Log in    Register
ChipFind Component Selection Catalog
For example: transistor, max232, lt319a
 

Дискретные полупроводники  ·  MOSFET транзисторы (сборки)

Производитель





















Серия
















Rds On (Max) @ Id, Vgs


















































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































Напряжение (Vdss)










































Gate Charge (Qg) @ Vgs

















































































































































































































































































































































































































Ток @ 25°C































































































































































































































































































































































































































Емкость @ Vds






















































































































































































































































































































































































































































































































































Полярность









Особенности

Мощность макcимальная































































































































Тип монтажа


Корпус










































































































 
PhotoNameManufacturerTechnical parametersPrices (rub.)Buy
NTQD6968NR2ON SemiconductorMOSFET 2N-CH 20V 7A 8-TSSOP
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22 mOhm @ 7A, 4.5V  ·  Напряжение (Vdss): 20В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 17nC @ 4.5V  ·  Ток @ 25°C: 6.2A  ·  Емкость @ Vds: 630pF @ 16V  ·  Полярность: 2 N-Channel (Dual)  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 1.39W  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: 8-TSSOP
Additional information
Find at suppliers
Buy in store
MTMC8E280LBFMTMC8E280LBFPanasonic - SSGMOSFET 2N-CH 20V 7A WMINI8
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21 mOhm @ 2A, 4.5V  ·  Напряжение (Vdss): 20В  ·  Ток @ 25°C: 7A  ·  Емкость @ Vds: 1500pF @ 10V  ·  Полярность: 2 N-Channel (Dual)  ·  Особенности: Стандарт  ·  Мощность макcимальная: 1Вт  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: WMini8-F1
from 0,00
to 0,00
Additional information
Find at suppliers
Buy in store
MTMC8E2A0LBFMTMC8E2A0LBFPanasonic - SSGMOSFET 2N-CH 20V 7A WMINI8
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21 mOhm @ 2A, 4.5V  ·  Напряжение (Vdss): 20В  ·  Ток @ 25°C: 7A  ·  Емкость @ Vds: 1450pF @ 10V  ·  Полярность: 2 N-Channel (Dual)  ·  Особенности: Стандарт  ·  Мощность макcимальная: 1Вт  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: WMini8-F1
from 0,00
to 0,00
Additional information
Find at suppliers
Buy in store
IRF8915PBFIRF8915PBFInternational RectifierMOSFET 2N-CH 20V 8.9A 8-SOIC
Серия: HEXFET®  ·  Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18.3 mOhm @ 8.9A, 10V  ·  Напряжение (Vdss): 20В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 7.4nC @ 4.5V  ·  Ток @ 25°C: 8.9A  ·  Емкость @ Vds: 540pF @ 10V  ·  Полярность: 2 N-Channel (Dual)  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 2Вт  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина)
from 0,00Additional information
Find at suppliers
Buy in store
IRF8915TRIRF8915TRInternational RectifierMOSFET 2N-CH 20V 8.9A 8-SOIC
Серия: HEXFET®  ·  Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18.3 mOhm @ 8.9A, 10V  ·  Напряжение (Vdss): 20В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 7.4nC @ 4.5V  ·  Ток @ 25°C: 8.9A  ·  Емкость @ Vds: 540pF @ 10V  ·  Полярность: 2 N-Channel (Dual)  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 2Вт  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина)
Additional information
Find at suppliers
Buy in store
IRF8915TRPBFIRF8915TRPBFInternational RectifierMOSFET 2N-CH 20V 8.9A 8-SOIC
