Log in Register |
Photo | Name | Manufacturer | Technical parameters | Prices (rub.) | Buy |
ZXTC2062E6TA | Diodes/Zetex | TRANSISTOR DUAL 20V 1A SOT23-6 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 20В · Ток коллектора (макс): 4A, 3.5A · Мощность макcимальная: 1.1W · Модуляция частот: 215MHz · Тип транзистора: NPN, PNP · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-23-6 | from 0,00 to 0,00 | Additional information Find at suppliers Buy in store | |
ZXTC2063E6TA | Diodes/Zetex | TRANSISTOR DUAL 40V 1A SOT23-6 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 40В · Ток коллектора (макс): 3.5A, 3A · Мощность макcимальная: 1.1W · Тип транзистора: NPN, PNP · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-23-6 | from 0,00 to 0,00 | Additional information Find at suppliers Buy in store | |
ZXTD09N50DE6TA | Diodes/Zetex | TRANS NPN DUAL LOSAT 50V SOT23-6 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 10mA, 500mA · Ток коллектора (макс): 1A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 10nA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 100mA, 2V · Мощность макcимальная: 1.1W · Модуляция частот: 215MHz · Тип транзистора: 2 NPN (Dual) · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-23-6 | from 0,00 to 0,00 | Additional information Find at suppliers Buy in store | |
ZXTD09N50DE6TC | Diodes/Zetex | TRANSISTOR DUAL NPN 50V SOT23-6 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 10mA, 500mA · Ток коллектора (макс): 1A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 10nA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 100mA, 2V · Мощность макcимальная: 1.1W · Модуляция частот: 215MHz · Тип транзистора: 2 NPN (Dual) · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-23-6 | from 0,00 | Additional information Find at suppliers Buy in store | |
ZXTD1M832TA | Diodes/Zetex | TRANS PNP DUAL LOSAT 50V 8-MLP Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 12В · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 50mA, 3A · Ток коллектора (макс): 4A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 25nA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 10mA, 2V · Мощность макcимальная: 2.45W · Модуляция частот: 110MHz · Тип транзистора: 2 PNP (Dual) · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: MLP-832 | from 0,00 | Additional information Find at suppliers Buy in store | |
ZXTD2M832TA | Diodes/Zetex | TRANSISTOR DUAL PNP 20V 8MLP Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 20В · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 50mA, 1.5A · Ток коллектора (макс): 3.5A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 25nA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 100mA, 2V · Мощность макcимальная: 1.7Вт · Модуляция частот: 180MHz · Тип транзистора: 2 PNP (Dual) · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-MLP | from 0,00 to 0,00 | Additional information Find at suppliers Buy in store | |
ZXTD3M832TA | Diodes/Zetex | TRANS PNP DUAL 40V 3A 8-MLP Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 40В · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 200mA, 2A · Ток коллектора (макс): 3A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 25nA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 100mA, 2V · Мощность макcимальная: 2.45W · Модуляция частот: 190MHz · Тип транзистора: 2 PNP (Dual) · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-MLP | from 0,00 to 0,00 | Additional information Find at suppliers Buy in store | |
ZXTD4591AM832TA | Diodes/Zetex | TRANS NPN/PNP 40V 8MLP Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 40В · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A · Ток коллектора (макс): 2A, 1.5A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 100nA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 500mA, 5V · Мощность макcимальная: 2.45W · Модуляция частот: 150MHz · Тип транзистора: NPN, PNP · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-MLP | from 0,00 to 0,00 | Additional information Find at suppliers Buy in store | |
ZXTD4591E6TA | Diodes/Zetex | TRANS NPN/PNP DUAL 60V SOT23-6 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 60V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 100mA, 1A · Ток коллектора (макс): 1A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 100nA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 5V · Мощность макcимальная: 1.1W · Модуляция частот: 150MHz · Тип транзистора: NPN, PNP · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-23-6 | from 0,00 to 0,00 | Additional information Find at suppliers Buy in store | |
ZXTD4591E6TC | Diodes/Zetex | TRANSISTOR NPN/PNP 60V SOT23-6 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 60V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 100mA, 1A · Ток коллектора (макс): 1A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 100nA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 5V · Мощность макcимальная: 1.1W · Модуляция частот: 150MHz · Тип транзистора: NPN, PNP · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-23-6 | Additional information Find at suppliers Buy in store | ||
