Биполярные транзисторы (сборки) | Дискретные полупроводники

Analog Devices Inc
Diodes Inc
Diodes/Zetex
Fairchild Semiconductor
Infineon Technologies
Intersil
Micro Coммercial Co
National Semiconductor
NXP Semiconductors
ON Semiconductor
Panasonic - SSG
Rohm Semiconductor
SANYO Semiconductor (U.S.A) Corporation
STMicroelectronics
Toshiba
TT Electronics/Optek Technology

7V
10V
11В
12В
15V
15V, 12V
17.5V
20В
20V, 10V
20V, 50V
24V
25V
30В
30V, 6V
32V
35V
36V
40В
40V, 15V
40V, 60V
45V
45V, 40V
50V
50V, 10V
50V, 20V
50V, 40V
60V
60V, 40V
60V, 65V
65V
75V
80V
80V, 70V
100V
120V
140V
150V
160V
160V, 150V
300V
400В

44mV @ 100mA, 1A
60mV @ 1mA, 100µA
80mV @ 50mA, 500mA
100mV @ 100µA, 1mA
100mV @ 1mA, 10mA
100mV @ 3mA, 30mA
100mV, 145mV @ 50mA, 500mA
110mV @ 1mA, 100mA
110mV, 165mV @ 1mA, 100mA
115mV @ 200mA, 2A
130mV @ 10mA, 1A
140mV @ 20mA, 1A
150mV @ 10mA, 200mA
150mV @ 1mA, 10mA
160mV @ 150mA, 3A
165mV @ 1mA, 100mA
170mV @ 10mA, 1A
170mV @ 20mA, 2A
170mV @ 6mA, 300mA
180mV @ 10mA, 2A
180mV @ 50mA, 1A
200mV @ 100µA, 1mA
200mV @ 10mA, 1A
200mV @ 10mA, 500mA
200mV @ 125mA, 2.5A
200mV @ 1mA, 10mA
200mV @ 500µA, 10mA
200mV @ 50mA, 1.5A
200mV @ 50mA, 2.5A
200mV @ 50mA, 2A
200mV @ 50mA, 3A
200mV @ 5mA, 100mA
200mV @ 5mA, 50mA
200mV, 250mV @ 1mA, 10mA
200mV, 500mV @ 5mA, 50mA
220mV @ 10mA, 200mA
220mV @ 2.5A, 50mA
235mV @ 30mA, 1.5A
250mV @ 0.1mA, 1mA
250mV @ 0.5mA, 10mA
250mV @ 100mA, 3A
250mV @ 10mA, 100mA
250mV @ 10mA, 200mA
250mV @ 1mA, 10mA
250mV @ 50mA, 1.5A
250mV @ 50mA, 3A
250mV @ 50mA, 500mA
250mV @ 5mA, 100mA
250mV @ 5mA, 50mA
250mV, 200mV @ 1mA, 10mA
250mV, 300mV @ 0.5mA, 10mA
260mV @ 100mA, 2A
270mV @ 30mA, 3A
280mV @ 20mA, 400mA
280mV @ 50mA, 4.5A
300mV @ .5mA, 10mA
300mV @ 0.5mA, 10mA
300mV @ 100mA, 3A
300mV @ 10mA, 100mA
300mV @ 10mA, 200mA
300mV @ 15mA, 150mA
300mV @ 1mA, 10mA
300mV @ 200mA, 2A
300mV @ 500µA, 10mA
300mV @ 50mA, 3A
300mV @ 50mA, 5A
300mV @ 5mA, 100mA
300mV @ 5mA, 50mA
300mV @ 8mA, 400mA
300mV, 250mV @ 10mA, 100mA
300mV, 400mV @ 5mA, 50mA
300mV, 500mV @ 10mA, 100mA
375mV @ 15mA, 750mA
400mV @ 15mA, 150mA
400mV @ 20mA, 500mA
400mV @ 30mA, 300mA
400mV @ 5mA, 100mA
400mV @ 5mA, 50mA
400mV, 500mV @ 5mA, 50mA
500mV @ 100mA, 1A
500mV @ 10mA, 100mA
500mV @ 1mA, 10mA
500mV @ 200mA, 2A
500mV @ 20mA, 200mA
500mV @ 2mA, 20mA
500mV @ 4mA, 20mA
500mV @ 50mA, 500mA
500mV @ 50mA, 5A
500mV @ 5mA, 10mA
500mV @ 5mA, 1A
500mV @ 5mA, 400mA
500mV @ 5mA, 50mA
500mV, 250mV @ 5mA, 50mA
500mV, 300mV @ 10mA, 100mA
500mV, 400mV @ 5mA, 50mA
600mV @ 100mA, 1A
600mV @ 30mA, 300mA
600mV @ 50mA, 500mA
600mV @ 5mA, 100mA
650mV @ 5mA, 100mA
700mV @ 100mA, 2A
700mV @ 250mA, 5A
700mV @ 50mA, 500mA
700mV @ 5mA, 50mA
750mV @ 50mA, 500mA
900mV @ 30mA, 300mA
1V @ 50mA, 500mA
1V, 1.6V @ 50mA, 500mA
1.28V @ 2mA, 1.75A
1.4V @ 30mA, 300mA
1.4V @ 4mA, 1A
1.5V @ 1mA, 1A
1.5V @ 3mA, 1.5A
1.6V @ 30mA, 300mA
1.6V @ 50mA, 500mA
2.5V @ 2mA, 2A

