Log in Register |
Photo | Name | Manufacturer | Technical parameters | Prices (rub.) | Buy |
DMN5L06VK-7 | Diodes Inc | MOSFET DUAL N-CHAN 50V SOT-563 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2 Ohm @ 50mA @ 5V · Напряжение (Vdss): 50V · Ток @ 25°C: 280mA · Емкость @ Vds: 50pF @ 25V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 250mW · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-563 | from 0,00 to 0,00 | Additional information Find at suppliers Buy in store | |
DI9945T | Diodes Inc | MOSFET 2N-CH 60V 3.5A 8-SOIC Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100 mOhm @ 3.5A, 10V · Напряжение (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 30nC @ 10V · Ток @ 25°C: 3.5A · Емкость @ Vds: 435pF @ 25V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Стандарт · Мощность макcимальная: 2Вт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина) | from 0,00 to 0,00 | Additional information Find at suppliers Buy in store | |
DMG9926USD-13 | Diodes Inc | MOSFET 2N-CH 20V 8A SOP8L Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24 mOhm @ 8.2A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 8.8nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 8A · Емкость @ Vds: 867pF @ 15V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 1.3W · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина) | from 0,00 to 0,00 | Additional information Find at suppliers Buy in store | |
BSS84DW-7 | Diodes Inc | MOSFET DUAL P-CHAN -50V SC70-6 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10 Ohm @ 100mA, 5V · Напряжение (Vdss): 50V · Ток @ 25°C: 130mA · Емкость @ Vds: 45pF @ 25V · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 300mW · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363 | Additional information Find at suppliers Buy in store | ||
ZXMHC10A07N8TC | Diodes Inc | MOSFET H-BRIDGE COMPL 8-SOIC Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700 mOhm @ 1.5A, 10V · Напряжение (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 2.9nC @ 10V · Ток @ 25°C: 800mA, 680mA · Емкость @ Vds: 138pF @ 60V · Полярность: 2 N and 2 P-Channel (H-Bridge) · Особенности: Стандарт · Мощность макcимальная: 870mW · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-SOIC | from 0,00 to 0,00 | Additional information Find at suppliers Buy in store | |
DMP58D0SV-7 | Diodes Inc | MOSFET P-CH 50V 160MA SOT-563 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8 Ohm @ 100mA, 5V · Напряжение (Vdss): 50V · Ток @ 25°C: 160mA · Емкость @ Vds: 27pF @ 25V · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 400мВт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-563 | from 0,00 to 0,00 | Additional information Find at suppliers Buy in store | |
2N7002VA-7-F | Diodes Inc | MOSFET DUAL N-CH 60V SOT-563 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5 Ohm @ 50mA, 5V · Напряжение (Vdss): 60V · Ток @ 25°C: 280mA · Емкость @ Vds: 50pF @ 25V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Стандарт · Мощность макcимальная: 150mW · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-563 | from 0,00 to 0,00 | Additional information Find at suppliers Buy in store | |
DMG8822UTS-13 | Diodes Inc | MOSFET ARRAY 20V 4.9A 8TSSOP Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25 mOhm @ 8.2A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 9.6nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 4.9A · Емкость @ Vds: 841pF @ 10V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 870mW · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-TSSOP | from 0,00 to 0,00 | Additional information Find at suppliers Buy in store | |
DMN5L06V-7 | Diodes Inc | MOSFET N-CH DUAL SOT-563 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3 Ohm @ 200mA, 2.7V · Напряжение (Vdss): 50V · Ток @ 25°C: 280mA · Емкость @ Vds: 50pF @ 25V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 150mW · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-563 | Additional information Find at suppliers Buy in store | ||
DMP3098LSD-13 | Diodes Inc | MOSFET P-CH 30V 4.4A 8-SOIC Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65 mOhm @ 5A, 10V · Напряжение (Vdss): 30В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 7.8nC @ 10V · Ток @ 25°C: 4.4A · Емкость @ Vds: 336pF @ 25V · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 1.8W · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина) | from 0,00 | Additional information Find at suppliers Buy in store | |
DMC2004VK-7 | Diodes Inc | MOSFET COMPL PAIR SOT-563 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550 mOhm @ 540mA, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Ток @ 25°C: 670mA, 530mA · Емкость @ Vds: 150pF @ 16V · Полярность: N and P-Channel · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 400мВт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-563 | from 0,00 to 0,00 | Additional information Find at suppliers Buy in store | |
DMN2040LTS-13 | Diodes Inc | MOSFET 2N-CH 20V 6.7A 8TSSOP Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26 mOhm @ 6A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 5.2nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 6.7A · Емкость @ Vds: 570pF @ 10V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 890mW · Тип монтажа: Поверхностный монтаж | from 0,00 to 0,00 | Additional information Find at suppliers Buy in store | |
ZXMD63C02XTA | Diodes/Zetex | MOSFET N+P 20V 1.7A 8-MSOP Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130 mOhm @ 1.7A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 6nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 2.4A, 1.7A · Емкость @ Vds: 350pF @ 15V · Полярность: N and P-Channel · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 1.04W · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-MSOP, Micro8™, 8-uMAX, 8-uSOP, | from 0,00 to 0,00 | Additional information Find at suppliers Buy in store | |
