Log in    Register
ChipFind Component Selection Catalog
For example: transistor, max232, lt319a
  

Дискретные полупроводники  ·  Диоды Зеннера (одиночные)
Производитель












Серия

Напряжение Зенера номинальное

















































































Прямое напряжение

















Обратный ток утечки




























































































































































































































































































































































































































































































































































































































































Допустимые отклонения емкости




































Мощность макcимальная

























Полное сопротивление (импеданс)


























































































































































Тип монтажа


Корпус



























































 
PhotoNameManufacturerTechnical parametersPrices (rub.)Buy
BZX84-A5V6,215NXP SemiconductorsDIODE VREG 5.6V 250MW SOT-23
Напряжение Зенера номинальное: 5.6V  ·  Прямое напряжение: 900mV @ 10mA  ·  Обратный ток утечки: 1µA @ 2V  ·  Допустимые отклонения емкости: ±1%  ·  Мощность макcимальная: 250mW  ·  Полное сопротивление (импеданс): 40 Ohm  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3  ·  Operating Temperature: -65°C ~ 150°C
from 0,00Additional information
Find at suppliers
Buy in store
BZX79-C5V6,143NXP SemiconductorsDIODE VREG 5.6V 500MW DO-35
Напряжение Зенера номинальное: 5.6V  ·  Прямое напряжение: 900mV @ 10mA  ·  Обратный ток утечки: 1µA @ 2V  ·  Допустимые отклонения емкости: ±5%  ·  Мощность макcимальная: 400мВт  ·  Полное сопротивление (импеданс): 40 Ohm  ·  Тип монтажа: Through Hole, Axial  ·  Корпус: DO-35, Axial  ·  Operating Temperature: -65°C ~ 200°C
from 0,00Additional information
Find at suppliers
Buy in store
BZX79-B5V6,143NXP SemiconductorsDIODE VREG 5.6V 500MW DO-35
Напряжение Зенера номинальное: 5.6V  ·  Прямое напряжение: 900mV @ 10mA  ·  Обратный ток утечки: 1µA @ 2V  ·  Допустимые отклонения емкости: ±2%  ·  Мощность макcимальная: 400мВт  ·  Полное сопротивление (импеданс): 40 Ohm  ·  Тип монтажа: Through Hole, Axial  ·  Корпус: DO-35, Axial  ·  Operating Temperature: -65°C ~ 200°C
from 0,00Additional information
Find at suppliers
Buy in store
BZV85-C51,133NXP SemiconductorsDIODE VREG 51V 1.3W DO-41
Напряжение Зенера номинальное: 51V  ·  Прямое напряжение: 1V @ 50mA  ·  Обратный ток утечки: 50nA @ 36V  ·  Допустимые отклонения емкости: ±5%  ·  Мощность макcимальная: 1.3W  ·  Полное сопротивление (импеданс): 125 Ohm  ·  Тип монтажа: Through Hole, Axial  ·  Корпус: DO-41, Axial  ·  Operating Temperature: -65°C ~ 200°C
from 0,00Additional information
Find at suppliers
