Log in    Register
ChipFind Component Selection Catalog
For example: transistor, max232, lt319a
 

Дискретные полупроводники  ·  Диоды Зеннера (одиночные)

Производитель












Серия

Напряжение Зенера номинальное

















































































Прямое напряжение

















Обратный ток утечки




























































































































































































































































































































































































































































































































































































































































Допустимые отклонения емкости




































Мощность макcимальная

























Полное сопротивление (импеданс)


























































































































































Тип монтажа


Корпус



























































 
PhotoNameManufacturerTechnical parametersPrices (rub.)Buy
1N4743A,133NXP SemiconductorsDIODE VREG 13V 69MA DO-41
Напряжение Зенера номинальное: 13V  ·  Прямое напряжение: 1.2V @ 200mA  ·  Обратный ток утечки: 5µA @ 9.9V  ·  Допустимые отклонения емкости: ±5%  ·  Мощность макcимальная: 1Вт  ·  Полное сопротивление (импеданс): 10 Ohm  ·  Тип монтажа: Through Hole, Axial  ·  Корпус: DO-41, Axial  ·  Operating Temperature: -65°C ~ 200°C
from 0,00Additional information
Find at suppliers
Buy in store
BZV85-C15,133NXP SemiconductorsDIODE VREG 15V 1.3W DO-41
Напряжение Зенера номинальное: 15V  ·  Прямое напряжение: 1V @ 50mA  ·  Обратный ток утечки: 50nA @ 10.5V  ·  Допустимые отклонения емкости: ±5%  ·  Мощность макcимальная: 1.3W  ·  Полное сопротивление (импеданс): 15 Ohm  ·  Тип монтажа: Through Hole, Axial  ·  Корпус: DO-41, Axial  ·  Operating Temperature: -65°C ~ 200°C
from 0,00Additional information
Find at suppliers
Buy in store
BZX84-A15,215NXP SemiconductorsDIODE VREG 15V 250MW SOT-23
Напряжение Зенера номинальное: 15V  ·  Прямое напряжение: 900mV @ 10mA  ·  Обратный ток утечки: 50nA @ 10.5V  ·  Допустимые отклонения емкости: ±1%  ·  Мощность макcимальная: 250mW  ·  Полное сопротивление (импеданс): 30 Ohm  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3  ·  Operating Temperature: -65°C ~ 150°C
from 0,00Additional information
Find at suppliers
Buy in store
BZX79-B15,143NXP SemiconductorsDIODE VREG 15V 500MW DO-35
Напряжение Зенера номинальное: 15V  ·  Прямое напряжение: 900mV @ 10mA  ·  Обратный ток утечки: 50nA @ 10.5V  ·  Допустимые отклонения емкости: ±2%  ·  Мощность макcимальная: 400мВт  ·  Полное сопротивление (импеданс): 30 Ohm  ·  Тип монтажа: Through Hole, Axial  ·  Корпус: DO-35, Axial  ·  Operating Temperature: -65°C ~ 200°C
from 0,00Additional information