10mA
15mA
15mA, 100mA
20mA
25mA
30mA
50mA
50mA, 100mA
65mA
100mA
100mA, 500mA
150mA
200mA
300mA
500mA
500mA, 100mA
600mA
600mA, 500mA
800mA
870mA, 770mA
1A
1.2A
1.35A, 1.1A
1.5A
1.5A, 1.25A
1.75A
2A
2A, 1.5A
2.5A
2.7A
3A
3.5A
3.5A, 2.5A
3.5A, 3A
4A
4A, 3.5A
4A, 3A
4.5A
4.5A, 3.5A
4.5A, 4A
5A
5A, 3.5A

400pA
500pA
5nA
10nA
15nA
20nA
25nA
50nA
100nA
500nA
1µA
2µA
10µA
100µA
1mA
100mA
150mA

25 @ 1mA, 10V
25, 160 @ 2mA, 10V
27 @ 10mA, 10V
30 @ 3A, 2V
40 @ 100µA, 1V
40 @ 10mA, 10V
40 @ 10mA, 1V
40 @ 10mA, 3V
40 @ 10mA, 5V
40 @ 1mA, 6V
40, 60 @ 100µA, 1V
50 @ 100mA, 5V
50 @ 10mA, 1V
50 @ 1mA, 10V
50 @ 1mA, 1V
50 @ 20mA, 8V
56 @ 5mA, 10V
60 @ 100µA, 1V
60 @ 100mA, 1V
60 @ 10mA, 1V
60 @ 10mA, 5V
60, 50 @ 10mA, 1V
65 @ 1mA, 6V
75 @ 10mA, 1V
75 @ 2mA, 5V
75 @ 5mA, 4V
80 @ 10mA, 5V
80 @ 5A, 2V
80, 60 @ 10mA, 5V
85 @ 150mA, 10V
90 @ 10mA, 1V
90 @ 1mA, 6V
90 @ 500mA, 2V
100 @ 10mA, 1V
100 @ 150mA, 10V
100 @ 150mA, 1V
100 @ 150mA, 2V
100 @ 1A, 2V
100 @ 1mA, 10V
100 @ 1mA, 1V
100 @ 1mA, 5V
100 @ 500mA, 2V
100 @ 500mA, 5V
100, 125 @ 2mA, 5V
100, 220 @ 2mA, 5V
100, 420 @ 2mA, 5V
110 @ 2mA, 5V
110, 200 @ 2mA, 5V
120 @ 100mA, 3V
120 @ 10mA, 1V
120 @ 1mA, 6V
120 @ 2mA, 1V
125 @ 2mA, 5V
150 @ 10µA, 5V
150 @ 100mA, 1V
150 @ 100mA, 2V
150 @ 2mA, 10V
150 @ 500mA, 5V
160 @ 100mA, 1V
160 @ 100mA, 2V
160 @ 2mA, 10V
180 @ 100mA, 2V
180 @ 2mA, 10V
180 @ 2mA, 6V
200 @ 10mA, 2V
200 @ 1A, 2V
200 @ 2mA, 10V
200 @ 2mA, 5V
200 @ 2mA, 6V
200 @ 500mA, 2V
200 @ 500mA, 5V
200, 100 @ 500mA, 2V
200, 220 @ 2mA, 5V
220 @ 2mA, 5V
220 @ 500mA, 2V
250 @ 500mA, 2V
250, 200 @ 1mA, 5V
270 @ 10µA, 5V
270 @ 10mA, 2V
300 @ 100mA, 2V
300 @ 10mA, 2V
300 @ 1A, 2V
300 @ 200mA, 2V
300 @ 500mA, 2V
300 @ 500mA, 5V
300 @ 50mA, 2V
300, 250 @ 500mA, 5V
400 @ 100mA, 2V
400 @ 1A, 2V
400 @ 200mA, 2V
400 @ 2mA, 10V
400 @ 300mA, 2V
420 @ 2mA, 5V
500 @ 10µA, 5V
500 @ 4mA, 2V
560 @ 10mA, 3V
1000 @ 1A, 4V
2000 @ 1.5A, 2V
2000 @ 1500mA, 2V
2000 @ 1A, 2V
2000 @ 1A, 5V
3000 @ 1A, 5V
5000 @ 500mA, 5V

