: 2750W  ·  Тип входа: Стандарт  ·  Тип монтажа: Chassis Mount  ·  Корпус: Y3-DCB
from 0,00Additional information
Find at suppliers
Buy in store
MID75-12A3IXYSMOD IGBT RBSOA 1200V 900A Y3-DCB
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 1200V  ·  Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 50A  ·  Ток коллектора (макс): 90A  ·  Мощность макcимальная: 370W  ·  Тип входа: Стандарт  ·  Тип монтажа: Chassis Mount  ·  Корпус: Y4-M5
from 0,00Additional information
Find at suppliers
Buy in store
IXBH28N170AIXYSMOSFET N-CH 1700V 30A TO-247AD
Серия: BIMOSFET™  ·  Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 1700V  ·  Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 6V @ 15V, 14A  ·  Ток коллектора (макс): 30A  ·  Мощность макcимальная: 300Вт  ·  Тип входа: Стандарт  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-247AD
from 0,00Additional information
Find at suppliers
Buy in store
IXBR42N170IXYSMOSFET N-CH 1700V 32A ISOPLUS247
Серия: BIMOSFET™  ·  Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 1700V  ·  Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.9V @ 15V, 42A  ·  Ток коллектора (макс): 57A  ·  Мощность макcимальная: 200Вт  ·  Тип входа: Стандарт  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: ISOPLUS247™
from 0,00Additional information
Find at suppliers
Buy in store
STGF19NC60KDSTMicroelectronicsMOSFET N-CH 600V TO-220FP
Серия: PowerMESH™  ·  Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 600В  ·  Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.75V @ 15V, 12A  ·  Ток коллектора (макс): 16A  ·  Мощность макcимальная: 32Вт  ·  Тип входа: Стандарт  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-220-3 Full Pack (Straight Leads)
from 0,00Additional information
Find at suppliers
Buy in store
STGW30NC60WDSTGW30NC60WDSTMicroelectronicsMOSFET N-CH 60A 600V TO-247
Серия: PowerMESH™  ·  Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 600В  ·  Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 20A  ·  Ток коллектора (макс): 60A  ·  Мощность макcимальная: 200Вт  ·  Тип входа: Стандарт  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-247-3
from 0,00
to 0,00		Additional information
Find at suppliers
Buy in store
STGP18N40LZSTMicroelectronicsMOSFET N-CH CLAMPED 30A TO-220
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 420V  ·  Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 4.5V, 10A  ·  Ток коллектора (макс): 30A  ·  Мощность макcимальная: 150Вт  ·  Тип входа: Logic  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-220-3 Full Pack (Straight Leads)
from 0,00Additional information
Find at suppliers
Buy in store
IXGB200N60B3IXYSMOSFET N-CH PLUS264
Серия: GenX3™  ·  Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 600В  ·  Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.5V @ 15V, 100A  ·  Ток коллектора (макс): 75A  ·  Мощность макcимальная: 1250W  ·  Тип входа: Стандарт  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: ISOPLUS264™
from 0,00Additional information
Find at suppliers
Buy in store
STGB10NB60ST4STGB10NB60ST4STMicroelectronicsMOSFET N-CHAN 10A 600V D2PAK
Серия: PowerMESH™  ·  Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 600В  ·  Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 10A  ·  Ток коллектора (макс): 20A  ·  Мощность макcимальная: 80Вт  ·  Тип входа: Стандарт  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: D²Pak, TO-263 (2 leads + tab)
from 0,00Additional information
Find at suppliers
Buy in store
STGF10NB60SDSTGF10NB60SDSTMicroelectronicsMOSFET N-CHAN 10A 600V TO-220FP
Серия: PowerMESH™  ·  Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 600В  ·  Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 10A  ·  Ток коллектора (макс): 20A  ·  Мощность макcимальная: 25Вт  ·  Тип входа: Стандарт  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-220-3 Full Pack (Straight Leads)
from 0,00Additional information
Find at suppliers
Buy in store
STGP12NB60KDSTGP12NB60KDSTMicroelectronicsMOSFET N-CHAN 18A 600V TO-220
Серия: PowerMESH™  ·  Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 600В  ·  Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 12A  ·  Ток коллектора (макс): 30A  ·  Мощность макcимальная: 125Вт  ·  Тип входа: Стандарт  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-220-3 (Straight Leads)
from 0,00Additional information
Find at suppliers
Buy in store
STGP12NB60HDSTGP12NB60HDSTMicroelectronicsMOSFET N-CHAN 18A 600V TO-220