Find at suppliers
Buy in store
BZX79-C15,143NXP SemiconductorsDIODE VREG 15V 500MW DO-35
Напряжение Зенера номинальное: 15V  ·  Прямое напряжение: 900mV @ 10mA  ·  Обратный ток утечки: 50nA @ 10.5V  ·  Допустимые отклонения емкости: ±5%  ·  Мощность макcимальная: 400мВт  ·  Полное сопротивление (импеданс): 30 Ohm  ·  Тип монтажа: Through Hole, Axial  ·  Корпус: DO-35, Axial  ·  Operating Temperature: -65°C ~ 200°C
from 0,00Additional information
Find at suppliers
Buy in store
1N4744A,133NXP SemiconductorsDIODE VREG 15V 61MA DO-41
Напряжение Зенера номинальное: 15V  ·  Прямое напряжение: 1.2V @ 200mA  ·  Обратный ток утечки: 5µA @ 11.4V  ·  Допустимые отклонения емкости: ±5%  ·  Мощность макcимальная: 1Вт  ·  Полное сопротивление (импеданс): 14 Ohm  ·  Тип монтажа: Through Hole, Axial  ·  Корпус: DO-41, Axial  ·  Operating Temperature: -65°C ~ 200°C
from 0,00Additional information
Find at suppliers
Buy in store
BZV85-C16,133NXP SemiconductorsDIODE VREG 16V 1.3W DO-41
Напряжение Зенера номинальное: 16V  ·  Прямое напряжение: 1V @ 50mA  ·  Обратный ток утечки: 50nA @ 11V  ·  Допустимые отклонения емкости: ±5%  ·  Мощность макcимальная: 1.3W  ·  Полное сопротивление (импеданс): 15 Ohm  ·  Тип монтажа: Through Hole, Axial  ·  Корпус: DO-41, Axial  ·  Operating Temperature: -65°C ~ 200°C
from 0,00Additional information
Find at suppliers
Buy in store
BZX79-C16,143NXP SemiconductorsDIODE VREG 16V 500MW DO-35
Напряжение Зенера номинальное: 16V  ·  Прямое напряжение: 900mV @ 10mA  ·  Обратный ток утечки: 50nA @ 11.2V  ·  Допустимые отклонения емкости: ±5%  ·  Мощность макcимальная: 400мВт  ·  Полное сопротивление (импеданс): 40 Ohm  ·  Тип монтажа: Through Hole, Axial  ·  Корпус: DO-35, Axial  ·  Operating Temperature: -65°C ~ 200°C
from 0,00Additional information
Find at suppliers
Buy in store
BZX79-B16,143NXP SemiconductorsDIODE VREG 16V 500MW DO-35
Напряжение Зенера номинальное: 16V  ·  Прямое напряжение: 900mV @ 10mA  ·  Обратный ток утечки: 50nA @ 11.2V  ·  Допустимые отклонения емкости: ±2%  ·  Мощность макcимальная: 400мВт  ·  Полное сопротивление (импеданс): 40 Ohm  ·  Тип монтажа: Through Hole, Axial  ·  Корпус: DO-35, Axial  ·  Operating Temperature: -65°C ~ 200°C
from 0,00Additional information
Find at suppliers
Buy in store
1N4745A,133NXP SemiconductorsDIODE VREG 16V 57MA DO-41
Напряжение Зенера номинальное: 16V  ·  Прямое напряжение: 1.2V @ 200mA  ·  Обратный ток утечки: 5µA @ 12.2V  ·  Допустимые отклонения емкости: ±5%  ·  Мощность макcимальная: 1Вт  ·  Полное сопротивление (импеданс): 16 Ohm  ·  Тип монтажа: Through Hole, Axial  ·  Корпус: DO-41, Axial  ·  Operating Temperature: -65°C ~ 200°C
from 0,00Additional information
Find at suppliers
Buy in store
BZV85-C18,133NXP SemiconductorsDIODE VREG 18V 1.3W DO-41
Напряжение Зенера номинальное: 18В  ·  Прямое напряжение: 1V @ 50mA  ·  Обратный ток утечки: 50nA @ 12.5V  ·  Допустимые отклонения емкости: ±5%  ·  Мощность макcимальная: 1.3W  ·  Полное сопротивление (импеданс): 20 Ohm  ·  Тип монтажа: Through Hole, Axial  ·  Корпус: DO-41, Axial  ·  Operating Temperature: -65°C ~ 200°C
from 0,00Additional information
Find at suppliers
Buy in store
BZX79-C18,143NXP SemiconductorsDIODE VREG 18V 500MW DO-35