ZXMN3F31DN8TA | Diodes/Zetex | MOSFET N-CHAN 30V 8SOIC DUAL Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24 mOhm @ 7A, 10V · Напряжение (Vdss): 30В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 12.9nC @ 10V · Ток @ 25°C: 5.7A · Емкость @ Vds: 608pF @ 15V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 1.25W · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина) | from 0,00 to 0,00 | Additional information Find at suppliers Buy in store | |
ZXMHC3A01T8TA | Diodes/Zetex | MOSFET H-BRIDGE DUAL SOT223-8 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120 mOhm @ 2.5A, 10V · Напряжение (Vdss): 30В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 3.9nC @ 15V · Ток @ 25°C: 2.7A, 2A · Емкость @ Vds: 190pF @ 25V · Полярность: N and P-Channel · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 1.3W · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-223 (8 leads), SM8 | from 0,00 to 0,00 | Additional information Find at suppliers Buy in store | |
ZXMC4A16DN8TA | Diodes/Zetex | MOSFET N/P-CHAN DUAL 40V 8SOIC Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50 mOhm @ 4.5A, 10V · Напряжение (Vdss): 40В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 17nC @ 10V · Ток @ 25°C: 4A, 3.6A · Емкость @ Vds: 770pF @ 40V · Полярность: N and P-Channel · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 1.25W · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина) | from 0,00 to 0,00 | Additional information Find at suppliers Buy in store | |
ZXMN2AM832TA | Diodes/Zetex | MOSFET N-CHAN DUAL 20V 8MLP Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120 mOhm @ 4A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 3.1nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 2.9A · Емкость @ Vds: 299pF @ 15V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 1.5Вт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-MLP | from 0,00 to 0,00 | Additional information Find at suppliers Buy in store | |
ZXMC6A09DN8TA | Diodes/Zetex | MOSFET N+P 60V 4.8A 8-SOIC Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45 mOhm @ 8.2A, 10V · Напряжение (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 24.2nC @ 10V · Ток @ 25°C: 3.9A, 3.7A · Емкость @ Vds: 1407pF @ 40V · Полярность: N and P-Channel · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 1.25W · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина) | from 0,00 to 0,00 | Additional information Find at suppliers Buy in store | |
ZXMD65P03N8TA | Diodes/Zetex | MOSFET 2P-CH 30V 4.8MA 8-SOIC Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55 mOhm @ 4.9A, 10V · Напряжение (Vdss): 30В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 25.7nC @ 10V · Ток @ 25°C: 3.8A · Емкость @ Vds: 930pF @ 25V · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Стандарт · Мощность макcимальная: 1.25W · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина) | from 0,00 to 0,00 | Additional information Find at suppliers Buy in store | |
ZXMD63P02XTA | Diodes/Zetex | MOSFET 2P-CH 20V 1.7A 8-MSOP Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270 mOhm @ 1.2A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 5.25nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 1.7A · Емкость @ Vds: 290pF @ 15V · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 870mW · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-MSOP, Micro8™, 8-uMAX, 8-uSOP, | from 0,00 to 0,00 | Additional information Find at suppliers Buy in store | |
ZXMD63P02XTC | Diodes/Zetex | MOSFET DUAL P-CHAN 20V 8MSOP Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270 mOhm @ 1.2A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 5.25nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 1.7A · Емкость @ Vds: 290pF @ 15V · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 870mW · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-MSOP, Micro8™, 8-uMAX, 8-uSOP, | from 0,00 | Additional information Find at suppliers Buy in store | |
ZXMHC6A07T8TA | Diodes/Zetex | MOSFET H-BRIDGE N/P-CH 60V SM8 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300 mOhm @ 1.8A, 10V · Напряжение (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 3.2nC @ 10V · Ток @ 25°C: 1.6A, 1.3A · Емкость @ Vds: 166pF @ 40V · Полярность: N and P-Channel · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 1.3W · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-223 (8 leads), SM8 | from 0,00 to 0,00 | Additional information Find at suppliers Buy in store | |
DMC3028LSD-13 | Diodes/Zetex | MOSFET N+P 30V 5.5A SO8 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28 mOhm @ 6A, 10V · Напряжение (Vdss): 30В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 5.2nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 5.5A, 5.8A · Емкость @ Vds: 472pF @ 15V · Полярность: N and P-Channel · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 1.3W · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-SOP | from 0,00 to 0,00 | Additional information Find at suppliers Buy in store | |
ZXMN6A09DN8TA | Diodes/Zetex | MOSFET 2N-CH 60V 5.1A 8-SOIC Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40 mOhm @ 8.2A, 10V · Напряжение (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 24.2nC @ 5V · Ток @ 25°C: 4.3A · Емкость @ Vds: 1407pF @ 40V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 1.25W · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина) | from 0,00 to 0,00 | Additional information Find at suppliers Buy in store | |
ZXMC3AM832TA | Diodes/Zetex | MOSFET N+P 30V 2.7A 8MLP 3 X 2 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120 mOhm @ 2.5A, 10V · Напряжение (Vdss): 30В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 3.9nC @ 10V · Ток @ 25°C: 2.9A, 2.1A · Емкость @ Vds: 190pF @ 25V · Полярность: N and P-Channel · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 1.5Вт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-MLP | from 0,00 to 0,00 | Additional information Find at suppliers Buy in store |
© 2006 — 2024 ChipFind Ltd. Contact phone, e-mail, ICQ |
Catalog with parameters for 1,401,534 components | Register • Advertising |