Log in Register |
Photo | Name | Manufacturer | Technical parameters | Prices (rub.) | Buy |
BF240_ND74Z | Fairchild Semiconductor | TRANSISTOR RF NPN 40V 50MA TO-92 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 40В · Модуляция частот: 1.1GHz · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 65 @ 1mA, 10V · Ток коллектора (макс): 50mA · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226 | from 0,00 | Additional information Find at suppliers Buy in store | |
BF494 | Fairchild Semiconductor | TRANSISTOR RF NPN 20V TO-92 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 20В · Мощность макcимальная: 350mW · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 67 @ 1mA, 10V · Ток коллектора (макс): 30mA · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226 | Additional information Find at suppliers Buy in store | ||
BF494_D27Z | Fairchild Semiconductor | TRANSISTOR RF NPN 20V TO-92 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 20В · Мощность макcимальная: 350mW · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 67 @ 1mA, 10V · Ток коллектора (макс): 30mA · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226 | Additional information Find at suppliers Buy in store | ||
BF494_D74Z | Fairchild Semiconductor | TRANSISTOR RF NPN 20V TO-92 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 20В · Мощность макcимальная: 350mW · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 67 @ 1mA, 10V · Ток коллектора (макс): 30mA · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226 | Additional information Find at suppliers Buy in store | ||
BF959 | ON Semiconductor | TRANS RF NPN 20V 100MA TO-92 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 20В · Модуляция частот: 700MHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 3dB @ 200MHz · Мощность макcимальная: 625mW · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V · Ток коллектора (макс): 100mA · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226 | Additional information Find at suppliers Buy in store | ||
BF959G | ON Semiconductor | TRANS RF NPN 20V 100MA TO-92 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 20В · Модуляция частот: 700MHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 3dB @ 200MHz · Мощность макcимальная: 625mW · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V · Ток коллектора (макс): 100mA · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226 | Additional information Find at suppliers Buy in store | ||
BF959RL1 | ON Semiconductor | TRANS RF NPN 20V 100MA TO-92 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 20В · Модуляция частот: 700MHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 3dB @ 200MHz · Мощность макcимальная: 625mW · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V · Ток коллектора (макс): 100mA · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226 | Additional information Find at suppliers Buy in store | ||
BF959RL1G | ON Semiconductor | TRANS RF NPN 20V 100MA TO-92 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 20В · Модуляция частот: 700MHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 3dB @ 200MHz · Мощность макcимальная: 625mW · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V · Ток коллектора (макс): 100mA · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226 | Additional information Find at suppliers Buy in store | ||
BF959ZL1 | ON Semiconductor | TRANS RF NPN 20V 100MA TO-92 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 20В · Модуляция частот: 700MHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 3dB @ 200MHz · Мощность макcимальная: 625mW · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V · Ток коллектора (макс): 100mA · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226 | Additional information Find at suppliers Buy in store | ||
BF959ZL1G | ON Semiconductor | TRANS RF NPN 20V 100MA TO-92 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 20В · Модуляция частот: 700MHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 3dB @ 200MHz · Мощность макcимальная: 625mW · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V · Ток коллектора (макс): 100mA · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226 | Additional information Find at suppliers Buy in store | ||
BFG 135A E6327 | Infineon Technologies | TRANS NPN RF 15V 150MA SOT223 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 15V · Модуляция частот: 6GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1.5dB ~ 2.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz · Мощность макcимальная: 1Вт · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 100mA, 8V · Ток коллектора (макс): 150mA · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-223 (3 leads + Tab), SC-73, TO-261AA | Additional information Find at suppliers Buy in store | ||
BFG 193 E6433 | Infineon Technologies | TRANSISTOR RF NPN 12V SOT-223 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 12В · Модуляция частот: 8GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1dB ~ 1.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz · Усиление: 16dB ~ 10.5dB · Мощность макcимальная: 600mW · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 30mA, 8V · Ток коллектора (макс): 80mA · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-223 (3 leads + Tab), SC-73, TO-261AA | Additional information Find at suppliers Buy in store | ||
BFG 196 E6327 | Infineon Technologies | TRANSISTOR RF NPN 12V SOT-223 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 12В · Модуляция частот: 7.5GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1.3dB ~ 2.3dB @ 900MHz ~ 1.8GHz · Усиление: 14.5dB ~ 9dB · Мощность макcимальная: 800мВт · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 50mA, 8V · Ток коллектора (макс): 150mA · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-223 (3 leads + Tab), SC-73, TO-261AA | Additional information Find at suppliers Buy in store | ||
