Log in Register |
Photo | Name | Manufacturer | Technical parameters | Prices (rub.) | Buy |
BZX79-C3V3,113 | NXP Semiconductors | DIODE ZENER 3.3V 500MW DO-35 Напряжение Зенера номинальное: 3.3V · Прямое напряжение: 900mV @ 10mA · Обратный ток утечки: 5µA @ 1V · Допустимые отклонения емкости: ±5% · Мощность макcимальная: 500мВт · Полное сопротивление (импеданс): 95 Ohm · Тип монтажа: Through Hole, Axial · Корпус: DO-35, Axial · Operating Temperature: -65°C ~ 200°C | from 0,00 | Additional information Find at suppliers Buy in store | |
BZX79-C22,133 | NXP Semiconductors | DIODE ZENER 22V 500MW DO-35 Напряжение Зенера номинальное: 22V · Прямое напряжение: 900mV @ 10mA · Обратный ток утечки: 50nA @ 15.4V · Допустимые отклонения емкости: ±5% · Мощность макcимальная: 500мВт · Полное сопротивление (импеданс): 55 Ohm · Тип монтажа: Through Hole, Axial · Корпус: DO-35, Axial · Operating Temperature: -65°C ~ 200°C | from 0,00 | Additional information Find at suppliers Buy in store | |
BZX79-C11,113 | NXP Semiconductors | DIODE ZENER 11V 500MW DO-35 Напряжение Зенера номинальное: 11В · Прямое напряжение: 900mV @ 10mA · Обратный ток утечки: 100nA @ 8V · Допустимые отклонения емкости: ±5% · Мощность макcимальная: 500мВт · Полное сопротивление (импеданс): 20 Ohm · Тип монтажа: Through Hole, Axial · Корпус: DO-35, Axial · Operating Temperature: -65°C ~ 200°C | from 0,00 | Additional information Find at suppliers Buy in store | |
BZX79-C8V2,133 | NXP Semiconductors | DIODE ZENER 8.2V 500MW DO-35 Напряжение Зенера номинальное: 8.2V · Прямое напряжение: 900mV @ 10mA · Обратный ток утечки: 700nA @ 5V · Допустимые отклонения емкости: ±5% · Мощность макcимальная: 500мВт · Полное сопротивление (импеданс): 15 Ohm · Тип монтажа: Through Hole, Axial · Корпус: DO-35, Axial · Operating Temperature: -65°C ~ 200°C | from 0,00 | Additional information Find at suppliers Buy in store | |
BZX79-C33,133 | NXP Semiconductors | DIODE ZENER 33V 500MW DO-35 Напряжение Зенера номинальное: 33V · Прямое напряжение: 900mV @ 10mA · Обратный ток утечки: 50nA @ 23.1V · Допустимые отклонения емкости: ±5% · Мощность макcимальная: 500мВт · Полное сопротивление (импеданс): 80 Ohm · Тип монтажа: Through Hole, Axial · Корпус: DO-35, Axial · Operating Temperature: -65°C ~ 200°C | from 0,00 | Additional information Find at suppliers Buy in store | |
BZX79-C43,133 | NXP Semiconductors | DIODE ZENER 43V 500MW DO-35 Напряжение Зенера номинальное: 43V · Прямое напряжение: 900mV @ 10mA · Обратный ток утечки: 50nA @ 30.1V · Допустимые отклонения емкости: ±5% · Мощность макcимальная: 500мВт · Полное сопротивление (импеданс): 150 Ohm · Тип монтажа: Through Hole, Axial · Корпус: DO-35, Axial · Operating Temperature: -65°C ~ 200°C | from 0,00 | Additional information Find at suppliers Buy in store | |
BZX79-C15,133 | NXP Semiconductors | DIODE ZENER 15V 500MW DO-35 Напряжение Зенера номинальное: 15V · Прямое напряжение: 900mV @ 10mA · Обратный ток утечки: 50nA @ 10.5V · Допустимые отклонения емкости: ±5% · Мощность макcимальная: 500мВт · Полное сопротивление (импеданс): 30 Ohm · Тип монтажа: Through Hole, Axial · Корпус: DO-35, Axial · Operating Temperature: -65°C ~ 200°C | from 0,00 | Additional information Find at suppliers Buy in store | |
BZX79-C6V8,133 | NXP Semiconductors | DIODE ZENER 6.8V 500MW DO-35 Напряжение Зенера номинальное: 6.8V · Прямое напряжение: 900mV @ 10mA · Обратный ток утечки: 2µA @ 4V · Допустимые отклонения емкости: ±5% · Мощность макcимальная: 500мВт · Полное сопротивление (импеданс): 15 Ohm · Тип монтажа: Through Hole, Axial · Корпус: DO-35, Axial · Operating Temperature: -65°C ~ 200°C | from 0,00 | Additional information Find at suppliers Buy in store | |