50mW
85mW
125mW
150mW
180mW
200mW
225mW
230mW
250mW
290mW
300mW
330mW
350mW
370mW
380mW
385mW
400мВт
420mW
450мВт
500мВт
600mW
660мВт
700мВт
750мВт
783mW
800мВт
940mW
1Вт
1.04W
1.1W
1.7Вт
1.8W
2Вт
2.45W
2.5Вт
2.75W
4Вт
4.4W

7MHz
30MHz
50MHz
60MHz
80MHz
80MHz, 150MHz
85MHz
100MHz
100MHz, 80MHz
110MHz
112MHz
114MHz
115MHz
120MHz
130MHz
132MHz
140MHz
140MHz, 120MHz
140MHz, 180MHz
150MHz
150MHz, 130MHz
150MHz, 200MHz
150MHz, 80MHz
160MHz
165MHz
170MHz
175MHz
180MHz
180MHz, 140MHz
185MHz
190MHz
190MHz, 100MHz
200MHz
200MHz, 130MHz
200MHz, 80MHz
215MHz
220MHz
220MHz, 185MHz
240MHz
250MHz
250MHz, 200MHz
250MHz, 300MHz
260MHz
300MHz
300MHz, 200MHz
300MHz, 250MHz
320MHz
320MHz, 260MHz
350MHz
380MHz
420MHz
420MHz, 280MHz
440MHz
450MHz
450MHz, 1500MHz
490MHz
500MHz
650MHz
650MHz, 150MHz
700MHz
1.15GHz
1.5GHz
1.6GHz, 150MHz
2.5GHz
3.2GHz
4GHz
4.5GHz
8.5GHz

NPN, PNP
NPN, PNP Darlington (Dual)
2 NPN (Dual)
2 NPN Darlington (Dual)
2 PNP (Dual)
2 PNP Darlington (Dual)
4 NPN (Quad)
4 NPN Darlington
4 PNP (Quad)
5 NPN

Поверхностный монтаж
Through Hole

EMT5
EMT6
Mini 5P
Mini 6P
MLP-832
Non-Standard Surface Mount
S-Mini 5P
S-Mini 6P
SC-70-5, SC-88A, SOT-323-5, SOT-353, 5-TSSOP
SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363
SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363
SC-74-5, SOT-753
SC-74-6
SOT-143, SOT-143B, TO-253AA
SOT-223 (3 leads + Tab), SC-73, TO-261AA
SOT-223 (8 leads), SM8
SOT-23-6
SOT-26
SOT-563
SOT-963
SS Mini 6P
SS Mini-6 (SOT-666)
SSS Mini 6
TO-5
TO-78-6 Metal Can
TO-99-6
2-3T1A
2-3T1D
6-DFN
6-LCC
6-SSOT, SuperSOT-6
8-DIP (300 mil)
8-SOIC (3.9мм ширина)
10-SIP
12 Pin SIP Horz
14-DIP (300 mil)
14-SOIC (3.9мм ширина), 14-SOL
16-DIP (300 mil)
16-SOIC (3.9мм ширина)
8-MLP
8-MSOP, Micro8™, 8-uMAX, 8-uSOP,

Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 400В · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 10mA, 100mA · Ток коллектора (макс): 500mA · Ток отсечки коллетора (vfrc): 100nA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 100mA, 5V · Мощность макcимальная: 2.75W · Модуляция частот: 50MHz · Тип транзистора: 2 PNP (Dual) · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-223 (8 leads), SM8

Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 40В · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 200mA, 2A · Ток коллектора (макс): 3A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 25nA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 100mA, 2V · Мощность макcимальная: 2.45W · Модуляция частот: 190MHz · Тип транзистора: 2 PNP (Dual) · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-MLP

Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 40В · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 170mV @ 10mA, 1A · Ток коллектора (макс): 3A · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 500mA, 2V · Мощность макcимальная: 783mW · Модуляция частот: 100MHz · Тип транзистора: 2 PNP (Dual) · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина)

Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 45V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA · Ток коллектора (макс): 100mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V · Мощность макcимальная: 380mW · Модуляция частот: 100MHz · Тип транзистора: 2 PNP (Dual) · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363

Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 45V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA · Ток коллектора (макс): 100mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V · Мощность макcимальная: 380mW · Модуляция частот: 100MHz · Тип транзистора: 2 PNP (Dual) · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363

Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 50mA, 500mA · Ток коллектора (макс): 500mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 3V · Мощность макcимальная: 300mW · Модуляция частот: 200MHz · Тип транзистора: 2 PNP (Dual) · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-26

Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 60V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 165mV @ 1mA, 100mA · Ток коллектора (макс): 1A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 100nA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 500mA, 5V · Мощность макcимальная: 450мВт · Модуляция частот: 185MHz · Тип транзистора: 2 PNP (Dual) · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SC-74-6

Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 65V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA · Ток коллектора (макс): 100mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V · Мощность макcимальная: 380mW · Модуляция частот: 100MHz · Тип транзистора: 2 PNP (Dual) · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363

Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 40В · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA · Ток коллектора (макс): 200mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V · Мощность макcимальная: 150mW · Модуляция частот: 250MHz · Тип транзистора: 2 PNP (Dual) · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-563

Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 12В · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 50mA, 3A · Ток коллектора (макс): 4A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 25nA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 10mA, 2V · Мощность макcимальная: 2.45W · Модуляция частот: 110MHz · Тип транзистора: 2 PNP (Dual) · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: MLP-832

Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 40В · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 44mV @ 100mA, 1A · Ток коллектора (макс): 3A · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V · Мощность макcимальная: 783mW · Модуляция частот: 100MHz · Тип транзистора: 2 NPN (Dual) · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина)

Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 40В · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 130mV @ 10mA, 1A · Ток коллектора (макс): 3A · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 500mA, 2V · Мощность макcимальная: 783mW · Модуляция частот: 100MHz · Тип транзистора: 2 PNP (Dual) · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина)

Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 60V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA · Ток коллектора (макс): 100mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V · Мощность макcимальная: 500мВт · Модуляция частот: 140MHz · Тип транзистора: 2 PNP (Dual) · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-563

Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 40В · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 200mV, 250mV @ 1mA, 10mA · Ток коллектора (макс): 200mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40, 60 @ 100µA, 1V · Мощность макcимальная: 500мВт · Модуляция частот: 300MHz, 250MHz · Тип транзистора: NPN, PNP · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-563

Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 40В · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 1mA, 10mA · Ток коллектора (макс): 200mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V · Мощность макcимальная: 350mW · Модуляция частот: 250MHz · Тип транзистора: 2 PNP (Dual) · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363

Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 45V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 100mA · Ток коллектора (макс): 100mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V · Мощность макcимальная: 250mW · Модуляция частот: 175MHz · Тип транзистора: 2 PNP (Dual) · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SC-74-6

Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 45V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 100mA · Ток коллектора (макс): 100mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V · Мощность макcимальная: 200mW · Модуляция частот: 175MHz · Тип транзистора: 2 PNP (Dual) · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363

