Дискретные полупроводники  ·  Биполярные транзисторы (сборки)

Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 40В  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA  ·  Ток коллектора (макс): 100mA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V  ·  Мощность макcимальная: 300mW  ·  Модуляция частот: 100MHz  ·  Тип транзистора: NPN, PNP  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363

Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 500mV, 250mV @ 5mA, 50mA  ·  Ток коллектора (макс): 150mA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V  ·  Мощность макcимальная: 300mW  ·  Модуляция частот: 190MHz, 100MHz  ·  Тип транзистора: NPN, PNP  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363

Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 15V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 280mV @ 20mA, 400mA  ·  Ток коллектора (макс): 800mA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 50mA, 2V  ·  Мощность макcимальная: 400мВт  ·  Модуляция частот: 440MHz  ·  Тип транзистора: 2 NPN (Dual)  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж

Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 40В  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA  ·  Ток коллектора (макс): 200mA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V  ·  Мощность макcимальная: 330mW  ·  Модуляция частот: 300MHz  ·  Тип транзистора: NPN, PNP  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363

Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 40В  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA  ·  Ток коллектора (макс): 200mA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V  ·  Мощность макcимальная: 330mW  ·  Модуляция частот: 300MHz  ·  Тип транзистора: 2 NPN (Dual)  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SC-74-6

Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 40В  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA  ·  Ток коллектора (макс): 200mA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V  ·  Мощность макcимальная: 330mW  ·  Модуляция частот: 250MHz  ·  Тип транзистора: 2 PNP (Dual)  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363

Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 80V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA  ·  Ток коллектора (макс): 500mA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V  ·  Мощность макcимальная: 330mW  ·  Модуляция частот: 100MHz  ·  Тип транзистора: NPN, PNP  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SC-74-6

Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 40В  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 100µA, 1mA  ·  Ток коллектора (макс): 20mA  ·  Ток отсечки коллетора (vfrc): 500pA  ·  Модуляция частот: 200MHz  ·  Тип транзистора: 2 NPN (Dual)  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: 8-DIP (300 mil)

Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 40В  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 100µA, 1mA  ·  Ток коллектора (макс): 20mA  ·  Ток отсечки коллетора (vfrc): 500pA  ·  Модуляция частот: 200MHz  ·  Тип транзистора: 2 NPN (Dual)  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина)

Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 40В  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 100µA, 1mA  ·  Ток коллектора (макс): 20mA  ·  Ток отсечки коллетора (vfrc): 500pA  ·  Модуляция частот: 200MHz  ·  Тип транзистора: 2 NPN (Dual)  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина)

Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 36V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 100µA, 1mA  ·  Ток коллектора (макс): 20mA  ·  Модуляция частот: 190MHz  ·  Тип транзистора: 2 PNP (Dual)  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: 8-DIP (300 mil)

Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 36V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 100µA, 1mA  ·  Ток коллектора (макс): 20mA  ·  Модуляция частот: 190MHz  ·  Тип транзистора: 2 PNP (Dual)  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина)

Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 30В  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 250mA, 5A  ·  Ток коллектора (макс): 5A  ·  Ток отсечки коллетора (vfrc): 1µA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5A, 2V  ·  Мощность макcимальная: 2Вт  ·  Тип транзистора: NPN, PNP  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина)