Log in Register |
Photo | Name | Manufacturer | Technical parameters | Prices (rub.) | Buy |
BZX79C5V6_T50R | Fairchild Semiconductor | DIODE ZENER 5.6V 500MW DO-35 Напряжение Зенера номинальное: 5.6V · Прямое напряжение: 1.5V @ 100mA · Обратный ток утечки: 1µA @ 2V · Допустимые отклонения емкости: ±5% · Мощность макcимальная: 500мВт · Полное сопротивление (импеданс): 40 Ohm · Тип монтажа: Through Hole, Axial · Корпус: DO-35, DO-204AH, Axial · Operating Temperature: -65°C ~ 200°C | from 0,00 | Additional information Find at suppliers Buy in store | |
1N968BTR | Fairchild Semiconductor | DIODE ZENER 20V 500MW DO-35 Напряжение Зенера номинальное: 20В · Обратный ток утечки: 5µA @ 15.2V · Допустимые отклонения емкости: ±5% · Мощность макcимальная: 500мВт · Полное сопротивление (импеданс): 25 Ohm · Тип монтажа: Through Hole, Axial · Корпус: DO-35, DO-204AH, Axial · Operating Temperature: -65°C ~ 200°C | from 0,00 | Additional information Find at suppliers Buy in store | |
BZX79C5V6TR | Fairchild Semiconductor | DIODE ZENER 5.6V 500MW DO-35 Напряжение Зенера номинальное: 5.6V · Прямое напряжение: 1.5V @ 100mA · Обратный ток утечки: 1µA @ 2V · Допустимые отклонения емкости: ±5% · Мощность макcимальная: 500мВт · Полное сопротивление (импеданс): 40 Ohm · Тип монтажа: Through Hole, Axial · Корпус: DO-35, DO-204AH, Axial · Operating Temperature: -65°C ~ 200°C | from 0,00 | Additional information Find at suppliers Buy in store | |
BZX79C6V2_T50R | Fairchild Semiconductor | DIODE ZENER 6.2V 500MW DO-35 Напряжение Зенера номинальное: 6.2V · Прямое напряжение: 1.5V @ 100mA · Обратный ток утечки: 3µA @ 4V · Допустимые отклонения емкости: ±5% · Мощность макcимальная: 500мВт · Полное сопротивление (импеданс): 10 Ohm · Тип монтажа: Through Hole, Axial · Корпус: DO-35, DO-204AH, Axial · Operating Temperature: -65°C ~ 200°C | from 0,00 | Additional information Find at suppliers Buy in store | |
BZX79C4V7_T50R | Fairchild Semiconductor | DIODE ZENER 4.7V 500MW DO-35 Напряжение Зенера номинальное: 4.7V · Прямое напряжение: 1.5V @ 100mA · Обратный ток утечки: 3µA @ 2V · Допустимые отклонения емкости: ±5% · Мощность макcимальная: 500мВт · Полное сопротивление (импеданс): 80 Ohm · Тип монтажа: Through Hole, Axial · Корпус: DO-35, DO-204AH, Axial · Operating Temperature: -65°C ~ 200°C | from 0,00 | Additional information Find at suppliers Buy in store | |
BZX55C13_T50R | Fairchild Semiconductor | DIODE ZENER 13V 500MW DO-35 Напряжение Зенера номинальное: 13V · Прямое напряжение: 1.3V @ 100mA · Обратный ток утечки: 100nA @ 10V · Допустимые отклонения емкости: ±5% · Мощность макcимальная: 500мВт · Полное сопротивление (импеданс): 26 Ohm · Тип монтажа: Through Hole, Axial · Корпус: DO-35, DO-204AH, Axial · Operating Temperature: -65°C ~ 200°C | from 0,00 | Additional information Find at suppliers Buy in store | |
