Supplier | Part No | Manufacturer | Price | Stock | |
Magnus Electronics Limited | RK73H2HTTE7501F | Koa | | | |
LIXINC ELECTRONICS LIMITED | JGE7501MC SL8AL | INTEL | | 8810 | |
ООО "СкопЭксим" | ATB2012E-75011M-T | | mult: 0.71$ | 10 | |
SHENZHEN SPARKLE INDUSTRIAL CO LIMITED | RGE7501MC BGA; , D/c: : 21+ | INTEL | | 78137 | |
JGE7501MC BGA; , D/c: : 15+ | INTEL | | 2644 | |
RGE7501MC SL6NV BGA; , D/c: : 19+ | INTEL | | 78138 | |
JGE7501MC SL8AL BGA; , D/c: : 19+ | INTEL | | 76541 | |
Geefook (shenzhen) Electronic Co., Ltd | RGE7501MC Подробнее | Altera (Intel) | 102.13$ | 19080 | |
WK73R2HTTE7501F Подробнее | KOA Speer Electronics, Inc. | 0.0875$ | 35000 | |
WK73R3ATTE7501F Подробнее | KOA Speer Electronics, Inc. | 0.1833$ | 35000 | |
WK73R2JTTE7501F Подробнее | KOA Speer Electronics, Inc. | 0.0795$ | 35000 | |
BETTLINK ELECTRONIC LIMITED | AXE750127A CONN SOCKET .35MM 50POS SMD Подробнее | Panasonic Electric Works | 2.3643$ | 1384 | |
RN55E7501BB14 Metal Film Resistors - Through Hole 1/10watt 7.5Kohms .1% 25ppm Подробнее | Vishay Dale | 0.8568$ | 4952 | |
RN55E7501FB14 Res Metal Film 7.5K Ohm 1% 0.1W(1/10W) 25ppm/C Epoxy AXL Bulk Подробнее | Vishay Dale | 0.5243$ | 234 | |
RK73H3ATTE7501F Thick Film Resistors 1watts 7.5Kohms 1% Подробнее | KOA Speer Electronics, Inc. | 0.4368$ | 7458 | |
RK73H2HTTE7501F Thick Film Resistors 7.5Kohms 1% Подробнее | KOA Speer Electronics, Inc. | 0.142$ | 8867 | |
PTN0603E7501BBT1 NULL Подробнее | Vishay | 0.5674$ | 238 | |
PTN1206E7501BBT1 NULL Подробнее | Vishay | 0.6755$ | 969 | |
PTN0603E7501BST1 Res Thin Film 0603 7.5K Ohm 0.1% 3/20W 25ppm/C Molded SMD SMD T/R Подробнее | Vishay Thin Film | 0.603$ | 260 | |
PTN0402E7501BST1 NULL Подробнее | Vishay | 0.6935$ | 932 | |
MMA02040E7501BB300 MELF Resistors 0.25W 7.5Kohms 0.1% 0204 MELF 200V 15ppm Подробнее | Vishay Beyschlag | 2.849$ | 4497 | |
MMA02040E7501BB100 VISHAY - MMA02040E7501BB100 - RES, MELF, 7K5, 0.1%, 250MW, SMD Подробнее | Vishay | 0.7227$ | 540 | |
ATB2012E-75011M-T01 Signal Conditioning 2.0dB 0.5ohms 150mA 75/75ohms imp. 20VDC Подробнее | TDK Corporation | 0.1164$ | 100722 | |
ATB2012E-75011M-T000 WOUND CHIP BALUN Подробнее | TDK Corporation | 0.2272$ | 3472 | |
Icseek Global Limited | RGE7501MC Оригинальный и наличный и новый | INTEL | | 5296 | |
JGE7501MC Оригинальный и наличный и новый | INTEL | | 8643 | |
JGE7501MCSL8AL Оригинальный и наличный и новый | INTEL | | 8643 | |
RGE7501MC SL6NV Оригинальный и наличный и новый | INTEL | | 5296 | |
JGE7501MC SL8AL Оригинальный и наличный и новый | INTER | | 8643 | |
JGE7501MC SL8AL 868411 Оригинальный и наличный и новый | INTEL | | 8643 | |
