Log in Register |
Photo | Name | Manufacturer | Technical parameters | Prices (rub.) | Buy |
BZX79-C3V0,143 | NXP Semiconductors | DIODE VREG 3.0V 500MW DO-35 Напряжение Зенера номинальное: 3V · Прямое напряжение: 900mV @ 10mA · Обратный ток утечки: 10µA @ 1V · Допустимые отклонения емкости: ±5% · Мощность макcимальная: 400мВт · Полное сопротивление (импеданс): 95 Ohm · Тип монтажа: Through Hole, Axial · Корпус: DO-35, Axial · Operating Temperature: -65°C ~ 200°C | from 0,00 | Additional information Find at suppliers Buy in store | |
BZX79-C2V7,143 | NXP Semiconductors | DIODE VREG 2.7V 500MW DO-35 Напряжение Зенера номинальное: 2.7V · Прямое напряжение: 900mV @ 10mA · Обратный ток утечки: 20µA @ 1V · Допустимые отклонения емкости: ±5% · Мощность макcимальная: 400мВт · Полное сопротивление (импеданс): 100 Ohm · Тип монтажа: Through Hole, Axial · Корпус: DO-35, Axial · Operating Temperature: -65°C ~ 200°C | from 0,00 | Additional information Find at suppliers Buy in store | |
BZX79-C20,143 | NXP Semiconductors | DIODE VREG 20V 500MW DO-35 Напряжение Зенера номинальное: 20В · Прямое напряжение: 900mV @ 10mA · Обратный ток утечки: 50nA @ 14V · Допустимые отклонения емкости: ±5% · Мощность макcимальная: 400мВт · Полное сопротивление (импеданс): 55 Ohm · Тип монтажа: Through Hole, Axial · Корпус: DO-35, Axial · Operating Temperature: -65°C ~ 200°C | from 0,00 | Additional information Find at suppliers Buy in store | |
1N5250BTR | Fairchild Semiconductor | DIODE ZENER 20V 500MW DO-35 Напряжение Зенера номинальное: 20В · Прямое напряжение: 1.2V @ 200mA · Обратный ток утечки: 100nA @ 15V · Допустимые отклонения емкости: ±5% · Мощность макcимальная: 500мВт · Полное сопротивление (импеданс): 25 Ohm · Тип монтажа: Through Hole, Axial · Корпус: DO-35, DO-204AH, Axial · Operating Temperature: -65°C ~ 200°C | from 0,00 | Additional information Find at suppliers Buy in store | |
BZX79-C3V9,143 | NXP Semiconductors | DIODE VREG 3.9V 500MW DO-35 Напряжение Зенера номинальное: 3.9V · Прямое напряжение: 900mV @ 10mA · Обратный ток утечки: 3µA @ 1V · Допустимые отклонения емкости: ±5% · Мощность макcимальная: 400мВт · Полное сопротивление (импеданс): 90 Ohm · Тип монтажа: Through Hole, Axial · Корпус: DO-35, Axial · Operating Temperature: -65°C ~ 200°C | from 0,00 | Additional information Find at suppliers Buy in store | |
BZX79-C75,143 | NXP Semiconductors | DIODE VREG 75V 500MW DO-35 Напряжение Зенера номинальное: 75V · Прямое напряжение: 900mV @ 10mA · Обратный ток утечки: 50nA @ 52.5V · Допустимые отклонения емкости: ±5% · Мощность макcимальная: 400мВт · Полное сопротивление (импеданс): 255 Ohm · Тип монтажа: Through Hole, Axial · Корпус: DO-35, Axial · Operating Temperature: -65°C ~ 200°C | from 0,00 | Additional information Find at suppliers Buy in store | |
BZX79-C3V3,143 | NXP Semiconductors | DIODE VREG 3.3V 500MW DO-35 Напряжение Зенера номинальное: 3.3V · Прямое напряжение: 900mV @ 10mA · Обратный ток утечки: 5µA @ 1V · Допустимые отклонения емкости: ±5% · Мощность макcимальная: 400мВт · Полное сопротивление (импеданс): 95 Ohm · Тип монтажа: Through Hole, Axial · Корпус: DO-35, Axial · Operating Temperature: -65°C ~ 200°C | from 0,00 | Additional information Find at suppliers Buy in store | |
BZX79-C62,143 | NXP Semiconductors | DIODE VREG 62V 500MW DO-35 Напряжение Зенера номинальное: 62V · Прямое напряжение: 900mV @ 10mA · Обратный ток утечки: 50nA @ 43.4V · Допустимые отклонения емкости: ±5% · Мощность макcимальная: 400мВт · Полное сопротивление (импеданс): 215 Ohm · Тип монтажа: Through Hole, Axial · Корпус: DO-35, Axial · Operating Temperature: -65°C ~ 200°C | from 0,00 | Additional information Find at suppliers Buy in store | |