1N965BTR | Fairchild Semiconductor | DIODE ZENER 15V 500MW DO-35 Напряжение Зенера номинальное: 15V · Обратный ток утечки: 5µA @ 11.4V · Допустимые отклонения емкости: ±5% · Мощность макcимальная: 500мВт · Полное сопротивление (импеданс): 16 Ohm · Тип монтажа: Through Hole, Axial · Корпус: DO-35, DO-204AH, Axial · Operating Temperature: -65°C ~ 200°C | from 0,00 | Additional information Find at suppliers Buy in store | |
BZX55C8V2_T50R | Fairchild Semiconductor | DIODE ZENER 8.2V 500MW DO-35 Напряжение Зенера номинальное: 8.2V · Прямое напряжение: 1.3V @ 100mA · Обратный ток утечки: 100nA @ 6V · Допустимые отклонения емкости: ±5% · Мощность макcимальная: 500мВт · Полное сопротивление (импеданс): 7 Ohm · Тип монтажа: Through Hole, Axial · Корпус: DO-35, DO-204AH, Axial · Operating Temperature: -65°C ~ 200°C | from 0,00 | Additional information Find at suppliers Buy in store | |
BZX79C15_T50R | Fairchild Semiconductor | DIODE ZENER 15V 500MW DO-35 Напряжение Зенера номинальное: 15V · Прямое напряжение: 1.5V @ 100mA · Обратный ток утечки: 50nA @ 10.5V · Допустимые отклонения емкости: ±5% · Мощность макcимальная: 500мВт · Полное сопротивление (импеданс): 30 Ohm · Тип монтажа: Through Hole, Axial · Корпус: DO-35, DO-204AH, Axial · Operating Temperature: -65°C ~ 200°C | from 0,00 | Additional information Find at suppliers Buy in store | |
BZX79-C3V6,143 | NXP Semiconductors | DIODE VREG 3.6V 500MW DO-35 Напряжение Зенера номинальное: 3.6V · Прямое напряжение: 900mV @ 10mA · Обратный ток утечки: 5µA @ 1V · Допустимые отклонения емкости: ±5% · Мощность макcимальная: 400мВт · Полное сопротивление (импеданс): 90 Ohm · Тип монтажа: Through Hole, Axial · Корпус: DO-35, Axial · Operating Temperature: -65°C ~ 200°C | from 0,00 | Additional information Find at suppliers Buy in store | |
1N747ATR | Fairchild Semiconductor | DIODE ZENER 3.6V 500MW DO-35 Напряжение Зенера номинальное: 3.6V · Прямое напряжение: 1.5V @ 200mA · Обратный ток утечки: 10µA @ 1V · Допустимые отклонения емкости: ±5% · Мощность макcимальная: 500мВт · Полное сопротивление (импеданс): 24 Ohm · Тип монтажа: Through Hole, Axial · Корпус: DO-35, DO-204AH, Axial · Operating Temperature: -65°C ~ 200°C | from 0,00 | Additional information Find at suppliers Buy in store | |
1N5234BTR | Fairchild Semiconductor | DIODE ZENER 6.2V 500MW DO-35 Напряжение Зенера номинальное: 6.2V · Прямое напряжение: 1.2V @ 200mA · Обратный ток утечки: 5µA @ 4V · Допустимые отклонения емкости: ±5% · Мощность макcимальная: 500мВт · Полное сопротивление (импеданс): 7 Ohm · Тип монтажа: Through Hole, Axial · Корпус: DO-35, DO-204AH, Axial · Operating Temperature: -65°C ~ 200°C | from 0,00 | Additional information Find at suppliers Buy in store | |
1N5246BTR | Fairchild Semiconductor | DIODE ZENER 16V 500MW DO-35 Напряжение Зенера номинальное: 16V · Прямое напряжение: 1.2V @ 200mA · Обратный ток утечки: 100nA @ 12V · Допустимые отклонения емкости: ±5% · Мощность макcимальная: 500мВт · Полное сопротивление (импеданс): 17 Ohm · Тип монтажа: Through Hole, Axial · Корпус: DO-35, DO-204AH, Axial · Operating Temperature: -65°C ~ 200°C | from 0,00 | Additional information Find at suppliers Buy in store | |