BFG 19S E6327 | Infineon Technologies | TRANSISTOR RF NPN 15V SOT-223 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 15V · Модуляция частот: 5.5GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 2dB ~ 3dB @ 900MHz ~ 1.8GHz · Усиление: 14dB ~ 8dB · Мощность макcимальная: 1Вт · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 70mA, 8V · Ток коллектора (макс): 210mA · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-223 (3 leads + Tab), SC-73, TO-261AA | Additional information Find at suppliers Buy in store | ||
BFG 235 E6327 | Infineon Technologies | TRANSISTOR RF NPN 15V SOT-223 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 15V · Модуляция частот: 5.5GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1.7dB @ 900MHz · Усиление: 12.5dB · Мощность макcимальная: 2Вт · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 75 @ 200mA, 8V · Ток коллектора (макс): 300mA · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-223 (3 leads + Tab), SC-73, TO-261AA | Additional information Find at suppliers Buy in store | ||
BFG10W/X,115 | NXP Semiconductors | TRANS NPN 10V 250MA SOT343N Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 10V · Модуляция частот: 1.9GHz · Мощность макcимальная: 400мВт · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 50mA, 5V · Ток коллектора (макс): 250mA · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-343N | from 0,00 | Additional information Find at suppliers Buy in store | |
BFG135,115 | NXP Semiconductors | TRANS NPN 150MA 15V 7GHZ SOT223 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 15V · Модуляция частот: 7GHz · Мощность макcимальная: 1Вт · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 100mA, 10V · Ток коллектора (макс): 150mA · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-223 (3 leads + Tab), SC-73, TO-261AA | from 0,00 to 0,00 | Additional information Find at suppliers Buy in store | |
BFG198,115 | NXP Semiconductors | TRANS NPN 10V 8GHZ SOT223 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 10V · Модуляция частот: 8GHz · Мощность макcимальная: 1Вт · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 50mA, 5V · Ток коллектора (макс): 100mA · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-223 (3 leads + Tab), SC-73, TO-261AA | from 0,00 | Additional information Find at suppliers Buy in store | |
BFG21W,115 | NXP Semiconductors | TRANS NPN 15V .5A 18GHZ SOT343R Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 15V · Модуляция частот: 1.9GHz · Мощность макcимальная: 600mW · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 200mA, 2V · Ток коллектора (макс): 500mA · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-343R | from 0,00 to 0,00 | Additional information Find at suppliers Buy in store | |
BFG25A/X,215 | NXP Semiconductors | TRANS NPN 5V 5GHZ SOT143B Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 5V · Модуляция частот: 5GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1.8dB ~ 2dB @ 1GHz · Усиление: 18dB · Мощность макcимальная: 32mW · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 500µA, 1V · Ток коллектора (макс): 6.5mA · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-143, SOT-143B, TO-253AA | from 0,00 | Additional information Find at suppliers Buy in store | |
BFG31,115 | NXP Semiconductors | TRANS PNP 10V 5GHZ SOT223 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 15V · Модуляция частот: 5GHz · Мощность макcимальная: 1Вт · Тип транзистора: PNP · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 70mA, 10V · Ток коллектора (макс): 100mA · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-223 (3 leads + Tab), SC-73, TO-261AA | from 0,00 | Additional information Find at suppliers Buy in store | |
BFG310/XR,215 | NXP Semiconductors | TRANS NPN 4.5V 18GHZ SOT143R Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 6V · Модуляция частот: 14GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1dB @ 2GHz · Усиление: 18.3dB · Мощность макcимальная: 60mW · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 3V · Ток коллектора (макс): 10mA · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-143, SOT-143B, TO-253AA · Compression Point (P1dB): 1.8dBm | from 0,00 to 0,00 | Additional information Find at suppliers Buy in store | |
BFG310W/XR,115 | NXP Semiconductors | TRANS NPN 6V 10MA 14GHZ SOT343R Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 6V · Модуляция частот: 14GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1dB @ 2GHz · Усиление: 18.3dB · Мощность макcимальная: 60mW · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 3V · Ток коллектора (макс): 10mA · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-343R · Compression Point (P1dB): 1.8dBm | from 0,00 to 0,00 | Additional information Find at suppliers Buy in store | |
BFG325/XR,215 | NXP Semiconductors | TRANS NPN 6V 35MA 14GHZ SOT143R Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 6V · Модуляция частот: 14GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1.1dB @ 2GHz · Усиление: 18.3dB · Мощность макcимальная: 210mW · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 15mA, 3V · Ток коллектора (макс): 35mA · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-143, SOT-143B, TO-253AA · Compression Point (P1dB): 8.7dBm | from 0,00 | Additional information Find at suppliers Buy in store | |
BFG325W/XR,115 | NXP Semiconductors | TRANS NPN 6V 35MA 14GHZ SOT343R Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 6V · Модуляция частот: 14GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1.1dB @ 2GHz · Усиление: 18.3dB · Мощность макcимальная: 210mW · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 15mA, 3V · Ток коллектора (макс): 35mA · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-343R · Compression Point (P1dB): 8.7dBm | from 0,00 | Additional information Find at suppliers Buy in store |
© 2006 — 2024 ChipFind Ltd. Contact phone, e-mail, ICQ |
Catalog with parameters for 1,401,534 components | Register • Advertising |