1N5256BTR | Fairchild Semiconductor | DIODE ZENER 30V 500MW DO-35 Напряжение Зенера номинальное: 30В · Прямое напряжение: 1.2V @ 200mA · Обратный ток утечки: 100nA @ 23V · Допустимые отклонения емкости: ±5% · Мощность макcимальная: 500мВт · Полное сопротивление (импеданс): 49 Ohm · Тип монтажа: Through Hole, Axial · Корпус: DO-35, DO-204AH, Axial · Operating Temperature: -65°C ~ 200°C | from 0,00 | Additional information Find at suppliers Buy in store | |
BZX79-C7V5,143 | NXP Semiconductors | DIODE VREG 7.5V 500MW DO-35 Напряжение Зенера номинальное: 7.5V · Прямое напряжение: 900mV @ 10mA · Обратный ток утечки: 1µA @ 5V · Допустимые отклонения емкости: ±5% · Мощность макcимальная: 400мВт · Полное сопротивление (импеданс): 15 Ohm · Тип монтажа: Through Hole, Axial · Корпус: DO-35, Axial · Operating Temperature: -65°C ~ 200°C | from 0,00 | Additional information Find at suppliers Buy in store | |
BZX79-C10,143 | NXP Semiconductors | DIODE VREG 10V 500MW DO-35 Напряжение Зенера номинальное: 10V · Прямое напряжение: 900mV @ 10mA · Обратный ток утечки: 200nA @ 7V · Допустимые отклонения емкости: ±5% · Мощность макcимальная: 400мВт · Полное сопротивление (импеданс): 20 Ohm · Тип монтажа: Through Hole, Axial · Корпус: DO-35, Axial · Operating Temperature: -65°C ~ 200°C | from 0,00 | Additional information Find at suppliers Buy in store | |
1N5230B_T50R | Fairchild Semiconductor | DIODE ZENER 4.7V 500MW DO-35 Напряжение Зенера номинальное: 4.7V · Прямое напряжение: 1.2V @ 200mA · Обратный ток утечки: 2µA @ 1V · Допустимые отклонения емкости: ±5% · Мощность макcимальная: 500мВт · Полное сопротивление (импеданс): 19 Ohm · Тип монтажа: Through Hole, Axial · Корпус: DO-35, DO-204AH, Axial · Operating Temperature: -65°C ~ 200°C | from 0,00 | Additional information Find at suppliers Buy in store | |
1N5251BTR | Fairchild Semiconductor | DIODE ZENER 22V 500MW DO-35 Напряжение Зенера номинальное: 22V · Прямое напряжение: 1.2V @ 200mA · Обратный ток утечки: 100nA @ 17V · Допустимые отклонения емкости: ±5% · Мощность макcимальная: 500мВт · Полное сопротивление (импеданс): 29 Ohm · Тип монтажа: Through Hole, Axial · Корпус: DO-35, DO-204AH, Axial · Operating Temperature: -65°C ~ 200°C | from 0,00 | Additional information Find at suppliers Buy in store | |
BZX79-C27,143 | NXP Semiconductors | DIODE VREG 27V 500MW DO-35 Напряжение Зенера номинальное: 27V · Прямое напряжение: 900mV @ 10mA · Обратный ток утечки: 50nA @ 18.9V · Допустимые отклонения емкости: ±5% · Мощность макcимальная: 400мВт · Полное сопротивление (импеданс): 80 Ohm · Тип монтажа: Through Hole, Axial · Корпус: DO-35, Axial · Operating Temperature: -65°C ~ 200°C | from 0,00 | Additional information Find at suppliers Buy in store | |
BZX79-C18,143 | NXP Semiconductors | DIODE VREG 18V 500MW DO-35 Напряжение Зенера номинальное: 18В · Прямое напряжение: 900mV @ 10mA · Обратный ток утечки: 50nA @ 12.6V · Допустимые отклонения емкости: ±5% · Мощность макcимальная: 400мВт · Полное сопротивление (импеданс): 45 Ohm · Тип монтажа: Through Hole, Axial · Корпус: DO-35, Axial · Operating Temperature: -65°C ~ 200°C | from 0,00 | Additional information Find at suppliers Buy in store | |
1N748ATR | Fairchild Semiconductor | DIODE ZENER 3.9V 500MW DO-35 Напряжение Зенера номинальное: 3.9V · Прямое напряжение: 1.5V @ 200mA · Обратный ток утечки: 10µA @ 1V · Допустимые отклонения емкости: ±5% · Мощность макcимальная: 500мВт · Полное сопротивление (импеданс): 23 Ohm · Тип монтажа: Through Hole, Axial · Корпус: DO-35, DO-204AH, Axial · Operating Temperature: -65°C ~ 200°C | from 0,00 | Additional information Find at suppliers Buy in store | |
BZX79-C47,143 | NXP Semiconductors | DIODE VREG 47V 500MW DO-35 Напряжение Зенера номинальное: 47V · Прямое напряжение: 900mV @ 10mA · Обратный ток утечки: 50nA @ 32.9V · Допустимые отклонения емкости: ±5% · Мощность макcимальная: 400мВт · Полное сопротивление (импеданс): 170 Ohm · Тип монтажа: Through Hole, Axial · Корпус: DO-35, Axial · Operating Temperature: -65°C ~ 200°C | from 0,00 | Additional information Find at suppliers Buy in store | |
