Log in Register |
Photo | Name | Manufacturer | Technical parameters | Prices (rub.) | Buy |
NTQD6968NR2 | ON Semiconductor | MOSFET 2N-CH 20V 7A 8-TSSOP Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22 mOhm @ 7A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 17nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 6.2A · Емкость @ Vds: 630pF @ 16V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 1.39W · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-TSSOP | Additional information Find at suppliers Buy in store | ||
MTMC8E280LBF | Panasonic - SSG | MOSFET 2N-CH 20V 7A WMINI8 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21 mOhm @ 2A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Ток @ 25°C: 7A · Емкость @ Vds: 1500pF @ 10V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Стандарт · Мощность макcимальная: 1Вт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: WMini8-F1 | from 0,00 to 0,00 | Additional information Find at suppliers Buy in store | |
MTMC8E2A0LBF | Panasonic - SSG | MOSFET 2N-CH 20V 7A WMINI8 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21 mOhm @ 2A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Ток @ 25°C: 7A · Емкость @ Vds: 1450pF @ 10V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Стандарт · Мощность макcимальная: 1Вт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: WMini8-F1 | from 0,00 to 0,00 | Additional information Find at suppliers Buy in store | |
IRF8915PBF | International Rectifier | MOSFET 2N-CH 20V 8.9A 8-SOIC Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18.3 mOhm @ 8.9A, 10V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 7.4nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 8.9A · Емкость @ Vds: 540pF @ 10V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 2Вт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина) | from 0,00 | Additional information Find at suppliers Buy in store | |
IRF8915TR | International Rectifier | MOSFET 2N-CH 20V 8.9A 8-SOIC Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18.3 mOhm @ 8.9A, 10V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 7.4nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 8.9A · Емкость @ Vds: 540pF @ 10V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 2Вт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина) | Additional information Find at suppliers Buy in store | ||
IRF8915TRPBF | International Rectifier | MOSFET 2N-CH 20V 8.9A 8-SOIC Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18.3 mOhm @ 8.9A, 10V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 7.4nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 8.9A · Емкость @ Vds: 540pF @ 10V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 2Вт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина) | from 0,00 | Additional information Find at suppliers Buy in store | |
IRF8915 | International Rectifier | MOSFET 2N-CH 20V 8.9A 8-SOIC Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18.3 mOhm @ 8.9A, 10V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 7.4nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 8.9A · Емкость @ Vds: 540pF @ 10V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 2Вт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина) | Additional information Find at suppliers Buy in store | ||
DMG9926USD-13 | Diodes Inc | MOSFET 2N-CH 20V 8A SOP8L Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24 mOhm @ 8.2A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 8.8nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 8A · Емкость @ Vds: 867pF @ 15V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 1.3W · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина) | from 0,00 to 0,00 | Additional information Find at suppliers Buy in store | |
MMDF2N02ER2 | ON Semiconductor | MOSFET 2N-CH 25V 3.6A 8-SOIC Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100 mOhm @ 2.2A, 10V · Напряжение (Vdss): 25V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 30nC @ 10V · Ток @ 25°C: 3.6A · Емкость @ Vds: 532pF @ 16V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 2Вт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина) | Additional information Find at suppliers Buy in store | ||
EM6K1T2R | Rohm Semiconductor | MOSFET 2N-CH 30V .1A EMT6 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8 Ohm @ 10mA, 4V · Напряжение (Vdss): 30В · Ток @ 25°C: 100mA · Емкость @ Vds: 13pF @ 5V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 150mW · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: EMT6 | from 0,00 to 0,00 | Additional information Find at suppliers Buy in store | |
UM5K1NTR | Rohm Semiconductor | MOSFET 2N-CH 30V .1A SOT-353 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8 Ohm @ 10mA, 4V · Напряжение (Vdss): 30В · Ток @ 25°C: 100mA · Емкость @ Vds: 13pF @ 5V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 150mW · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SC-70-5, SC-88A, SOT-323-5, SOT-353, 5-TSSOP | from 0,00 to 0,00 | Additional information Find at suppliers Buy in store | |
UM6K1NTR | Rohm Semiconductor | MOSFET 2N-CH 30V .1A SOT-363 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8 Ohm @ 10mA, 4V · Напряжение (Vdss): 30В · Ток @ 25°C: 100mA · Емкость @ Vds: 13pF @ 5V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 150mW · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363 | from 0,00 to 0,00 | Additional information Find at suppliers Buy in store | |
UM6K1NTN | Rohm Semiconductor | MOSFET 2N-CH 30V .1A SOT-363 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8 Ohm @ 10mA, 4V · Напряжение (Vdss): 30В · Ток @ 25°C: 100mA · Емкость @ Vds: 13pF @ 5V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 150mW · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363 | from 0,00 to 0,00 | Additional information Find at suppliers Buy in store | |