Напряжение Зенера номинальное: 18В  ·  Прямое напряжение: 900mV @ 10mA  ·  Обратный ток утечки: 50nA @ 12.6V  ·  Допустимые отклонения емкости: ±5%  ·  Мощность макcимальная: 400мВт  ·  Полное сопротивление (импеданс): 45 Ohm  ·  Тип монтажа: Through Hole, Axial  ·  Корпус: DO-35, Axial  ·  Operating Temperature: -65°C ~ 200°C
from 0,00Additional information
Find at suppliers
Buy in store
BZX79-B18,143NXP SemiconductorsDIODE VREG 18V 500MW DO-35
Напряжение Зенера номинальное: 18В  ·  Прямое напряжение: 900mV @ 10mA  ·  Обратный ток утечки: 50nA @ 12.6V  ·  Допустимые отклонения емкости: ±2%  ·  Мощность макcимальная: 400мВт  ·  Полное сопротивление (импеданс): 45 Ohm  ·  Тип монтажа: Through Hole, Axial  ·  Корпус: DO-35, Axial  ·  Operating Temperature: -65°C ~ 200°C
from 0,00Additional information
Find at suppliers
Buy in store
1N4746A,133NXP SemiconductorsDIODE VREG 18V 50MA DO-41
Напряжение Зенера номинальное: 18В  ·  Прямое напряжение: 1.2V @ 200mA  ·  Обратный ток утечки: 5µA @ 13.7V  ·  Допустимые отклонения емкости: ±5%  ·  Мощность макcимальная: 1Вт  ·  Полное сопротивление (импеданс): 20 Ohm  ·  Тип монтажа: Through Hole, Axial  ·  Корпус: DO-41, Axial  ·  Operating Temperature: -65°C ~ 200°C
from 0,00Additional information
Find at suppliers
Buy in store
BZX84-A2V4,215NXP SemiconductorsDIODE VREG 2.4V 250MW SOT-23
Напряжение Зенера номинальное: 2.4V  ·  Прямое напряжение: 900mV @ 10mA  ·  Обратный ток утечки: 50µA @ 1V  ·  Допустимые отклонения емкости: ±1%  ·  Мощность макcимальная: 250mW  ·  Полное сопротивление (импеданс): 100 Ohm  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3  ·  Operating Temperature: -65°C ~ 150°C
from 0,00Additional information
Find at suppliers
Buy in store
BZX79-B2V4,143NXP SemiconductorsDIODE VREG 2.4V 500MW DO-35
Напряжение Зенера номинальное: 2.4V  ·  Прямое напряжение: 900mV @ 10mA  ·  Обратный ток утечки: 50µA @ 1V  ·  Допустимые отклонения емкости: ±2%  ·  Мощность макcимальная: 400мВт  ·  Полное сопротивление (импеданс): 100 Ohm  ·  Тип монтажа: Through Hole, Axial  ·  Корпус: DO-35, Axial  ·  Operating Temperature: -65°C ~ 200°C
from 0,00Additional information
Find at suppliers
Buy in store
BZX79-C2V4,143NXP SemiconductorsDIODE VREG 2.4V 500MW DO-35
Напряжение Зенера номинальное: 2.4V  ·  Прямое напряжение: 900mV @ 10mA  ·  Обратный ток утечки: 50µA @ 1V  ·  Допустимые отклонения емкости: ±5%  ·  Мощность макcимальная: 400мВт  ·  Полное сопротивление (импеданс): 100 Ohm  ·  Тип монтажа: Through Hole, Axial  ·  Корпус: DO-35, Axial  ·  Operating Temperature: -65°C ~ 200°C
from 0,00Additional information
Find at suppliers
Buy in store
BZX84-A2V7,215NXP SemiconductorsDIODE VREG 2.7V 250MW SOT-23
Напряжение Зенера номинальное: 2.7V  ·  Прямое напряжение: 900mV @ 10mA  ·  Обратный ток утечки: 20µA @ 1V  ·  Допустимые отклонения емкости: ±1%  ·  Мощность макcимальная: 250mW  ·  Полное сопротивление (импеданс): 100 Ohm  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3  ·  Operating Temperature: -65°C ~ 150°C
from 0,00Additional information
Find at suppliers
Buy in store
BZX79-C2V7,143NXP SemiconductorsDIODE VREG 2.7V 500MW DO-35