Buy in store
BZX84-A51,215NXP SemiconductorsDIODE VREG 51V 250MW SOT-23
Напряжение Зенера номинальное: 51V  ·  Прямое напряжение: 900mV @ 10mA  ·  Обратный ток утечки: 50nA @ 35.7V  ·  Допустимые отклонения емкости: ±1%  ·  Мощность макcимальная: 250mW  ·  Полное сопротивление (импеданс): 180 Ohm  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3  ·  Operating Temperature: -65°C ~ 150°C
from 0,00Additional information
Find at suppliers
Buy in store
BZX79-B51,133NXP SemiconductorsDIODE VREG 51V 500MW DO-35
Напряжение Зенера номинальное: 51V  ·  Прямое напряжение: 900mV @ 10mA  ·  Обратный ток утечки: 50nA @ 35.7V  ·  Допустимые отклонения емкости: ±2%  ·  Мощность макcимальная: 400мВт  ·  Полное сопротивление (импеданс): 180 Ohm  ·  Тип монтажа: Through Hole, Axial  ·  Корпус: DO-35, Axial  ·  Operating Temperature: -65°C ~ 200°C
from 0,00Additional information
Find at suppliers
Buy in store
BZX79-B51,143NXP SemiconductorsDIODE VREG 51V 500MW DO-35
Напряжение Зенера номинальное: 51V  ·  Прямое напряжение: 900mV @ 10mA  ·  Обратный ток утечки: 50nA @ 35.7V  ·  Допустимые отклонения емкости: ±2%  ·  Мощность макcимальная: 400мВт  ·  Полное сопротивление (импеданс): 180 Ohm  ·  Тип монтажа: Through Hole, Axial  ·  Корпус: DO-35, Axial  ·  Operating Temperature: -65°C ~ 200°C
from 0,00Additional information
Find at suppliers
Buy in store
BZX79-C51,143NXP SemiconductorsDIODE VREG 51V 500MW DO-35
Напряжение Зенера номинальное: 51V  ·  Прямое напряжение: 900mV @ 10mA  ·  Обратный ток утечки: 50nA @ 35.7V  ·  Допустимые отклонения емкости: ±5%  ·  Мощность макcимальная: 400мВт  ·  Полное сопротивление (импеданс): 180 Ohm  ·  Тип монтажа: Through Hole, Axial  ·  Корпус: DO-35, Axial  ·  Operating Temperature: -65°C ~ 200°C
from 0,00Additional information
Find at suppliers
Buy in store
BZV85-C56,133NXP SemiconductorsDIODE VREG 56V 1.3W DO-41
Напряжение Зенера номинальное: 56V  ·  Прямое напряжение: 1V @ 50mA  ·  Обратный ток утечки: 50nA @ 39V  ·  Допустимые отклонения емкости: ±5%  ·  Мощность макcимальная: 1.3W  ·  Полное сопротивление (импеданс): 150 Ohm  ·  Тип монтажа: Through Hole, Axial  ·  Корпус: DO-41, Axial  ·  Operating Temperature: -65°C ~ 200°C
from 0,00Additional information
Find at suppliers
Buy in store
BZX79-B56,133NXP SemiconductorsDIODE VREG 56V 500MW DO-35
Напряжение Зенера номинальное: 56V  ·  Прямое напряжение: 900mV @ 10mA  ·  Обратный ток утечки: 50nA @ 39.2V  ·  Допустимые отклонения емкости: ±2%  ·  Мощность макcимальная: 400мВт  ·  Полное сопротивление (импеданс): 200 Ohm  ·  Тип монтажа: Through Hole, Axial  ·  Корпус: DO-35, Axial  ·  Operating Temperature: -65°C ~ 200°C
from 0,00Additional information
Find at suppliers
Buy in store
BZX79-C56,143NXP SemiconductorsDIODE VREG 56V 500MW DO-35
Напряжение Зенера номинальное: 56V  ·  Прямое напряжение: 900mV @ 10mA  ·  Обратный ток утечки: 50nA @ 39.2V  ·  Допустимые отклонения емкости: ±5%  ·  Мощность макcимальная: 400мВт  ·  Полное сопротивление (импеданс): 200 Ohm  ·  Тип монтажа: Through Hole, Axial  ·  Корпус: DO-35, Axial  ·  Operating Temperature: -65°C ~ 200°C
from 0,00Additional information
Find at suppliers
Buy in store
BZX79-B56,143NXP SemiconductorsDIODE VREG 56V 500MW DO-35
