Log in Register |
Photo | Name | Manufacturer | Technical parameters | Prices (rub.) | Buy |
BFR 360F E6327 | Infineon Technologies | TRANSISTOR RF NPN 6V TSFP-3 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 6V · Модуляция частот: 14GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1dB @ 1.8GHz · Усиление: 15.5dB · Мощность макcимальная: 210mW · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 90 @ 15mA, 3V · Ток коллектора (макс): 35mA · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: TSFP-3 · Compression Point (P1dB): 9dBm | from 0,00 | Additional information Find at suppliers Buy in store | |
BFP 182W E6327 | Infineon Technologies | TRANSISTOR NPN RF 12V SOT-343 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 12В · Модуляция частот: 8GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.3dB @ 900MHz ~ 1.8GHz · Усиление: 22dB · Мощность макcимальная: 250mW · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 8V · Ток коллектора (макс): 35mA · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SC-70-4, SC-82-4, SOT-323-4, SOT-343 | from 0,00 to 0,00 | Additional information Find at suppliers Buy in store | |
MMBTH10-7 | Diodes Inc | TRANS NPN VHF/UHF 25V SOT23-3 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 25V · Модуляция частот: 650MHz · Мощность макcимальная: 300mW · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 4mA, 10V · Ток коллектора (макс): 50mA · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 | from 0,00 | Additional information Find at suppliers Buy in store | |
BFR 92W E6327 | Infineon Technologies | TRANSISTOR NPN RF 15V SOT-323 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 15V · Модуляция частот: 5GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1.4dB ~ 2dB @ 900MHz ~ 1.8GHz · Усиление: 17dB ~ 11.5dB · Мощность макcимальная: 280mW · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 15mA, 8V · Ток коллектора (макс): 45mA · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-323 | from 0,00 | Additional information Find at suppliers Buy in store | |
BFR 93A E6327 | Infineon Technologies | TRANSISTOR RF NPN 12V SOT-23 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 12В · Модуляция частот: 6GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1.5dB ~ 2.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz · Усиление: 14.5dB ~ 9.5dB · Мощность макcимальная: 300mW · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 30mA, 8V · Ток коллектора (макс): 90mA · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-23 | from 0,00 | Additional information Find at suppliers Buy in store | |
2SC39320TL | Panasonic - SSG | TRANS NPN HF AMP 20VCEO SMINI 3P Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 20В · Модуляция частот: 1.6GHz · Усиление: 20dB · Мощность макcимальная: 150mW · Тип транзистора: NPN · Ток коллектора (макс): 50mA · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: S-Mini 3P | from 0,00 to 0,00 | Additional information Find at suppliers Buy in store | |
BFS17A,215 | NXP Semiconductors | TRANS NPN 25MA 15V 3GHZ SOT23 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 15V · Модуляция частот: 2.8GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 2.5dB @ 800MHz · Мощность макcимальная: 300mW · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 2mA, 1V · Ток коллектора (макс): 25mA · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 | from 0,00 to 0,00 | Additional information Find at suppliers Buy in store | |
2SC4618TLN | Rohm Semiconductor | TRANS RF NPN 25V 50MA SOT-416 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 25V · Модуляция частот: 300MHz · Мощность макcимальная: 150mW · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 82 @ 1mA, 6V · Ток коллектора (макс): 50mA · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SC-75-3, SOT-416, EMT3, 3-SSMini | from 0,00 to 0,00 | Additional information Find at suppliers Buy in store | |
BFP 182R E7764 | Infineon Technologies | TRANSISTOR RF NPN 12V SOT-143R Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 12В · Модуляция частот: 8GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.3dB @ 900MHz ~ 1.8GHz · Усиление: 22dB · Мощность макcимальная: 250mW · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 8V · Ток коллектора (макс): 35mA · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-143R | from 0,00 | Additional information Find at suppliers Buy in store | |
BFR 181 E6327 | Infineon Technologies | TRANSISTOR NPN RF 12V SOT-23 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 12В · Модуляция частот: 8GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.2dB @ 900MHz ~ 1.8GHz · Усиление: 18.5dB · Мощность макcимальная: 175mW · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 8V · Ток коллектора (макс): 20mA · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-23 | from 0,00 to 0,00 | Additional information Find at suppliers Buy in store | |
BFS17HTC | Diodes/Zetex | TRANSISTOR RF NPN SOT23-3 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 15V · Модуляция частот: 1.3GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 4.5dB @ 500MHz · Мощность макcимальная: 330mW · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 2mA, 1V · Ток коллектора (макс): 25mA · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 | from 0,00 | Additional information Find at suppliers Buy in store | |
BFS17,215 | NXP Semiconductors | TRANS NPN 25MA 15V 1GHZ SOT23 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 15V · Модуляция частот: 1GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 4.5dB @ 500MHz · Мощность макcимальная: 300mW · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 2mA, 1V · Ток коллектора (макс): 25mA · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 | from 0,00 to 0,00 | Additional information Find at suppliers Buy in store | |