BZX79-C22,113 | NXP Semiconductors | DIODE ZENER 22V 500MW DO-35 Напряжение Зенера номинальное: 22V · Прямое напряжение: 900mV @ 10mA · Обратный ток утечки: 50nA @ 15.4V · Допустимые отклонения емкости: ±5% · Мощность макcимальная: 500мВт · Полное сопротивление (импеданс): 55 Ohm · Тип монтажа: Through Hole, Axial · Корпус: DO-35, Axial · Operating Temperature: -65°C ~ 200°C | from 0,00 | Additional information Find at suppliers Buy in store | |
BZX79-C9V1,113 | NXP Semiconductors | DIODE ZENER 9.1V 500MW DO-35 Напряжение Зенера номинальное: 9.1V · Прямое напряжение: 900mV @ 10mA · Обратный ток утечки: 500nA @ 6V · Допустимые отклонения емкости: ±5% · Мощность макcимальная: 500мВт · Полное сопротивление (импеданс): 15 Ohm · Тип монтажа: Through Hole, Axial · Корпус: DO-35, Axial · Operating Temperature: -65°C ~ 200°C | from 0,00 | Additional information Find at suppliers Buy in store | |
BZX79-C43,113 | NXP Semiconductors | DIODE ZENER 43V 500MW DO-35 Напряжение Зенера номинальное: 43V · Прямое напряжение: 900mV @ 10mA · Обратный ток утечки: 50nA @ 30.1V · Допустимые отклонения емкости: ±5% · Мощность макcимальная: 500мВт · Полное сопротивление (импеданс): 150 Ohm · Тип монтажа: Through Hole, Axial · Корпус: DO-35, Axial · Operating Temperature: -65°C ~ 200°C | from 0,00 | Additional information Find at suppliers Buy in store | |
BZX79-C39,133 | NXP Semiconductors | DIODE ZENER 39V 500MW DO-35 Напряжение Зенера номинальное: 39V · Прямое напряжение: 900mV @ 10mA · Обратный ток утечки: 50nA @ 27.3V · Допустимые отклонения емкости: ±5% · Мощность макcимальная: 500мВт · Полное сопротивление (импеданс): 130 Ohm · Тип монтажа: Through Hole, Axial · Корпус: DO-35, Axial · Operating Temperature: -65°C ~ 200°C | from 0,00 | Additional information Find at suppliers Buy in store | |
BZX79-C6V8,113 | NXP Semiconductors | DIODE ZENER 6.8V 500MW DO-35 Напряжение Зенера номинальное: 6.8V · Прямое напряжение: 900mV @ 10mA · Обратный ток утечки: 2µA @ 4V · Допустимые отклонения емкости: ±5% · Мощность макcимальная: 500мВт · Полное сопротивление (импеданс): 15 Ohm · Тип монтажа: Through Hole, Axial · Корпус: DO-35, Axial · Operating Temperature: -65°C ~ 200°C | from 0,00 | Additional information Find at suppliers Buy in store | |
BZX79-C24,113 | NXP Semiconductors | DIODE ZENER 24V 500MW DO-35 Напряжение Зенера номинальное: 24V · Прямое напряжение: 900mV @ 10mA · Обратный ток утечки: 50nA @ 16.8V · Допустимые отклонения емкости: ±5% · Мощность макcимальная: 500мВт · Полное сопротивление (импеданс): 70 Ohm · Тип монтажа: Through Hole, Axial · Корпус: DO-35, Axial · Operating Temperature: -65°C ~ 200°C | from 0,00 | Additional information Find at suppliers Buy in store | |
BZX79-C6V2,133 | NXP Semiconductors | DIODE ZENER 6.2V 500MW DO-35 Напряжение Зенера номинальное: 6.2V · Прямое напряжение: 900mV @ 10mA · Обратный ток утечки: 3µA @ 4V · Допустимые отклонения емкости: ±5% · Мощность макcимальная: 500мВт · Полное сопротивление (импеданс): 10 Ohm · Тип монтажа: Through Hole, Axial · Корпус: DO-35, Axial · Operating Temperature: -65°C ~ 200°C | from 0,00 | Additional information Find at suppliers Buy in store | |
BZX79-C12,113 | NXP Semiconductors | DIODE ZENER 12V 500MW DO-35 Напряжение Зенера номинальное: 12В · Прямое напряжение: 900mV @ 10mA · Обратный ток утечки: 100nA @ 8V · Допустимые отклонения емкости: ±5% · Мощность макcимальная: 500мВт · Полное сопротивление (импеданс): 25 Ohm · Тип монтажа: Through Hole, Axial · Корпус: DO-35, Axial · Operating Temperature: -65°C ~ 200°C | from 0,00 | Additional information Find at suppliers Buy in store | |
BZX79-C47,133 | NXP Semiconductors | DIODE ZENER 47V 500MW DO-35 Напряжение Зенера номинальное: 47V · Прямое напряжение: 900mV @ 10mA · Обратный ток утечки: 50nA @ 32.9V · Допустимые отклонения емкости: ±5% · Мощность макcимальная: 500мВт · Полное сопротивление (импеданс): 170 Ohm · Тип монтажа: Through Hole, Axial · Корпус: DO-35, Axial · Operating Temperature: -65°C ~ 200°C | from 0,00 | Additional information Find at suppliers Buy in store | |