Photo	Name	Manufacturer	Technical parameters	Prices (rub.)	Buy
	ZDT758TA	Diodes/Zetex	TRANS PNP DUAL 400V 1A SOT223-8 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 400В · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 10mA, 100mA · Ток коллектора (макс): 500mA · Ток отсечки коллетора (vfrc): 100nA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 100mA, 5V · Мощность макcимальная: 2.75W · Модуляция частот: 50MHz · Тип транзистора: 2 PNP (Dual) · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-223 (8 leads), SM8		Additional information Find at suppliers Buy in store
	ZXTD3M832TA	Diodes/Zetex	TRANS PNP DUAL 40V 3A 8-MLP Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 40В · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 200mA, 2A · Ток коллектора (макс): 3A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 25nA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 100mA, 2V · Мощность макcимальная: 2.45W · Модуляция частот: 190MHz · Тип транзистора: 2 PNP (Dual) · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-MLP	from 0,00 to 0,00	Additional information Find at suppliers Buy in store
	NSS40300DDR2G	ON Semiconductor	TRANS PNP DUAL 40V 8-SOIC Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 40В · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 170mV @ 10mA, 1A · Ток коллектора (макс): 3A · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 500mA, 2V · Мощность макcимальная: 783mW · Модуляция частот: 100MHz · Тип транзистора: 2 PNP (Dual) · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина)	from 0,00	Additional information Find at suppliers Buy in store
	BC857CDW1T1	ON Semiconductor	TRANS PNP DUAL 45V 100MA SOT-363 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 45V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA · Ток коллектора (макс): 100mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V · Мощность макcимальная: 380mW · Модуляция частот: 100MHz · Тип транзистора: 2 PNP (Dual) · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363		Additional information Find at suppliers Buy in store
	BC857CDW1T1G	ON Semiconductor	TRANS PNP DUAL 45V 100MA SOT-363 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 45V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA · Ток коллектора (макс): 100mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V · Мощность макcимальная: 380mW · Модуляция частот: 100MHz · Тип транзистора: 2 PNP (Dual) · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363	from 0,00	Additional information Find at suppliers Buy in store
	BC857BDW1T1G	ON Semiconductor	TRANS PNP DUAL 45V 100MA SOT-363 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 45V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA · Ток коллектора (макс): 100mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V · Мощность макcимальная: 380mW · Модуляция частот: 100MHz · Тип транзистора: 2 PNP (Dual) · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363	from 0,00 to 0,00	Additional information Find at suppliers Buy in store
	IMT17-7	Diodes Inc	TRANS PNP DUAL 50V 500MA SOT-26 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 50mA, 500mA · Ток коллектора (макс): 500mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 3V · Мощность макcимальная: 300mW · Модуляция частот: 200MHz · Тип транзистора: 2 PNP (Dual) · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-26	from 0,00	Additional information Find at suppliers Buy in store
	PBSS5160DS,115	NXP Semiconductors	TRANS PNP DUAL 60V 1A SC-74 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 60V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 165mV @ 1mA, 100mA · Ток коллектора (макс): 1A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 100nA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 500mA, 5V · Мощность макcимальная: 450мВт · Модуляция частот: 185MHz · Тип транзистора: 2 PNP (Dual) · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SC-74-6	from 0,00 to 0,00	Additional information Find at suppliers Buy in store
	BC856BDW1T3G	ON Semiconductor	TRANS PNP DUAL 65V 100MA SOT-363 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 65V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA · Ток коллектора (макс): 100mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V · Мощность макcимальная: 380mW · Модуляция частот: 100MHz · Тип транзистора: 2 PNP (Dual) · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363	from 0,00	Additional information Find at suppliers Buy in store
	BC856BDW1T1G	ON Semiconductor	TRANS PNP DUAL 65V 100MA SOT-363 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 65V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA · Ток коллектора (макс): 100mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V · Мощность макcимальная: 380mW · Модуляция частот: 100MHz · Тип транзистора: 2 PNP (Dual) · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363	from 0,00	Additional information Find at suppliers Buy in store
	BC856BDW1T3	ON Semiconductor	TRANS PNP DUAL 65V 100MA SOT-363 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 65V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA · Ток коллектора (макс): 100mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V · Мощность макcимальная: 380mW · Модуляция частот: 100MHz · Тип транзистора: 2 PNP (Dual) · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363	from 0,00	Additional information Find at suppliers Buy in store
	BC856BDW1T1	ON Semiconductor	TRANS PNP DUAL 65V 100MA SOT-363 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 65V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA · Ток коллектора (макс): 100mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V · Мощность макcимальная: 380mW · Модуляция частот: 100MHz · Тип транзистора: 2 PNP (Dual) · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363		Additional information Find at suppliers Buy in store
