Дискретные полупроводники  ·  MOSFET транзисторы с p-n-переходом

Ток нагрузки (Idss) @ Vds (Vgs=0): 150µA @ 5V  ·  Ток нагрузки (макс): 1mA  ·  Полярность: N-Channel  ·  Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 600mV @ 1µA  ·  Емкость @ Vds: 3.5pF @ 5V  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SOT-623F  ·  Мощность макcимальная: 100mW

Ток нагрузки (Idss) @ Vds (Vgs=0): 500mA @ 15V  ·  Полярность: N-Channel  ·  Напряжение пробоя (V(BR)GSS): 25V  ·  Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 4.5V @ 1µA  ·  Сопротивление - RDS (On): 3 Ohm  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226  ·  Мощность макcимальная: 625mW

Ток нагрузки (Idss) @ Vds (Vgs=0): 500mA @ 15V  ·  Полярность: N-Channel  ·  Напряжение пробоя (V(BR)GSS): 25V  ·  Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 4.5V @ 1µA  ·  Сопротивление - RDS (On): 3 Ohm  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226  ·  Мощность макcимальная: 625mW

Ток нагрузки (Idss) @ Vds (Vgs=0): 200mA @ 15V  ·  Полярность: N-Channel  ·  Напряжение пробоя (V(BR)GSS): 25V  ·  Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 2V @ 1µA  ·  Сопротивление - RDS (On): 6 Ohm  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226  ·  Мощность макcимальная: 625mW

Ток нагрузки (Idss) @ Vds (Vgs=0): 100mA @ 15V  ·  Полярность: N-Channel  ·  Напряжение пробоя (V(BR)GSS): 25V  ·  Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 500mV @ 1µA  ·  Сопротивление - RDS (On): 8 Ohm  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226  ·  Мощность макcимальная: 625mW

Ток нагрузки (Idss) @ Vds (Vgs=0): 80mA @ 15V  ·  Полярность: N-Channel  ·  Напряжение пробоя (V(BR)GSS): 25V  ·  Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 3V @ 10nA  ·  Сопротивление - RDS (On): 8 Ohm  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226  ·  Мощность макcимальная: 625mW

Ток нагрузки (Idss) @ Vds (Vgs=0): 80mA @ 15V  ·  Полярность: N-Channel  ·  Напряжение пробоя (V(BR)GSS): 25V  ·  Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 3V @ 10nA  ·  Сопротивление - RDS (On): 8 Ohm  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226  ·  Мощность макcимальная: 625mW

Ток нагрузки (Idss) @ Vds (Vgs=0): 80mA @ 15V  ·  Напряжение (Vdss): 25V  ·  Полярность: N-Channel  ·  Напряжение пробоя (V(BR)GSS): 25V  ·  Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 2V @ 1µA  ·  Емкость @ Vds: 30pF @ 10V (VGS)  ·  Сопротивление - RDS (On): 12 Ohm  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226  ·  Мощность макcимальная: 400мВт

Ток нагрузки (Idss) @ Vds (Vgs=0): 40mA @ 15V  ·  Полярность: N-Channel  ·  Напряжение пробоя (V(BR)GSS): 25V  ·  Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 2V @ 10nA  ·  Сопротивление - RDS (On): 12 Ohm  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226  ·  Мощность макcимальная: 625mW

Ток нагрузки (Idss) @ Vds (Vgs=0): 40mA @ 15V  ·  Полярность: N-Channel  ·  Напряжение пробоя (V(BR)GSS): 25V  ·  Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 2V @ 10nA  ·  Сопротивление - RDS (On): 12 Ohm  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226  ·  Мощность макcимальная: 625mW

Ток нагрузки (Idss) @ Vds (Vgs=0): 10mA @ 15V  ·  Полярность: N-Channel  ·  Напряжение пробоя (V(BR)GSS): 25V  ·  Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 500mV @ 10nA  ·  Сопротивление - RDS (On): 18 Ohm  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226  ·  Мощность макcимальная: 625mW

Ток нагрузки (Idss) @ Vds (Vgs=0): 10mA @ 15V  ·  Полярность: N-Channel  ·  Напряжение пробоя (V(BR)GSS): 25V  ·  Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 500mV @ 10nA  ·  Сопротивление - RDS (On): 18 Ohm  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226  ·  Мощность макcимальная: 625mW

Ток нагрузки (Idss) @ Vds (Vgs=0): 10mA @ 15V  ·  Полярность: N-Channel  ·  Напряжение пробоя (V(BR)GSS): 25V  ·  Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 500mV @ 1µA  ·  Сопротивление - RDS (On): 18 Ohm  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226  ·  Мощность макcимальная: 310mW