Supplier | Part No | Manufacturer | Price | Stock | |
Altex Russia | IRF7301TRPBF | | | 328, Москва | |
LIXINC ELECTRONICS LIMITED | IRF7301TRPBF | Infineon Technologies | | 17564 | |
IRF7301TRPBF | Infineon Technologies | | 17564 | |
Energy of components | IRF7301TR SOP8 срок поставки 15-27 календарных дней; , D/c: : 2014 | IR | | 5772 | |
IRF7301TRPBF SOP8 срок поставки 15-27 календарных дней; , D/c: : 11+ | IR | | 432 | |
IRF7301TR(white) SOP8 срок поставки 15-27 календарных дней; , D/c: : 2000 | IR | | 114 | |
XПро-актив | IRF7301TR | IR | | Stock | |
ООО ВКС-Электроникс | IRF7301TR | | | 8279 | |
IRF7301TRPBF | | | 1386 | |
IRF7301TRPBF. | | | 3066 | |
Soloviev | IRF7301TR | IR | | Stock | |
BETTLINK ELECTRONIC LIMITED | IRF7301TRPBF MOSFET 2N-CH 20V 5.2A 8-SOIC Подробнее | Infineon Technologies | 0.3351$ | 23351 | |
Icseek Global Limited | IRF7301TR Оригинальный и наличный и новый | IR | | 5246 | |
IRF7301TRPBF Оригинальный и наличный и новый | IR | | 5246 | |
IRF7301TRPBF. Оригинальный и наличный и новый | INFINEON | | 5246 | |
IRF7301TRPBF-EL Оригинальный и наличный и новый | INFINEON | | 5246 | |
HongKong Teyou Huicheng Electronic Technology Limited | IRF7301TR Package: : SOP-8; , D/c: : 22+ | IR | | 55000 | |
IRF7301TRPBF Package: : SOP-8; , D/c: : 22+ | IR/Infineon | | 55000 | |
Digi-ic_SMART PIONEER Electronic | IRF7301TRPBF MOSFET 2N-CH 20V 5.2A 8-SOIC Подробнее | Infineon Technologies | | 169037 | |
IC STOCK TECHNOLOGY LIMITED | IRF7301TR D/c: : 03+ | IR | | 1359 | |
IRF7301TRPBF D/c: : 18+ | INFINEON | | 4136 | |
ИП Куркин В.Ю. | IRF7301TR smd | | 53 RUB mult: 50 RUB | 5 | |
|
King-YiKu Optoelectronics Co., Ltd. | IRF7301TR 22+; , D/c: : 2303 | IR | 8$ | | |
IRF7301TRPBF 22+; , D/c: : 11925 | INFINEON | 8$ | | |
Стандарт СИЗ | IRF7301TRPBF Подробную информацию уточняйте у наших менеджеров. | NXU | | Stock | |
IRF7301TRPBF Подробную информацию уточняйте у наших менеджеров. | JOYIN | | Stock | |
IRF7301TRPBF,2Nкан 20В 5.2А SO8 Подробную информацию уточняйте у наших менеджеров. | Vishay | | Stock | |
Promelektro-1 | IRF7301TRPBF 6-8дней 525; , D/c: : 2014-2022 | | | 2 | |
深圳市诺佰仕商贸有限公司 | IRF7301TRPBF SOP8 | IR | | | |
RIV Electronics | IRF7301TRPBF SOIC8 Транзисторы Минимум 2шт. Подробнее | INF | 104 RUB bulk: 74.44 RUB mult: 66.12 RUB | 200 | |
IRF7301TRPBF [SOIC-8] Транзисторы Минимум 4шт. Подробнее | Infineon | 203 RUB bulk: 144 RUB mult: 143.99 RUB | 3 | |
Acme Chip Technology Co.,Limited | IRF7301TR | VBsemi Elec | | 15151 | |
IRF7301TRPBF MOSFET 2N-CH 20V 5.2A 8SO | Infineon Technologies | | 21413 | |
Base of Electronics | IRF7301TRPBF | IRF/INFI | 61.16 RUB | 37 | |
IRF7301TRPBF | IRF/INFI | 61.16 RUB | 37 | |
IRF7301TRPBF SOIC8 (INF) () | | 113.93 RUB | 2459 | |
ООО "ЭНЕРГОФЛОТ" | IRF7301TRPBF | Infineon | 165.75 RUB | 2 | |
UMW IRF7301TR | UMW | 31.25 RUB | 7000 | |
Kontest | IRF7301TRPBF Сдвоенный N-канальный полевой транзистор (Vds=20V, Id=5.2A@t=25C, Id=4.1A@t=70C) Подробнее | INFINEON | 177.12 RUB | 1 | |
IRF7301TR Сдвоенный N-канальный полевой транзистор (Vds=20V, Id=5.2A@t=25C, Id=4.1A@t=70C) Подробнее | ТАИЛАНД | | | |
IRF7301TRPBFSP001561974INF Подробнее | INFINEON | | | |