RYX ELECTRONIC LIMITED | ATB2012E-75011-T01 Package: : 0805L; , D/c: : 1338+ | TDK | | 1276 | |
Digi-ic_SMART PIONEER electronic | JGE7501MC INTEL E7501 MEMORY CONTROLLER HU Подробнее | Intel | | 6320 | |
ATB2012E-75011M-T01 BALUN 400MHZ-1.8GHZ 75/75 0805 Подробнее | TDK Corporation | | 45386 | |
ATB2012E-75011M-T000 BALUN 400MHZ-1.8GHZ 75/75 0805 Подробнее | TDK Corporation | | 44783 | |
IC STOCK TECHNOLOGY LIMITED | JGE7501MC D/c: : 15+ | INTEL | | 120 | |
RGE7501MC SL6NV D/c: : 0923+ | INTEL | | 339 | |
ATB2012E-75011-T01 D/c: : 15+ | TDK | | 1820 | |
ATB2012E-75011M-T01 D/c: : 15+ | TDK | | 1601 | |
King-YiKu Optoelectronics Co., Ltd. | RGE7501MC 22+; , D/c: : 1013 | INTEL | | | |
JGE7501MC 22+; , D/c: : 1120 | INTEL | | | |
JGE7501MC SL8AL 22+; , D/c: : 1036 | INTEL | | | |
RGE7501MC SL6NV 22+; , D/c: : 1050 | INTEL | | | |
RK73H2HTTE7501F 22+; , D/c: : 1266 | KOA | | | |
ATB2012E-75011-T01 22+; , D/c: : 2820 | TDK | | | |
ATB2012E-75011M-T01 22+; , D/c: : 2601 | TDK | | | |
JGE7501MC SL8AL 868411 22+; , D/c: : 1020 | Intel | | | |
Base of Electronics | KT827B/КБ (2019г), Транзистор NPN, 20А, 60В, h21e=750…18000 [КТ-9 / TO-3] (2N6057) | Кремний | 1375.5 RUB | 100 | |
KT827B/КБ (2019г), Транзистор NPN, 20А, 60В, h21e=750…18000 [КТ-9 / TO-3] (2N6057) | Кремний | 1375.5 RUB | 100 | |
КТ8130В (2019г), Транзистор PNP, 1.5А, 80В, h21e=750…15000 [КТ-27-2 / TO-126] | Кремний | 39.3 RUB | 200 | |
|
Delta Electronics | IE75-01PF,лазер.модуль 650нм 1мВт =IE75-07P11 | | 2574 RUB | 6-8 weeks | |
IE75-01PF,лазер.модуль 650нм 1мВт =IE75-07P11 | | 2535 RUB | 6-8 weeks | |
KT827A/КБ (2019г), Транзистор NPN, 20А, 100В, h21e=750…18000 [КТ-9 / TO-3] (2SD1672) | | 1325 RUB | 330 | |
KT827B/КБ (2019г), Транзистор NPN, 20А, 60В, h21e=750…18000 [КТ-9 / TO-3] (2N6057) | | 1312.5 RUB | 41 | |
КТ8106А (2018г), Транзистор NPN, 20А, 90В, h21e=750…18000 [КТ-43-1 / TO-218] (MJH6286) | | 268.75 RUB | 123 | |
КТ8130А (2020г), Транзистор PNP, 1.5А, 40В, h21e=750…15000 [КТ-27-2 / TO-126] | | 33.76 RUB | 38 | |
КТ8130В (2019г), Транзистор PNP, 1.5А, 80В, h21e=750…15000 [КТ-27-2 / TO-126] | | 33.76 RUB | 720 | |
КТ8218Г (2013-16г), Транзистор NPN, 4А, 100В, h21e=750…15000 [1509.4-1 / TO-251] (MJD112-1) | | 40 RUB | 130 | |
КТ8218Г1 (2013-16г), Транзистор NPN, 4А, 100В, h21e=750…15000 [КТ-89 / TO-252] (MJD112) | | 53.75 RUB | 350 | |
КТ896А (2017-18г), Транзистор PNP, 20А, 90В, h21e=750…18000 [КТ-43-1 / TO-218] (BDW84B) | | 246.25 RUB | 337 | |
ООО "Интегральные схемы" | E7501 | | | from 7 days | |
E7501(*) | | | from 7 days | |
E7501MC-SL6NV | | | from 7 days | |
Aspect | E7501 | | | from 7 days | |
E7501(*) | | | from 7 days | |
E7501MC-SL6NV | | | from 7 days | |