Напряжение Зенера номинальное: 56V  ·  Прямое напряжение: 900mV @ 10mA  ·  Обратный ток утечки: 50nA @ 39.2V  ·  Допустимые отклонения емкости: ±2%  ·  Мощность макcимальная: 400мВт  ·  Полное сопротивление (импеданс): 200 Ohm  ·  Тип монтажа: Through Hole, Axial  ·  Корпус: DO-35, Axial  ·  Operating Temperature: -65°C ~ 200°C
from 0,00Additional information
Find at suppliers
Buy in store
BZV85-C6V2,133NXP SemiconductorsDIODE VREG 6.2V 1.3W DO-41
Напряжение Зенера номинальное: 6.2V  ·  Прямое напряжение: 1V @ 50mA  ·  Обратный ток утечки: 2µA @ 3V  ·  Допустимые отклонения емкости: ±5%  ·  Мощность макcимальная: 1.3W  ·  Полное сопротивление (импеданс): 4 Ohm  ·  Тип монтажа: Through Hole, Axial  ·  Корпус: DO-41, Axial  ·  Operating Temperature: -65°C ~ 200°C
from 0,00Additional information
Find at suppliers
Buy in store
1N4735A,133NXP SemiconductorsDIODE VREG 6.2V 146MA DO-41
Напряжение Зенера номинальное: 6.2V  ·  Прямое напряжение: 1.2V @ 200mA  ·  Обратный ток утечки: 10µA @ 3V  ·  Допустимые отклонения емкости: ±5%  ·  Мощность макcимальная: 1Вт  ·  Полное сопротивление (импеданс): 2 Ohm  ·  Тип монтажа: Through Hole, Axial  ·  Корпус: DO-41, Axial  ·  Operating Temperature: -65°C ~ 200°C
from 0,00Additional information
Find at suppliers
Buy in store
BZX84-A6V2,215NXP SemiconductorsDIODE VREG 6.2V 250MW SOT-23
Напряжение Зенера номинальное: 6.2V  ·  Прямое напряжение: 900mV @ 10mA  ·  Обратный ток утечки: 3µA @ 4V  ·  Допустимые отклонения емкости: ±1%  ·  Мощность макcимальная: 250mW  ·  Полное сопротивление (импеданс): 10 Ohm  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3  ·  Operating Temperature: -65°C ~ 150°C
from 0,00Additional information
Find at suppliers
Buy in store
BZX79-B6V2,143NXP SemiconductorsDIODE VREG 6.2V 500MW DO-35
Напряжение Зенера номинальное: 6.2V  ·  Прямое напряжение: 900mV @ 10mA  ·  Обратный ток утечки: 3µA @ 4V  ·  Допустимые отклонения емкости: ±2%  ·  Мощность макcимальная: 400мВт  ·  Полное сопротивление (импеданс): 10 Ohm  ·  Тип монтажа: Through Hole, Axial  ·  Корпус: DO-35, Axial  ·  Operating Temperature: -65°C ~ 200°C
from 0,00Additional information
Find at suppliers
Buy in store
BZX79-C6V2,143NXP SemiconductorsDIODE VREG 6.2V 500MW DO-35
Напряжение Зенера номинальное: 6.2V  ·  Прямое напряжение: 900mV @ 10mA  ·  Обратный ток утечки: 3µA @ 4V  ·  Допустимые отклонения емкости: ±5%  ·  Мощность макcимальная: 400мВт  ·  Полное сопротивление (импеданс): 10 Ohm  ·  Тип монтажа: Through Hole, Axial  ·  Корпус: DO-35, Axial  ·  Operating Temperature: -65°C ~ 200°C
from 0,00Additional information
Find at suppliers
Buy in store
BZV85-C6V8,133NXP SemiconductorsDIODE VREG 6.8V 1.3W DO-41
Напряжение Зенера номинальное: 6.8V  ·  Прямое напряжение: 1V @ 50mA  ·  Обратный ток утечки: 2µA @ 4V  ·  Допустимые отклонения емкости: ±5%  ·  Мощность макcимальная: 1.3W  ·  Полное сопротивление (импеданс): 3.5 Ohm  ·  Тип монтажа: Through Hole, Axial  ·  Корпус: DO-41, Axial  ·  Operating Temperature: -65°C ~ 200°C
from 0,00Additional information
Find at suppliers
Buy in store
1N4736A,133NXP SemiconductorsDIODE VREG 6.8V 133MA DO-41