1N5234BTR | Fairchild Semiconductor | DIODE ZENER 6.2V 500MW DO-35 Напряжение Зенера номинальное: 6.2V · Прямое напряжение: 1.2V @ 200mA · Обратный ток утечки: 5µA @ 4V · Допустимые отклонения емкости: ±5% · Мощность макcимальная: 500мВт · Полное сопротивление (импеданс): 7 Ohm · Тип монтажа: Through Hole, Axial · Корпус: DO-35, DO-204AH, Axial · Operating Temperature: -65°C ~ 200°C | from 0,00 | Additional information Find at suppliers Buy in store | |
1N5246BTR | Fairchild Semiconductor | DIODE ZENER 16V 500MW DO-35 Напряжение Зенера номинальное: 16V · Прямое напряжение: 1.2V @ 200mA · Обратный ток утечки: 100nA @ 12V · Допустимые отклонения емкости: ±5% · Мощность макcимальная: 500мВт · Полное сопротивление (импеданс): 17 Ohm · Тип монтажа: Through Hole, Axial · Корпус: DO-35, DO-204AH, Axial · Operating Temperature: -65°C ~ 200°C | from 0,00 | Additional information Find at suppliers Buy in store | |
1N5238BTR | Fairchild Semiconductor | DIODE ZENER 8.7V 500MW DO-35 Напряжение Зенера номинальное: 8.7V · Прямое напряжение: 1.2V @ 200mA · Обратный ток утечки: 3µA @ 6.5V · Допустимые отклонения емкости: ±5% · Мощность макcимальная: 500мВт · Полное сопротивление (импеданс): 8 Ohm · Тип монтажа: Through Hole, Axial · Корпус: DO-35, DO-204AH, Axial · Operating Temperature: -65°C ~ 200°C | from 0,00 | Additional information Find at suppliers Buy in store | |
BZX79-C12,143 | NXP Semiconductors | DIODE VREG 12V 500MW DO-35 Напряжение Зенера номинальное: 12В · Прямое напряжение: 900mV @ 10mA · Обратный ток утечки: 100nA @ 8V · Допустимые отклонения емкости: ±5% · Мощность макcимальная: 400мВт · Полное сопротивление (импеданс): 25 Ohm · Тип монтажа: Through Hole, Axial · Корпус: DO-35, Axial · Operating Temperature: -65°C ~ 200°C | from 0,00 | Additional information Find at suppliers Buy in store | |
BZX79-C6V2,143 | NXP Semiconductors | DIODE VREG 6.2V 500MW DO-35 Напряжение Зенера номинальное: 6.2V · Прямое напряжение: 900mV @ 10mA · Обратный ток утечки: 3µA @ 4V · Допустимые отклонения емкости: ±5% · Мощность макcимальная: 400мВт · Полное сопротивление (импеданс): 10 Ohm · Тип монтажа: Through Hole, Axial · Корпус: DO-35, Axial · Operating Temperature: -65°C ~ 200°C | from 0,00 | Additional information Find at suppliers Buy in store | |
1N5223B_T50R | Fairchild Semiconductor | DIODE ZENER 2.7V 500MW DO-35 Напряжение Зенера номинальное: 2.7V · Прямое напряжение: 1.2V @ 200mA · Обратный ток утечки: 75µA @ 1V · Допустимые отклонения емкости: ±5% · Мощность макcимальная: 500мВт · Полное сопротивление (импеданс): 30 Ohm · Тип монтажа: Through Hole, Axial · Корпус: DO-35, DO-204AH, Axial · Operating Temperature: -65°C ~ 200°C | from 0,00 | Additional information Find at suppliers Buy in store | |
BZX79-C33,143 | NXP Semiconductors | DIODE VREG 33V 500MW DO-35 Напряжение Зенера номинальное: 33V · Прямое напряжение: 900mV @ 10mA · Обратный ток утечки: 50nA @ 23.1V · Допустимые отклонения емкости: ±5% · Мощность макcимальная: 400мВт · Полное сопротивление (импеданс): 80 Ohm · Тип монтажа: Through Hole, Axial · Корпус: DO-35, Axial · Operating Temperature: -65°C ~ 200°C | from 0,00 | Additional information Find at suppliers Buy in store | |
1N5257BTR | Fairchild Semiconductor | DIODE ZENER 33V 500MW DO-35 Напряжение Зенера номинальное: 33V · Прямое напряжение: 1.2V @ 200mA · Обратный ток утечки: 100nA @ 25V · Допустимые отклонения емкости: ±5% · Мощность макcимальная: 500мВт · Полное сопротивление (импеданс): 58 Ohm · Тип монтажа: Through Hole, Axial · Корпус: DO-35, DO-204AH, Axial · Operating Temperature: -65°C ~ 200°C | from 0,00 | Additional information Find at suppliers Buy in store |
© 2006 — 2024 ChipFind Ltd. Contact phone, e-mail, ICQ |
Catalog with parameters for 1,401,534 components | Register • Advertising |