	MMDT3906VC-7	Diodes Inc	TRANS PNP DUAL BIPOLAR SOT-563 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 40В · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA · Ток коллектора (макс): 200mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V · Мощность макcимальная: 150mW · Модуляция частот: 250MHz · Тип транзистора: 2 PNP (Dual) · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-563	from 0,00 to 0,00	Additional information Find at suppliers Buy in store
	ZXTD1M832TA	Diodes/Zetex	TRANS PNP DUAL LOSAT 50V 8-MLP Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 12В · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 50mA, 3A · Ток коллектора (макс): 4A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 25nA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 10mA, 2V · Мощность макcимальная: 2.45W · Модуляция частот: 110MHz · Тип транзистора: 2 PNP (Dual) · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: MLP-832	from 0,00	Additional information Find at suppliers Buy in store
	NSS40301MDR2G	ON Semiconductor	TRANS PNP DUAL MATCHED 8-SOIC Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 40В · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 44mV @ 100mA, 1A · Ток коллектора (макс): 3A · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V · Мощность макcимальная: 783mW · Модуляция частот: 100MHz · Тип транзистора: 2 NPN (Dual) · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина)	from 0,00	Additional information Find at suppliers Buy in store
	NSS40300MDR2G	ON Semiconductor	TRANS PNP DUAL MATCHED 8-SOIC Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 40В · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 130mV @ 10mA, 1A · Ток коллектора (макс): 3A · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 500mA, 2V · Мощность макcимальная: 783mW · Модуляция частот: 100MHz · Тип транзистора: 2 PNP (Dual) · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина)	from 0,00	Additional information Find at suppliers Buy in store
	EMT1DXV6T1G	ON Semiconductor	TRANS PNP GP DUAL 60V SOT-563 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 60V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA · Ток коллектора (макс): 100mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V · Мощность макcимальная: 500мВт · Модуляция частот: 140MHz · Тип транзистора: 2 PNP (Dual) · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-563	from 0,00	Additional information Find at suppliers Buy in store
	EMT1DXV6T5	ON Semiconductor	TRANS PNP GP DUAL 60V SOT-563 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 60V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA · Ток коллектора (макс): 100mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V · Мощность макcимальная: 500мВт · Модуляция частот: 140MHz · Тип транзистора: 2 PNP (Dual) · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-563		Additional information Find at suppliers Buy in store
	EMT1DXV6T1	ON Semiconductor	TRANS PNP GP DUAL 60V SOT-563 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 60V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA · Ток коллектора (макс): 100mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V · Мощность макcимальная: 500мВт · Модуляция частот: 140MHz · Тип транзистора: 2 PNP (Dual) · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-563		Additional information Find at suppliers Buy in store
	EMT1DXV6T5G	ON Semiconductor	TRANS PNP GP DUAL 60V SOT-563 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 60V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA · Ток коллектора (макс): 100mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V · Мощность макcимальная: 500мВт · Модуляция частот: 140MHz · Тип транзистора: 2 PNP (Dual) · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-563	from 0,00	Additional information Find at suppliers Buy in store
	NST3946DXV6T5G	ON Semiconductor	TRANS PNP/NPN 200MA 40V SOT563 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 40В · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 200mV, 250mV @ 1mA, 10mA · Ток коллектора (макс): 200mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40, 60 @ 100µA, 1V · Мощность макcимальная: 500мВт · Модуляция частот: 300MHz, 250MHz · Тип транзистора: NPN, PNP · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-563	from 0,00 to 0,00	Additional information Find at suppliers Buy in store
	PMBT3906YS,115	NXP Semiconductors	TRANS PNP/PNP 40V 200MA SOT363 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 40В · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 1mA, 10mA · Ток коллектора (макс): 200mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V · Мощность макcимальная: 350mW · Модуляция частот: 250MHz · Тип транзистора: 2 PNP (Dual) · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363	from 0,00	Additional information Find at suppliers Buy in store
	BCM857DS,135	NXP Semiconductors	TRANS PNP/PNP 45V 100MA SC74 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 45V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 100mA · Ток коллектора (макс): 100mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V · Мощность макcимальная: 250mW · Модуляция частот: 175MHz · Тип транзистора: 2 PNP (Dual) · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SC-74-6	from 0,00	Additional information Find at suppliers Buy in store
	BCM857DS,115	NXP Semiconductors	TRANS PNP/PNP 45V 100MA SC74 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 45V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 100mA · Ток коллектора (макс): 100mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V · Мощность макcимальная: 250mW · Модуляция частот: 175MHz · Тип транзистора: 2 PNP (Dual) · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SC-74-6	from 0,00	Additional information Find at suppliers Buy in store
	BCM857BS,135	NXP Semiconductors	TRANS PNP/PNP 45V 100MA SC88 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 45V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 100mA · Ток коллектора (макс): 100mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V · Мощность макcимальная: 200mW · Модуляция частот: 175MHz · Тип транзистора: 2 PNP (Dual) · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363	from 0,00	Additional information Find at suppliers Buy in store

Дискретные полупроводники · Биполярные транзисторы (сборки)