Напряжение Зенера номинальное: 2.7V  ·  Прямое напряжение: 900mV @ 10mA  ·  Обратный ток утечки: 20µA @ 1V  ·  Допустимые отклонения емкости: ±5%  ·  Мощность макcимальная: 400мВт  ·  Полное сопротивление (импеданс): 100 Ohm  ·  Тип монтажа: Through Hole, Axial  ·  Корпус: DO-35, Axial  ·  Operating Temperature: -65°C ~ 200°C
from 0,00Additional information
Find at suppliers
Buy in store
BZX79-B2V7,143NXP SemiconductorsDIODE VREG 2.7V 500MW DO-35
Напряжение Зенера номинальное: 2.7V  ·  Прямое напряжение: 900mV @ 10mA  ·  Обратный ток утечки: 20µA @ 1V  ·  Допустимые отклонения емкости: ±2%  ·  Мощность макcимальная: 400мВт  ·  Полное сопротивление (импеданс): 100 Ohm  ·  Тип монтажа: Through Hole, Axial  ·  Корпус: DO-35, Axial  ·  Operating Temperature: -65°C ~ 200°C
from 0,00Additional information
Find at suppliers
Buy in store
BZV85-C20,133NXP SemiconductorsDIODE VREG 20V 1.3W DO-41
Напряжение Зенера номинальное: 20В  ·  Прямое напряжение: 1V @ 50mA  ·  Обратный ток утечки: 50nA @ 14V  ·  Допустимые отклонения емкости: ±5%  ·  Мощность макcимальная: 1.3W  ·  Полное сопротивление (импеданс): 24 Ohm  ·  Тип монтажа: Through Hole, Axial  ·  Корпус: DO-41, Axial  ·  Operating Temperature: -65°C ~ 200°C
from 0,00Additional information
Find at suppliers
Buy in store
BZX84-A20,215NXP SemiconductorsDIODE VREG 20V 250MW SOT-23
Напряжение Зенера номинальное: 20В  ·  Прямое напряжение: 900mV @ 10mA  ·  Обратный ток утечки: 50nA @ 14V  ·  Допустимые отклонения емкости: ±1%  ·  Мощность макcимальная: 250mW  ·  Полное сопротивление (импеданс): 55 Ohm  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3  ·  Operating Temperature: -65°C ~ 150°C
from 0,00Additional information
Find at suppliers
Buy in store
1N4747A,133NXP SemiconductorsDIODE VREG 20V 45MA DO-41
Напряжение Зенера номинальное: 20В  ·  Прямое напряжение: 1.2V @ 200mA  ·  Обратный ток утечки: 5µA @ 15.2V  ·  Допустимые отклонения емкости: ±5%  ·  Мощность макcимальная: 1Вт  ·  Полное сопротивление (импеданс): 22 Ohm  ·  Тип монтажа: Through Hole, Axial  ·  Корпус: DO-41, Axial  ·  Operating Temperature: -65°C ~ 200°C
from 0,00Additional information
Find at suppliers
Buy in store
BZX79-B20,143NXP SemiconductorsDIODE VREG 20V 500MW DO-35
Напряжение Зенера номинальное: 20В  ·  Прямое напряжение: 900mV @ 10mA  ·  Обратный ток утечки: 50nA @ 14V  ·  Допустимые отклонения емкости: ±2%  ·  Мощность макcимальная: 400мВт  ·  Полное сопротивление (импеданс): 55 Ohm  ·  Тип монтажа: Through Hole, Axial  ·  Корпус: DO-35, Axial  ·  Operating Temperature: -65°C ~ 200°C
from 0,00Additional information
Find at suppliers
Buy in store
BZX79-C20,143NXP SemiconductorsDIODE VREG 20V 500MW DO-35
Напряжение Зенера номинальное: 20В  ·  Прямое напряжение: 900mV @ 10mA  ·  Обратный ток утечки: 50nA @ 14V  ·  Допустимые отклонения емкости: ±5%  ·  Мощность макcимальная: 400мВт  ·  Полное сопротивление (импеданс): 55 Ohm  ·  Тип монтажа: Through Hole, Axial  ·  Корпус: DO-35, Axial  ·  Operating Temperature: -65°C ~ 200°C
from 0,00Additional information
Find at suppliers
Buy in store
← Ctrl  12345678 ... 304  Ctrl →

© 2006 — 2024 ChipFind Ltd.
Contact phone, e-mail, ICQ
Catalog with parameters for 1,401,534 components RegisterAdvertising