Напряжение Зенера номинальное: 6.8V  ·  Прямое напряжение: 1.2V @ 200mA  ·  Обратный ток утечки: 10µA @ 4V  ·  Допустимые отклонения емкости: ±5%  ·  Мощность макcимальная: 1Вт  ·  Полное сопротивление (импеданс): 3.5 Ohm  ·  Тип монтажа: Through Hole, Axial  ·  Корпус: DO-41, Axial  ·  Operating Temperature: -65°C ~ 200°C
from 0,00Additional information
Find at suppliers
Buy in store
BZX84-A6V8,215NXP SemiconductorsDIODE VREG 6.8V 250MW SOT-23
Напряжение Зенера номинальное: 6.8V  ·  Прямое напряжение: 900mV @ 10mA  ·  Обратный ток утечки: 2µA @ 4V  ·  Допустимые отклонения емкости: ±1%  ·  Мощность макcимальная: 250mW  ·  Полное сопротивление (импеданс): 15 Ohm  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3  ·  Operating Temperature: -65°C ~ 150°C
from 0,00Additional information
Find at suppliers
Buy in store
BZX79-C6V8,143NXP SemiconductorsDIODE VREG 6.8V 500MW DO-35
Напряжение Зенера номинальное: 6.8V  ·  Прямое напряжение: 900mV @ 10mA  ·  Обратный ток утечки: 2µA @ 4V  ·  Допустимые отклонения емкости: ±5%  ·  Мощность макcимальная: 400мВт  ·  Полное сопротивление (импеданс): 15 Ohm  ·  Тип монтажа: Through Hole, Axial  ·  Корпус: DO-35, Axial  ·  Operating Temperature: -65°C ~ 200°C
from 0,00Additional information
Find at suppliers
Buy in store
BZX79-B6V8,143NXP SemiconductorsDIODE VREG 6.8V 500MW DO-35
Напряжение Зенера номинальное: 6.8V  ·  Прямое напряжение: 900mV @ 10mA  ·  Обратный ток утечки: 2µA @ 4V  ·  Допустимые отклонения емкости: ±2%  ·  Мощность макcимальная: 400мВт  ·  Полное сопротивление (импеданс): 15 Ohm  ·  Тип монтажа: Through Hole, Axial  ·  Корпус: DO-35, Axial  ·  Operating Temperature: -65°C ~ 200°C
from 0,00Additional information
Find at suppliers
Buy in store
BZV85-C62,133NXP SemiconductorsDIODE VREG 62V 1.3W DO-41
Напряжение Зенера номинальное: 62V  ·  Прямое напряжение: 1V @ 50mA  ·  Обратный ток утечки: 50nA @ 43V  ·  Допустимые отклонения емкости: ±5%  ·  Мощность макcимальная: 1.3W  ·  Полное сопротивление (импеданс): 175 Ohm  ·  Тип монтажа: Through Hole, Axial  ·  Корпус: DO-41, Axial  ·  Operating Temperature: -65°C ~ 200°C
from 0,00Additional information
Find at suppliers
Buy in store
BZX79-B62,133NXP SemiconductorsDIODE VREG 62V 500MW DO-35
Напряжение Зенера номинальное: 62V  ·  Прямое напряжение: 900mV @ 10mA  ·  Обратный ток утечки: 50nA @ 43.4V  ·  Допустимые отклонения емкости: ±2%  ·  Мощность макcимальная: 400мВт  ·  Полное сопротивление (импеданс): 215 Ohm  ·  Тип монтажа: Through Hole, Axial  ·  Корпус: DO-35, Axial  ·  Operating Temperature: -65°C ~ 200°C
from 0,00Additional information
Find at suppliers
Buy in store
BZX79-B62,143NXP SemiconductorsDIODE VREG 62V 500MW DO-35
Напряжение Зенера номинальное: 62V  ·  Прямое напряжение: 900mV @ 10mA  ·  Обратный ток утечки: 50nA @ 43.4V  ·  Допустимые отклонения емкости: ±2%  ·  Мощность макcимальная: 400мВт  ·  Полное сопротивление (импеданс): 215 Ohm  ·  Тип монтажа: Through Hole, Axial  ·  Корпус: DO-35, Axial  ·  Operating Temperature: -65°C ~ 200°C
from 0,00Additional information
Find at suppliers
Buy in store
← Ctrl  1 ... 3456789 ... 304  Ctrl →
© 2006 — 2024 ChipFind Ltd.
Contact phone, e-mail, ICQ		 Catalog with parameters for 1,401,534 components Register • Advertising