Серия: HEXFET®  ·  Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18.3 mOhm @ 8.9A, 10V  ·  Напряжение (Vdss): 20В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 7.4nC @ 4.5V  ·  Ток @ 25°C: 8.9A  ·  Емкость @ Vds: 540pF @ 10V  ·  Полярность: 2 N-Channel (Dual)  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 2Вт  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина)
from 0,00Additional information
Find at suppliers
Buy in store
IRF8915IRF8915International RectifierMOSFET 2N-CH 20V 8.9A 8-SOIC
Серия: HEXFET®  ·  Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18.3 mOhm @ 8.9A, 10V  ·  Напряжение (Vdss): 20В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 7.4nC @ 4.5V  ·  Ток @ 25°C: 8.9A  ·  Емкость @ Vds: 540pF @ 10V  ·  Полярность: 2 N-Channel (Dual)  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 2Вт  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина)
Additional information
Find at suppliers
Buy in store
DMG9926USD-13Diodes IncMOSFET 2N-CH 20V 8A SOP8L
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24 mOhm @ 8.2A, 4.5V  ·  Напряжение (Vdss): 20В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 8.8nC @ 4.5V  ·  Ток @ 25°C: 8A  ·  Емкость @ Vds: 867pF @ 15V  ·  Полярность: 2 N-Channel (Dual)  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 1.3W  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина)
from 0,00
to 0,00
Additional information
Find at suppliers
Buy in store
MMDF2N02ER2MMDF2N02ER2ON SemiconductorMOSFET 2N-CH 25V 3.6A 8-SOIC
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100 mOhm @ 2.2A, 10V  ·  Напряжение (Vdss): 25V  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 30nC @ 10V  ·  Ток @ 25°C: 3.6A  ·  Емкость @ Vds: 532pF @ 16V  ·  Полярность: 2 N-Channel (Dual)  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 2Вт  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина)
Additional information
Find at suppliers
Buy in store
EM6K1T2REM6K1T2RRohm SemiconductorMOSFET 2N-CH 30V .1A EMT6
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8 Ohm @ 10mA, 4V  ·  Напряжение (Vdss): 30В  ·  Ток @ 25°C: 100mA  ·  Емкость @ Vds: 13pF @ 5V  ·  Полярность: 2 N-Channel (Dual)  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 150mW  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: EMT6
from 0,00
to 0,00
Additional information
Find at suppliers
Buy in store
UM5K1NTRUM5K1NTRRohm SemiconductorMOSFET 2N-CH 30V .1A SOT-353
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8 Ohm @ 10mA, 4V  ·  Напряжение (Vdss): 30В  ·  Ток @ 25°C: 100mA  ·  Емкость @ Vds: 13pF @ 5V  ·  Полярность: 2 N-Channel (Dual)  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 150mW  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SC-70-5, SC-88A, SOT-323-5, SOT-353, 5-TSSOP
from 0,00
to 0,00
Additional information
Find at suppliers
Buy in store
UM6K1NTRUM6K1NTRRohm SemiconductorMOSFET 2N-CH 30V .1A SOT-363
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8 Ohm @ 10mA, 4V  ·  Напряжение (Vdss): 30В  ·  Ток @ 25°C: 100mA  ·  Емкость @ Vds: 13pF @ 5V  ·  Полярность: 2 N-Channel (Dual)  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 150mW  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363
from 0,00
to 0,00
Additional information
Find at suppliers
Buy in store
UM6K1NTNUM6K1NTNRohm SemiconductorMOSFET 2N-CH 30V .1A SOT-363
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8 Ohm @ 10mA, 4V  ·  Напряжение (Vdss): 30В  ·  Ток @ 25°C: 100mA  ·  Емкость @ Vds: 13pF @ 5V  ·  Полярность: 2 N-Channel (Dual)  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 150mW  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363
from 0,00
to 0,00
Additional information
Find at suppliers
Buy in store
US6K2TRUS6K2TRRohm SemiconductorMOSFET 2N-CH 30V 1.4A TUMT6
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240 mOhm @ 1.4A, 10V  ·  Напряжение (Vdss): 30В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 2nC @ 5V  ·  Ток @ 25°C: 1.4A  ·  Емкость @ Vds: 70pF @ 10V  ·  Полярность: 2 N-Channel (Dual)  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 1Вт  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: TUMT6
from 0,00
to 0,00
Additional information
Find at suppliers
Buy in store
US5K3TRUS5K3TRRohm SemiconductorMOSFET 2N-CH 30V 1.5A TUMT5
Напряжение (Vdss): 30В  ·  Ток @ 25°C: 1.5A  ·  Полярность: 2 N-Channel (Dual)  ·  Особенности: Стандарт  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: TUMT5
Additional information
Find at suppliers
Buy in store
US6K1TRUS6K1TRRohm SemiconductorMOSFET 2N-CH 30V 1.5A TUMT6
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240 mOhm @ 1.5A, 4.5V  ·  Напряжение (Vdss): 30В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 2.2nC @ 4.5V  ·  Ток @ 25°C: 1.5A  ·  Емкость @ Vds: 80pF @ 10V  ·  Полярность: 2 N-Channel (Dual)  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 1Вт  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: TUMT6