BZX79-C18,133 | NXP Semiconductors | DIODE ZENER 18V 500MW DO-35 Напряжение Зенера номинальное: 18В · Прямое напряжение: 900mV @ 10mA · Обратный ток утечки: 50nA @ 12.6V · Допустимые отклонения емкости: ±5% · Мощность макcимальная: 500мВт · Полное сопротивление (импеданс): 45 Ohm · Тип монтажа: Through Hole, Axial · Корпус: DO-35, Axial · Operating Temperature: -65°C ~ 200°C | from 0,00 | Additional information Find at suppliers Buy in store | |
BZX79-C4V7,133 | NXP Semiconductors | DIODE ZENER 4.7V 500MW DO-35 Напряжение Зенера номинальное: 4.7V · Прямое напряжение: 900mV @ 10mA · Обратный ток утечки: 3µA @ 2V · Допустимые отклонения емкости: ±5% · Мощность макcимальная: 500мВт · Полное сопротивление (импеданс): 80 Ohm · Тип монтажа: Through Hole, Axial · Корпус: DO-35, Axial · Operating Temperature: -65°C ~ 200°C | from 0,00 | Additional information Find at suppliers Buy in store | |
BZX79-C5V1,133 | NXP Semiconductors | DIODE ZENER 5.1V 500MW DO-35 Напряжение Зенера номинальное: 5.1V · Прямое напряжение: 900mV @ 10mA · Обратный ток утечки: 2µA @ 2V · Допустимые отклонения емкости: ±5% · Мощность макcимальная: 500мВт · Полное сопротивление (импеданс): 60 Ohm · Тип монтажа: Through Hole, Axial · Корпус: DO-35, Axial · Operating Temperature: -65°C ~ 200°C | from 0,00 | Additional information Find at suppliers Buy in store | |
BZX79-C2V7,133 | NXP Semiconductors | DIODE ZENER 2.7V 500MW DO-35 Напряжение Зенера номинальное: 2.7V · Прямое напряжение: 900mV @ 10mA · Обратный ток утечки: 20µA @ 1V · Допустимые отклонения емкости: ±5% · Мощность макcимальная: 500мВт · Полное сопротивление (импеданс): 100 Ohm · Тип монтажа: Through Hole, Axial · Корпус: DO-35, Axial · Operating Temperature: -65°C ~ 200°C | from 0,00 | Additional information Find at suppliers Buy in store | |
BZX79-C75,133 | NXP Semiconductors | DIODE ZENER 75V 500MW DO-35 Напряжение Зенера номинальное: 75V · Прямое напряжение: 900mV @ 10mA · Обратный ток утечки: 50nA @ 52.5V · Допустимые отклонения емкости: ±5% · Мощность макcимальная: 500мВт · Полное сопротивление (импеданс): 255 Ohm · Тип монтажа: Through Hole, Axial · Корпус: DO-35, Axial · Operating Temperature: -65°C ~ 200°C | from 0,00 | Additional information Find at suppliers Buy in store | |
BZX79-C75,113 | NXP Semiconductors | DIODE ZENER 75V 500MW DO-35 Напряжение Зенера номинальное: 75V · Прямое напряжение: 900mV @ 10mA · Обратный ток утечки: 50nA @ 52.5V · Допустимые отклонения емкости: ±5% · Мощность макcимальная: 500мВт · Полное сопротивление (импеданс): 255 Ohm · Тип монтажа: Through Hole, Axial · Корпус: DO-35, Axial · Operating Temperature: -65°C ~ 200°C | from 0,00 | Additional information Find at suppliers Buy in store | |
BZX79-C20,113 | NXP Semiconductors | DIODE ZENER 20V 500MW DO-35 Напряжение Зенера номинальное: 20В · Прямое напряжение: 900mV @ 10mA · Обратный ток утечки: 50nA @ 14V · Допустимые отклонения емкости: ±5% · Мощность макcимальная: 500мВт · Полное сопротивление (импеданс): 55 Ohm · Тип монтажа: Through Hole, Axial · Корпус: DO-35, Axial · Operating Temperature: -65°C ~ 200°C | from 0,00 | Additional information Find at suppliers Buy in store | |
BZX79-C15,113 | NXP Semiconductors | DIODE ZENER 15V 500MW DO-35 Напряжение Зенера номинальное: 15V · Прямое напряжение: 900mV @ 10mA · Обратный ток утечки: 50nA @ 10.5V · Допустимые отклонения емкости: ±5% · Мощность макcимальная: 500мВт · Полное сопротивление (импеданс): 30 Ohm · Тип монтажа: Through Hole, Axial · Корпус: DO-35, Axial · Operating Temperature: -65°C ~ 200°C | from 0,00 | Additional information Find at suppliers Buy in store |
© 2006 — 2024 ChipFind Ltd. Contact phone, e-mail, ICQ |
Catalog with parameters for 1,401,534 components | Register • Advertising |