Серия: PowerMESH™  ·  Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 600В  ·  Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 12A  ·  Ток коллектора (макс): 30A  ·  Мощность макcимальная: 125Вт  ·  Тип входа: Стандарт  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-220-3 (Straight Leads)
from 0,00Additional information
Find at suppliers
Buy in store
STGP12NB60KSTGP12NB60KSTMicroelectronicsMOSFET N-CHAN 18A 600V TO-220
Серия: PowerMESH™  ·  Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 600В  ·  Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 12A  ·  Ток коллектора (макс): 30A  ·  Мощность макcимальная: 125Вт  ·  Тип входа: Стандарт  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-220-3 (Straight Leads)
from 0,00Additional information
Find at suppliers
Buy in store
STGW35NB60SDSTGW35NB60SDSTMicroelectronicsMOSFET N-CHAN 35A 600V TO-247
Серия: PowerMESH™  ·  Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 600В  ·  Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 20A  ·  Ток коллектора (макс): 70A  ·  Мощность макcимальная: 200Вт  ·  Тип входа: Стандарт  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-247-3
from 0,00Additional information
Find at suppliers
Buy in store
STGB3NB60SDT4STGB3NB60SDT4STMicroelectronicsMOSFET N-CHAN 3A 600V D2PAK
Серия: PowerMESH™  ·  Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 600В  ·  Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.5V @ 15V, 3A  ·  Ток коллектора (макс): 6A  ·  Мощность макcимальная: 70Вт  ·  Тип входа: Стандарт  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: D²Pak, TO-263 (2 leads + tab)
from 0,00Additional information
Find at suppliers
Buy in store
STGW40NC60WDSTGW40NC60WDSTMicroelectronicsMOSFET N-CHAN 650V 40A TO-247
Серия: PowerMESH™  ·  Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 600В  ·  Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 30A  ·  Ток коллектора (макс): 70A  ·  Мощность макcимальная: 250Вт  ·  Тип входа: Стандарт  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-247-3
from 0,00
to 0,00		Additional information
Find at suppliers
Buy in store
STGB3NB60KDT4STGB3NB60KDT4STMicroelectronicsMOSFET N-CHAN 6A 600V D2PAK
Серия: PowerMESH™  ·  Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 600В  ·  Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 3A  ·  Ток коллектора (макс): 10A  ·  Мощность макcимальная: 50Вт  ·  Тип входа: Стандарт  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: D²Pak, TO-263 (2 leads + tab)
from 0,00Additional information
Find at suppliers
Buy in store
STGD3NB60HDT4STGD3NB60HDT4STMicroelectronicsMOSFET N-CHAN 6A 600V DPAK
Серия: PowerMESH™  ·  Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 600В  ·  Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 3A  ·  Ток коллектора (макс): 10A  ·  Мощность макcимальная: 50Вт  ·  Тип входа: Стандарт  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63
from 0,00Additional information
Find at suppliers
Buy in store
STGP3NB60KDSTGP3NB60KDSTMicroelectronicsMOSFET N-CHAN 6A 600V TO-220
Серия: PowerMESH™  ·  Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 600В  ·  Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 3A  ·  Ток коллектора (макс): 6A  ·  Мощность макcимальная: 68Вт  ·  Тип входа: Стандарт  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-220-3 (Straight Leads)
from 0,00Additional information
Find at suppliers
Buy in store
STGP3NB60HDSTGP3NB60HDSTMicroelectronicsMOSFET N-CHAN 6A 600V TO-220
Серия: PowerMESH™  ·  Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 600В  ·  Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 3A  ·  Ток коллектора (макс): 6A  ·  Мощность макcимальная: 70Вт  ·  Тип входа: Стандарт  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-220-3 (Straight Leads)
Additional information
Find at suppliers
Buy in store
STGP3NB60KSTGP3NB60KSTMicroelectronicsMOSFET N-CHAN 6A 600V TO-220
Серия: PowerMESH™  ·  Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 600В  ·  Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 3A  ·  Ток коллектора (макс): 6A  ·  Мощность макcимальная: 68Вт  ·  Тип входа: Стандарт  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-220-3 (Straight Leads)
from 0,00Additional information
Find at suppliers
Buy in store
← Ctrl  1 ... 7071727374757677  Ctrl →
© 2006 — 2024 ChipFind Ltd.
Contact phone, e-mail, ICQ		 Catalog with parameters for 1,401,534 components Register • Advertising