IRF7301TRPBFПОЛЕВОЙТРАНЗИСТОРМАЛОСИГНАЛЬНЫЙSP001561974INF Подробнее | INFINEON | | | |
ZelChip | IRF7301TRPBF IRF7301TRPBF, IR Подробнее | | | 4-5 weeks | |
IRF7301TRPBF MOSFET транзистор Подробнее | | | 2-4 weeks | |
AVELСOM SPB | IRF7301TRPBF SOIC8; от 1 шт. | INF | 82.62 RUB bulk: 72.29 RUB | Срок 8 days, 145 | |
IRF7301TRPBF IRF7301TRPBF, Транзистор, HEXFET, 2N-канала, 20В, 5.2А [SOIC-8], транзисторы полевые импортные; от шт. | Infineon | bulk: 170 RUB | Срок 9 days, 2 | |
Delta Electronics | IRF7301TRPBF | | 82.44 RUB | 6-8 weeks | |
IRF7301TRPBF | | 20.75 RUB | 6-8 weeks | |
IRF7301TRPBF SP001561974 INF | | 23.18 RUB | 6-8 weeks | |
IRF7301TRPBF Полевой транзистор малосигнальный SP00156197 | | 23.24 RUB | 6-8 weeks | |
IRF7301TRPBF Полевой транзистор малосигнальный SP001561974 INF | | 26.76 RUB | 6-8 weeks | |
IRF7301TRPBF, транзистор 2Nкан 20В 5.2А SO8 | | 25.63 RUB | 6-8 weeks | |
IRF7301TRPBF | | | 6-8 weeks | |
IRF7301TRPBF, Транзистор, HEXFET, 2N-канала, 20В, 5.2А [SOIC-8] | | 108.76 RUB | 3320 | |
IRF7301TRPBF SO-8 Infineon Technologies транзистор | | 79129.9 RUB | 6-8 weeks | |
IRF7301TRPBF | | | 6-8 weeks | |
IRF7301TRPBF, Транзистор, HEXFET, 2N-канала, 20В, 5.2А [SOIC-8] | | 153.76 RUB | 2 | |
IRF7301TRPBF, транзистор 2N канал 20В 5.2А SO8 | | 94.3 RUB | 6-8 weeks | |
IRF7301TRPBF | | 55 RUB | 37 | |
|
Aspect | IRF7301TR | | | from 7 days | |
IRF7301TR-SMD(T+R) | | | from 7 days | |
IRF7301TRPBF | | | from 7 days | |
IRF7301TRPBF. | | | from 7 days | |
ООО "Интегральные схемы" | IRF7301TR | | | from 7 days | |
IRF7301TR-SMD(T+R) | | | from 7 days | |
IRF7301TRPBF | | | from 7 days | |
IRF7301TRPBF. | | | from 7 days | |
"SINERGY-DISTRIBUTION" LLC | IRF7301TRPBF Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 20В; 5,2А; 2Вт; SO8 | Infineon (IRF) | 570.5 RUB | | |
IRF7301TRPBF MOSFET 2N-CH 20V 5.2A 8-SOIC | Infineon Technologies | | | |
IRF7301TRPBF MOSFET 2N-CH 20V 5.2A 8-SOIC | Infineon Technologies | 1285.79 RUB bulk: 1133.71 RUB mult: 871.02 RUB | 203 | |
IRF7301TRPBF MOSFET 2N-CH 20V 5.2A 8-SOIC | Infineon Technologies | 1285.79 RUB bulk: 1133.71 RUB mult: 871.02 RUB | 203 | |
IRF7301TRPBF Двойной МОП-транзистор, Двойной N Канал, 5.2 А, 20 В, 0.05 Ом, 4.5 В, 700 мВ | INFINEON | 2802.8 RUB bulk: 2018.01 RUB mult: 1659.26 RUB | | |
IRF7301TRPBF Двойной МОП-транзистор, Двойной N Канал, 5.2 А, 20 В, 0.05 Ом, 4.5 В, 700 мВ | INFINEON | 2802.8 RUB bulk: 2018.01 RUB mult: 1659.26 RUB | | |
IRF7301TRPBF MOSFET 2N-CH 20V 5.2A 8-SOIC / Trans MOSFET N-CH Si 20V 5.2A 8-Pin SOIC T/R | Infineon Technologies AG | 73.81 RUB bulk: 60.3 RUB mult: 59.26 RUB | 7100 | |
RadioElement | IRF7301TRPBF, Транзистор, HEXFET, 2N-канала, 20В, 5.2А [SOIC-8] Min order: : 11 Подробнее | Infineon | 172.79 RUB bulk: 166.39 RUB mult: 153.59 RUB | 2, 1 week | |
Triema | IRF7301TR IRF7301TR. Товар в наличии. Доставка по РФ 3-7 дней. Оплата по счету или Сбербанк Онлайн. | | 30 RUB | 2 | |
Symmetron | IRF7301TRPBF Полевой транзистор малосигнальный IRF7301TRPBF; Полярность: 2 N-Channel (Dual); VBR(DSS): 20 В; I d: 5.2 А; Q g: 20 нКл; RDS(On): 50 мОм; Корпус: SO-8 Подробнее PDF | Infineon | | | |