US6K2TR | Rohm Semiconductor | MOSFET 2N-CH 30V 1.4A TUMT6 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240 mOhm @ 1.4A, 10V · Напряжение (Vdss): 30В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 2nC @ 5V · Ток @ 25°C: 1.4A · Емкость @ Vds: 70pF @ 10V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 1Вт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: TUMT6 | from 0,00 to 0,00 | Additional information Find at suppliers Buy in store | |
US5K3TR | Rohm Semiconductor | MOSFET 2N-CH 30V 1.5A TUMT5 Напряжение (Vdss): 30В · Ток @ 25°C: 1.5A · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Стандарт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: TUMT5 | Additional information Find at suppliers Buy in store | ||
US6K1TR | Rohm Semiconductor | MOSFET 2N-CH 30V 1.5A TUMT6 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240 mOhm @ 1.5A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 30В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 2.2nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 1.5A · Емкость @ Vds: 80pF @ 10V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 1Вт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: TUMT6 | from 0,00 to 0,00 | Additional information Find at suppliers Buy in store | |
IRF7335D1TR | International Rectifier | MOSFET 2N-CH 30V 10A 14-SOIC Серия: FETKY™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.5 mOhm @ 10A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 30В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 20nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 10A · Емкость @ Vds: 1500pF @ 15V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 2Вт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 14-SOIC (3.9мм ширина), 14-SOL | from 0,00 | Additional information Find at suppliers Buy in store | |
STS10DN3LH5 | STMicroelectronics | MOSFET 2N-CH 30V 10A 8-SOIC Серия: STripFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21 mOhm @ 5A, 10V · Напряжение (Vdss): 30В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 4.6nC @ 5V · Ток @ 25°C: 10A · Емкость @ Vds: 475pF @ 25V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 2.5Вт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина) | from 0,00 to 0,00 | Additional information Find at suppliers Buy in store | |
QS6K1TR | Rohm Semiconductor | MOSFET 2N-CH 30V 1A TSMT6 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 238 mOhm @ 1A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 30В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 2.4nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 1A · Емкость @ Vds: 77pF @ 10V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 1.25W · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: TSMT6 | from 0,00 to 0,00 | Additional information Find at suppliers Buy in store | |
ZXMD63N03XTA | Diodes/Zetex | MOSFET 2N-CH 30V 2.3A 8-MSOP Rds On (Max) @ Id, Vgs: 135 mOhm @ 1.7A, 10V · Напряжение (Vdss): 30В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 8nC @ 10V · Ток @ 25°C: 2.3A · Емкость @ Vds: 290pF @ 25V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 870mW · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-MSOP, Micro8™, 8-uMAX, 8-uSOP, | from 0,00 to 0,00 | Additional information Find at suppliers Buy in store | |
IRF7503TR | International Rectifier | MOSFET 2N-CH 30V 2.4A MICRO8 Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 135 mOhm @ 1.7A, 10V · Напряжение (Vdss): 30В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 12nC @ 10V · Ток @ 25°C: 2.4A · Емкость @ Vds: 210pF @ 25V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 1.25W · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: Micro8™ | from 0,00 | Additional information Find at suppliers Buy in store | |
TT8K2TR | Rohm Semiconductor | MOSFET 2N-CH 30V 2.5A TSST8 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90 mOhm @ 2.5A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 30В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 3.2nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 2.5A · Емкость @ Vds: 180pF @ 10V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 1.25W · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-TSST | from 0,00 to 0,00 | Additional information Find at suppliers Buy in store | |
NTHD5902T1 | ON Semiconductor | MOSFET 2N-CH 30V 2.9A CHIPFET Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85 mOhm @ 2.9A, 10V · Напряжение (Vdss): 30В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 7.5 nC @ 10V · Ток @ 25°C: 2.9A · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 1.1W · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-ChipFET™ | Additional information Find at suppliers Buy in store | ||
NTHD4502NT1G | ON Semiconductor | MOSFET 2N-CH 30V 2.9A CHIPFET Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85 mOhm @ 2.9A, 10V · Напряжение (Vdss): 30В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 7nC @ 10V · Ток @ 25°C: 2.2A · Емкость @ Vds: 140pF @ 15V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 640mW · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-ChipFET™ | from 0,00 to 0,00 | Additional information Find at suppliers Buy in store | |
NTJD4001NT1G | ON Semiconductor | MOSFET 2N-CH 30V 250MA SOT-363 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5 Ohm @ 10mA, 4V · Напряжение (Vdss): 30В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 1.3nC @ 5V · Ток @ 25°C: 250mA · Емкость @ Vds: 33pF @ 5V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Стандарт · Мощность макcимальная: 272mW · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363 | from 0,00 to 0,00 | Additional information Find at suppliers Buy in store |
© 2006 — 2024 ChipFind Ltd. Contact phone, e-mail, ICQ |
Catalog with parameters for 1,401,534 components | Register • Advertising |