ZXTD6717E6TA | Diodes/Zetex | TRANS NPN/PNP DL 15/-12V SOT23-6 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 15V, 12V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 10mA, 1A · Ток коллектора (макс): 1.5A, 1.25A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 10nA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 100mA, 2V · Мощность макcимальная: 1.1W · Модуляция частот: 180MHz · Тип транзистора: NPN, PNP · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-23-6 | from 0,00 to 0,00 | Additional information Find at suppliers Buy in store | |
ZXTD6717E6TC | Diodes/Zetex | TRANSISTOR NPN/PNP SOT23-6 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 15V, 12V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 10mA, 1A · Ток коллектора (макс): 1.5A, 1.25A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 10nA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 100mA, 2V · Мощность макcимальная: 1.1W · Модуляция частот: 180MHz · Тип транзистора: NPN, PNP · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-23-6 | from 0,00 | Additional information Find at suppliers Buy in store | |
ZXTDA1M832TA | Diodes/Zetex | TRANS NPN/PNP DL 15/-12V 8-MLP Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 15V, 12V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 50mA, 3A · Ток коллектора (макс): 4.5A, 4A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 25nA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 200mA, 2V · Мощность макcимальная: 2.45W · Модуляция частот: 120MHz · Тип транзистора: NPN, PNP · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-MLP | from 0,00 to 0,00 | Additional information Find at suppliers Buy in store | |
ZXTDAM832TA | Diodes/Zetex | TRANS NPN DUAL LOSAT 15V 8-MLP Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 15V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 280mV @ 50mA, 4.5A · Ток коллектора (макс): 4.5A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 25nA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 200mA, 2V · Мощность макcимальная: 2.45W · Модуляция частот: 120MHz · Тип транзистора: 2 NPN (Dual) · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-MLP | from 0,00 to 0,00 | Additional information Find at suppliers Buy in store | |
ZXTDB2M832TA | Diodes/Zetex | TRANS NPN/PNP LO SAT 20V 8-MLP Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 20В · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 100mA, 3A · Ток коллектора (макс): 4.5A, 3.5A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 25nA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 200mA, 2V · Мощность макcимальная: 2.45W · Модуляция частот: 140MHz · Тип транзистора: NPN, PNP · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-MLP | from 0,00 to 0,00 | Additional information Find at suppliers Buy in store | |
ZXTDBM832TA | Diodes/Zetex | TRANS NPN DUAL LOSAT 20V 8-MLP Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 20В · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 100mA, 3A · Ток коллектора (макс): 4.5A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 25nA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 200mA, 2V · Мощность макcимальная: 2.45W · Модуляция частот: 140MHz · Тип транзистора: 2 NPN (Dual) · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-MLP | from 0,00 | Additional information Find at suppliers Buy in store | |
ZXTDC3M832TA | Diodes/Zetex | TRANS NPN 50V PNP 40V 8MLP Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V, 40V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 100mA, 3A · Ток коллектора (макс): 4A, 3A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 25nA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 200mA, 2V · Мощность макcимальная: 2.45W · Модуляция частот: 165MHz · Тип транзистора: NPN, PNP · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-MLP | from 0,00 to 0,00 | Additional information Find at suppliers Buy in store | |
ZXTDCM832TA | Diodes/Zetex | TRANS NPN DUAL LOSAT 50V 8-MLP Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 100mA, 3A · Ток коллектора (макс): 4A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 25nA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 200mA, 2V · Мощность макcимальная: 2.45W · Модуляция частот: 165MHz · Тип транзистора: 2 NPN (Dual) · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-MLP | from 0,00 to 0,00 | Additional information Find at suppliers Buy in store | |
ZXTDE4M832TA | Diodes/Zetex | TRANS NPN 80V PNP 70V 8MLP Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 80V, 70V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 50mA, 1.5A · Ток коллектора (макс): 3.5A, 2.5A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 25nA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 200mA, 2V · Мощность макcимальная: 2.45W · Модуляция частот: 160MHz · Тип транзистора: NPN, PNP · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-MLP | from 0,00 to 0,00 | Additional information Find at suppliers Buy in store |
© 2006 — 2024 ChipFind Ltd. Contact phone, e-mail, ICQ |
Catalog with parameters for 1,401,534 components | Register • Advertising |