Log in    Register
ChipFind Component Selection Catalog
For example: transistor, max232, lt319a
 

Дискретные полупроводники  ·  Биполярные транзисторы (одиночные)

Производитель



















Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.)





























































Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic


























































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































Ток коллектора (макс)

















































































Ток отсечки коллетора (vfrc)

































Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce
















































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































Мощность макcимальная



















































































































































Модуляция частот




















































































































Тип транзистора







Тип монтажа


Корпус








































































































































 
PhotoNameManufacturerTechnical parametersPrices (rub.)Buy
MMBT3903MMBT3903Diodes IncTRANS 40V 350MW NPN SMD SOT23-3
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 40В  ·  Мощность макcимальная: 350mW  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3
Additional information
Find at suppliers
Buy in store
IMBT3905DIIMBT3905DIDiodes IncTRANS 40V 350MW PNP SMD SOT23-3
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 40В  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 1V  ·  Мощность макcимальная: 350mW  ·  Модуляция частот: 200MHz  ·  Тип транзистора: PNP  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3
Additional information
Find at suppliers
Buy in store
BDC01DRL1GON SemiconductorTRANS AMP NPN 1W 100V 0.5A TO-92
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 100V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 100mA, 1A  ·  Ток коллектора (макс): 500mA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 100mA, 1V  ·  Мощность макcимальная: 1Вт  ·  Модуляция частот: 50MHz  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226
Additional information
Find at suppliers
Buy in store
MPSA43MPSA43Fairchild SemiconductorTRANS AMP NPN 200V 200MA TO-92
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 200В  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 2mA, 20mA  ·  Ток коллектора (макс): 200mA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 30mA, 10V  ·  Мощность макcимальная: 625mW  ·  Модуляция частот: 50MHz  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226
from 0,00
to 0,00
Additional information
Find at suppliers
Buy in store
MPSA06RLRMGMPSA06RLRMGON SemiconductorTRANS AMP NPN BIPO 80V TO-92
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 80V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA  ·  Ток коллектора (макс): 500mA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V  ·  Мощность макcимальная: 1.5Вт  ·  Модуляция частот: 100MHz  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226
from 0,00
to 0,00
Additional information
Find at suppliers
Buy in store
MPS651GMPS651GON SemiconductorTRANS AMP NPN GP 2A 60V TO-92
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 60V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A  ·  Ток коллектора (макс): 2A  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 75 @ 50mA, 2V  ·  Мощность макcимальная: 1.5Вт  ·  Модуляция частот: 75MHz  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226
from 0,00
to 0,00
Additional information
Find at suppliers
Buy in store
PZTA42PZTA42Fairchild SemiconductorTRANS AMP NPN GP 300V SOT-223
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 300V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 2mA, 20mA  ·  Ток коллектора (макс): 500mA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1mA, 10V  ·  Мощность макcимальная: 1Вт  ·  Модуляция частот: 50MHz  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SOT-223 (3 leads + Tab), SC-73, TO-261AA
from 0,00
to 0,00
Additional information
Find at suppliers
Buy in store
PZT2222APZT2222AFairchild SemiconductorTRANS AMP NPN GP 40V .5A SOT-223
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 40В  ·  Ток коллектора (макс): 1A  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V  ·  Мощность макcимальная: 1Вт  ·  Модуляция частот: 300MHz  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SOT-223 (3 leads + Tab), SC-73, TO-261AA
from 0,00
to 0,00
Additional information
Find at suppliers
Buy in store
2SC4081RT1ON SemiconductorTRANS AMP NPN GP 50V SC70
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 10mA, 100mA  ·  Ток коллектора (макс): 100mA  ·  Ток отсечки коллетора (vfrc): 100nA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 2mA, 6V  ·  Мощность макcимальная: 200mW  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SC-70-3, SOT-323-3
Additional information
Find at suppliers
Buy in store
2SC4081RT1GON SemiconductorTRANS AMP NPN GP 50V SC70
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 10mA, 100mA  ·  Ток коллектора (макс): 100mA  ·  Ток отсечки коллетора (vfrc): 100nA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 2mA, 6V  ·  Мощность макcимальная: 200mW  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SC-70-3, SOT-323-3
Additional information
Find at suppliers
Buy in store
MPS751RLRAGMPS751RLRAGON SemiconductorTRANS AMP PNP 2A 60V TO92
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 60V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A  ·  Ток коллектора (макс): 2A  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 75 @ 50mA, 2V  ·  Мощность макcимальная: 1.5Вт  ·  Модуляция частот: 75MHz  ·  Тип транзистора: PNP  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226
from 0,00
to 0,00
Additional information
Find at suppliers
Buy in store
MPS751GMPS751GON SemiconductorTRANS AMP PNP 2A 60V TO-92
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 60V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A  ·  Ток коллектора (макс): 2A  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 75 @ 50mA, 2V  ·  Мощность макcимальная: 1.5Вт  ·  Модуляция частот: 75MHz  ·  Тип транзистора: PNP  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226
from 0,00
to 0,00
Additional information
Find at suppliers
Buy in store
BC558BRLGBC558BRLGON SemiconductorTRANS AMP PNP 30V 100MA TO-92