from 0,00
to 0,00
Additional information
Find at suppliers
Buy in store
IRF7335D1TRIRF7335D1TRInternational RectifierMOSFET 2N-CH 30V 10A 14-SOIC
Серия: FETKY™  ·  Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.5 mOhm @ 10A, 4.5V  ·  Напряжение (Vdss): 30В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 20nC @ 4.5V  ·  Ток @ 25°C: 10A  ·  Емкость @ Vds: 1500pF @ 15V  ·  Полярность: 2 N-Channel (Dual)  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 2Вт  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: 14-SOIC (3.9мм ширина), 14-SOL
from 0,00Additional information
Find at suppliers
Buy in store
STS10DN3LH5STMicroelectronicsMOSFET 2N-CH 30V 10A 8-SOIC
Серия: STripFET™  ·  Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21 mOhm @ 5A, 10V  ·  Напряжение (Vdss): 30В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 4.6nC @ 5V  ·  Ток @ 25°C: 10A  ·  Емкость @ Vds: 475pF @ 25V  ·  Полярность: 2 N-Channel (Dual)  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 2.5Вт  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина)
from 0,00
to 0,00
Additional information
Find at suppliers
Buy in store
QS6K1TRQS6K1TRRohm SemiconductorMOSFET 2N-CH 30V 1A TSMT6
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 238 mOhm @ 1A, 4.5V  ·  Напряжение (Vdss): 30В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 2.4nC @ 4.5V  ·  Ток @ 25°C: 1A  ·  Емкость @ Vds: 77pF @ 10V  ·  Полярность: 2 N-Channel (Dual)  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 1.25W  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: TSMT6
from 0,00
to 0,00
Additional information
Find at suppliers
Buy in store
ZXMD63N03XTAZXMD63N03XTADiodes/ZetexMOSFET 2N-CH 30V 2.3A 8-MSOP
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 135 mOhm @ 1.7A, 10V  ·  Напряжение (Vdss): 30В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 8nC @ 10V  ·  Ток @ 25°C: 2.3A  ·  Емкость @ Vds: 290pF @ 25V  ·  Полярность: 2 N-Channel (Dual)  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 870mW  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: 8-MSOP, Micro8™, 8-uMAX, 8-uSOP,
from 0,00
to 0,00
Additional information
Find at suppliers
Buy in store
IRF7503TRIRF7503TRInternational RectifierMOSFET 2N-CH 30V 2.4A MICRO8
Серия: HEXFET®  ·  Rds On (Max) @ Id, Vgs: 135 mOhm @ 1.7A, 10V  ·  Напряжение (Vdss): 30В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 12nC @ 10V  ·  Ток @ 25°C: 2.4A  ·  Емкость @ Vds: 210pF @ 25V  ·  Полярность: 2 N-Channel (Dual)  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 1.25W  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: Micro8™
from 0,00Additional information
Find at suppliers
Buy in store
TT8K2TRRohm SemiconductorMOSFET 2N-CH 30V 2.5A TSST8
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90 mOhm @ 2.5A, 4.5V  ·  Напряжение (Vdss): 30В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 3.2nC @ 4.5V  ·  Ток @ 25°C: 2.5A  ·  Емкость @ Vds: 180pF @ 10V  ·  Полярность: 2 N-Channel (Dual)  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 1.25W  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: 8-TSST
from 0,00
to 0,00
Additional information
Find at suppliers
Buy in store
NTHD5902T1ON SemiconductorMOSFET 2N-CH 30V 2.9A CHIPFET
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85 mOhm @ 2.9A, 10V  ·  Напряжение (Vdss): 30В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 7.5 nC @ 10V  ·  Ток @ 25°C: 2.9A  ·  Полярность: 2 N-Channel (Dual)  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 1.1W  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: 8-ChipFET™
Additional information
Find at suppliers
Buy in store
NTHD4502NT1GNTHD4502NT1GON SemiconductorMOSFET 2N-CH 30V 2.9A CHIPFET
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85 mOhm @ 2.9A, 10V  ·  Напряжение (Vdss): 30В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 7nC @ 10V  ·  Ток @ 25°C: 2.2A  ·  Емкость @ Vds: 140pF @ 15V  ·  Полярность: 2 N-Channel (Dual)  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 640mW  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: 8-ChipFET™
from 0,00
to 0,00
Additional information
Find at suppliers
Buy in store
NTJD4001NT1GNTJD4001NT1GON SemiconductorMOSFET 2N-CH 30V 250MA SOT-363
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5 Ohm @ 10mA, 4V  ·  Напряжение (Vdss): 30В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 1.3nC @ 5V  ·  Ток @ 25°C: 250mA  ·  Емкость @ Vds: 33pF @ 5V  ·  Полярность: 2 N-Channel (Dual)  ·  Особенности: Стандарт  ·  Мощность макcимальная: 272mW  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363
from 0,00
to 0,00
Additional information
Find at suppliers
Buy in store
← Ctrl  12345678 ... 59  Ctrl →

© 2006 — 2024 ChipFind Ltd.
Contact phone, e-mail, ICQ
Catalog with parameters for 1,401,534 components RegisterAdvertising