PRF947,115 | NXP Semiconductors | TRANSISTOR NPN 10V 8.5GHZ SOT323 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 10V · Модуляция частот: 8.5GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1.5dB ~ 2.1dB @ 1GHz ~ 2GHz · Мощность макcимальная: 250mW · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 5mA, 6V · Ток коллектора (макс): 50mA · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SC-70-3, SOT-323-3 | from 0,00 | Additional information Find at suppliers Buy in store | |
2SC563200L | Panasonic - SSG | TRANS NPN 8VCEO 50MA S-MINI 3P Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 8V · Модуляция частот: 1.1GHz · Мощность макcимальная: 150mW · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 2mA, 4V · Ток коллектора (макс): 50mA · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: S-Mini 3P | from 0,00 to 0,00 | Additional information Find at suppliers Buy in store | |
2SC27780CL | Panasonic - SSG | TRANS NPN 20VCEO 30MA MINI-3 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 20В · Модуляция частот: 230MHz · Мощность макcимальная: 200mW · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 110 @ 1mA, 10V · Ток коллектора (макс): 30mA · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: Mini 3P | from 0,00 to 0,00 | Additional information Find at suppliers Buy in store | |
BFR 380F E6327 | Infineon Technologies | TRANSISTOR RF NPN 6V TSFP-3 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 6V · Модуляция частот: 14GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1.1dB ~ 1.6dB @ 1.8GHz ~ 3GHz · Усиление: 13.5dB ~ 9.5dB · Мощность макcимальная: 380mW · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 90 @ 40mA, 3V · Ток коллектора (макс): 80mA · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: TSFP-3 · Compression Point (P1dB): 17dBm | from 0,00 | Additional information Find at suppliers Buy in store | |
BFS17W,115 | NXP Semiconductors | TRANS NPN 15V 1GHZ SOT323 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 15V · Модуляция частот: 1.6GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 4.5dB @ 500MHz · Мощность макcимальная: 300mW · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 2mA, 1V · Ток коллектора (макс): 50mA · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SC-70-3, SOT-323-3 | from 0,00 to 0,00 | Additional information Find at suppliers Buy in store | |
2SC3932GSL | Panasonic - SSG | TRANS NPN 20VCEO 50MA SMINI-3 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 20В · Модуляция частот: 1.6GHz · Усиление: 20dB · Мощность макcимальная: 150mW · Тип транзистора: NPN · Ток коллектора (макс): 50mA · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: S-Mini 3P | from 0,00 to 0,00 | Additional information Find at suppliers Buy in store | |
2SC3932GTL | Panasonic - SSG | TRANS NPN 20VCEO 50MA SMINI-3 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 20В · Модуляция частот: 1.6GHz · Усиление: 20dB · Мощность макcимальная: 150mW · Тип транзистора: NPN · Ток коллектора (макс): 50mA · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: S-Mini 3P | from 0,00 to 0,00 | Additional information Find at suppliers Buy in store | |
2SC39320SL | Panasonic - SSG | TRANS NPN 20VCEO 50MA SMINI-3P Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 20В · Модуляция частот: 1.6GHz · Усиление: 20dB · Мощность макcимальная: 150mW · Тип транзистора: NPN · Ток коллектора (макс): 50mA · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: S-Mini 3P | from 0,00 to 0,00 | Additional information Find at suppliers Buy in store | |
ZUMTS17HTC | Diodes/Zetex | TRANSISTOR RF NPN SC70-3 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 15V · Модуляция частот: 1.3GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 4.5dB @ 500MHz · Мощность макcимальная: 330mW · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 2mA, 1V · Ток коллектора (макс): 25mA · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SC-70-3, SOT-323-3 | from 0,00 | Additional information Find at suppliers Buy in store | |
BFR 360L3 E6765 | Infineon Technologies | TRANSISTOR NPN RF 6V TSLP-3 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 6V · Модуляция частот: 14GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1dB ~ 1.3dB @ 1.8GHz ~ 3GHz · Усиление: 16dB ~ 11.5dB · Мощность макcимальная: 210mW · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 90 @ 15mA, 3V · Ток коллектора (макс): 35mA · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: TSFP-3 · Compression Point (P1dB): 9dBm | from 0,00 | Additional information Find at suppliers Buy in store | |
BFS17SE6327 | Infineon Technologies | DUAL NPN TRANS RADIO FREQ BROAD Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 15V · Модуляция частот: 2.5GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 3dB ~ 5dB @ 800MHz · Мощность макcимальная: 280mW · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 2mA, 1V · Ток коллектора (макс): 25mA · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363 · Compression Point (P1dB): 11dBm | from 0,00 | Additional information Find at suppliers Buy in store | |
BFR92AW,135 | NXP Semiconductors | TRANS NPN 25MA 15V 5GHZ UMT3 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 15V · Модуляция частот: 5GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 2dB @ 1GHz · Мощность макcимальная: 300mW · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 65 @ 15mA, 10V · Ток коллектора (макс): 25mA · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SC-70-3, SOT-323-3 | from 0,00 | Additional information Find at suppliers Buy in store | |
PRF957,115 | NXP Semiconductors | TRANSISTOR SOT-323 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 10V · Модуляция частот: 8GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1.3dB ~ 1.8dB @ 1GHz ~ 2GHz · Усиление: 14dB · Мощность макcимальная: 270mW · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 5mA, 6V · Ток коллектора (макс): 100mA · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SC-70-3, SOT-323-3 | from 0,00 to 0,00 | Additional information Find at suppliers Buy in store |
© 2006 — 2024 ChipFind Ltd. Contact phone, e-mail, ICQ |
Catalog with parameters for 1,401,534 components | Register • Advertising |