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 30В  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA  ·  Ток коллектора (макс): 100mA  ·  Ток отсечки коллетора (vfrc): 100nA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 2mA, 5V  ·  Мощность макcимальная: 625mW  ·  Модуляция частот: 360MHz  ·  Тип транзистора: PNP  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226
from 0,00Additional information
Find at suppliers
Buy in store
BC558BZL1GBC558BZL1GON SemiconductorTRANS AMP PNP 30V 100MA TO-92
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 30В  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA  ·  Ток коллектора (макс): 100mA  ·  Ток отсечки коллетора (vfrc): 100nA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 2mA, 5V  ·  Мощность макcимальная: 625mW  ·  Модуляция частот: 360MHz  ·  Тип транзистора: PNP  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226
Additional information
Find at suppliers
Buy in store
BC558BRL1BC558BRL1ON SemiconductorTRANS AMP PNP 30V 100MA TO-92
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 30В  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA  ·  Ток коллектора (макс): 100mA  ·  Ток отсечки коллетора (vfrc): 100nA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 2mA, 5V  ·  Мощность макcимальная: 625mW  ·  Модуляция частот: 360MHz  ·  Тип транзистора: PNP  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226
Additional information
Find at suppliers
Buy in store
BC558CZL1GBC558CZL1GON SemiconductorTRANS AMP PNP 30V 100MA TO-92
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 30В  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA  ·  Ток коллектора (макс): 100mA  ·  Ток отсечки коллетора (vfrc): 100nA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V  ·  Мощность макcимальная: 625mW  ·  Модуляция частот: 360MHz  ·  Тип транзистора: PNP  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226
Additional information
Find at suppliers
Buy in store
BC558BZL1BC558BZL1ON SemiconductorTRANS AMP PNP 30V 100MA TO-92
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 30В  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA  ·  Ток коллектора (макс): 100mA  ·  Ток отсечки коллетора (vfrc): 100nA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 2mA, 5V  ·  Мощность макcимальная: 625mW  ·  Модуляция частот: 360MHz  ·  Тип транзистора: PNP  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226
Additional information
Find at suppliers
Buy in store
BC558BRLBC558BRLON SemiconductorTRANS AMP PNP 30V 100MA TO-92
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 30В  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA  ·  Ток коллектора (макс): 100mA  ·  Ток отсечки коллетора (vfrc): 100nA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 2mA, 5V  ·  Мощность макcимальная: 625mW  ·  Модуляция частот: 360MHz  ·  Тип транзистора: PNP  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226
Additional information
Find at suppliers
Buy in store
BC558BRL1GBC558BRL1GON SemiconductorTRANS AMP PNP 30V 100MA TO-92
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 30В  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA  ·  Ток коллектора (макс): 100mA  ·  Ток отсечки коллетора (vfrc): 100nA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 2mA, 5V  ·  Мощность макcимальная: 625mW  ·  Модуляция частот: 360MHz  ·  Тип транзистора: PNP  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226
Additional information
Find at suppliers
Buy in store
BC558CZL1BC558CZL1ON SemiconductorTRANS AMP PNP 30V 100MA TO-92
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 30В  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA  ·  Ток коллектора (макс): 100mA  ·  Ток отсечки коллетора (vfrc): 100nA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V  ·  Мощность макcимальная: 625mW  ·  Модуляция частот: 360MHz  ·  Тип транзистора: PNP  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226
Additional information
Find at suppliers
Buy in store
BC557CZL1BC557CZL1ON SemiconductorTRANS AMP PNP 45V 100MA TO-92
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 45V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA  ·  Ток коллектора (макс): 100mA  ·  Ток отсечки коллетора (vfrc): 100nA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V  ·  Мощность макcимальная: 625mW  ·  Модуляция частот: 320MHz  ·  Тип транзистора: PNP  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226
Additional information
Find at suppliers
Buy in store
BC557AZL1BC557AZL1ON SemiconductorTRANS AMP PNP 45V 100MA TO-92
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 45V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA  ·  Ток коллектора (макс): 100mA  ·  Ток отсечки коллетора (vfrc): 100nA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 5V  ·  Мощность макcимальная: 625mW  ·  Модуляция частот: 320MHz  ·  Тип транзистора: PNP  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226
Additional information
Find at suppliers
Buy in store
BC557CGBC557CGON SemiconductorTRANS AMP PNP 45V 100MA TO-92
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 45V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA  ·  Ток коллектора (макс): 100mA  ·  Ток отсечки коллетора (vfrc): 100nA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V  ·  Мощность макcимальная: 625mW  ·  Модуляция частот: 320MHz  ·  Тип транзистора: PNP  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226
from 0,00Additional information
Find at suppliers
Buy in store
BC557BZL1BC557BZL1ON SemiconductorTRANS AMP PNP 45V 100MA TO-92
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 45V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA  ·  Ток коллектора (макс): 100mA  ·  Ток отсечки коллетора (vfrc): 100nA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 2mA, 5V  ·  Мощность макcимальная: 625mW  ·  Модуляция частот: 320MHz  ·  Тип транзистора: PNP  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226
Additional information
Find at suppliers
Buy in store
BC557AZL1GBC557AZL1GON SemiconductorTRANS AMP PNP 45V 100MA TO-92
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 45V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA  ·  Ток коллектора (макс): 100mA  ·  Ток отсечки коллетора (vfrc): 100nA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 5V  ·  Мощность макcимальная: 625mW  ·  Модуляция частот: 320MHz  ·  Тип транзистора: PNP  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226
from 0,00Additional information
Find at suppliers
Buy in store
← Ctrl  1 ... 3456789 ... 359  Ctrl →

© 2006 — 2024 ChipFind Ltd.
Contact phone, e-mail, ICQ
Catalog with parameters for 1,401,534 components RegisterAdvertising