1N5238BTR | Fairchild Semiconductor | DIODE ZENER 8.7V 500MW DO-35 Напряжение Зенера номинальное: 8.7V · Прямое напряжение: 1.2V @ 200mA · Обратный ток утечки: 3µA @ 6.5V · Допустимые отклонения емкости: ±5% · Мощность макcимальная: 500мВт · Полное сопротивление (импеданс): 8 Ohm · Тип монтажа: Through Hole, Axial · Корпус: DO-35, DO-204AH, Axial · Operating Temperature: -65°C ~ 200°C | from 0,00 | Additional information Find at suppliers Buy in store | |
1N5251BTR | Fairchild Semiconductor | DIODE ZENER 22V 500MW DO-35 Напряжение Зенера номинальное: 22V · Прямое напряжение: 1.2V @ 200mA · Обратный ток утечки: 100nA @ 17V · Допустимые отклонения емкости: ±5% · Мощность макcимальная: 500мВт · Полное сопротивление (импеданс): 29 Ohm · Тип монтажа: Through Hole, Axial · Корпус: DO-35, DO-204AH, Axial · Operating Temperature: -65°C ~ 200°C | from 0,00 | Additional information Find at suppliers Buy in store | |
BZX79-C27,143 | NXP Semiconductors | DIODE VREG 27V 500MW DO-35 Напряжение Зенера номинальное: 27V · Прямое напряжение: 900mV @ 10mA · Обратный ток утечки: 50nA @ 18.9V · Допустимые отклонения емкости: ±5% · Мощность макcимальная: 400мВт · Полное сопротивление (импеданс): 80 Ohm · Тип монтажа: Through Hole, Axial · Корпус: DO-35, Axial · Operating Temperature: -65°C ~ 200°C | from 0,00 | Additional information Find at suppliers Buy in store | |
BZX79-C12,143 | NXP Semiconductors | DIODE VREG 12V 500MW DO-35 Напряжение Зенера номинальное: 12В · Прямое напряжение: 900mV @ 10mA · Обратный ток утечки: 100nA @ 8V · Допустимые отклонения емкости: ±5% · Мощность макcимальная: 400мВт · Полное сопротивление (импеданс): 25 Ohm · Тип монтажа: Through Hole, Axial · Корпус: DO-35, Axial · Operating Temperature: -65°C ~ 200°C | from 0,00 | Additional information Find at suppliers Buy in store | |
BZX79-C6V2,143 | NXP Semiconductors | DIODE VREG 6.2V 500MW DO-35 Напряжение Зенера номинальное: 6.2V · Прямое напряжение: 900mV @ 10mA · Обратный ток утечки: 3µA @ 4V · Допустимые отклонения емкости: ±5% · Мощность макcимальная: 400мВт · Полное сопротивление (импеданс): 10 Ohm · Тип монтажа: Through Hole, Axial · Корпус: DO-35, Axial · Operating Temperature: -65°C ~ 200°C | from 0,00 | Additional information Find at suppliers Buy in store | |
1N5237BTR | Fairchild Semiconductor | DIODE ZENER 8.2V 500MW DO-35 Напряжение Зенера номинальное: 8.2V · Прямое напряжение: 1.2V @ 200mA · Обратный ток утечки: 3µA @ 6.5V · Допустимые отклонения емкости: ±5% · Мощность макcимальная: 500мВт · Полное сопротивление (импеданс): 8 Ohm · Тип монтажа: Through Hole, Axial · Корпус: DO-35, DO-204AH, Axial · Operating Temperature: -65°C ~ 200°C | from 0,00 | Additional information Find at suppliers Buy in store | |
BZX79-C13,143 | NXP Semiconductors | DIODE VREG 13V 500MW DO-35 Напряжение Зенера номинальное: 13V · Прямое напряжение: 900mV @ 10mA · Обратный ток утечки: 100nA @ 8V · Допустимые отклонения емкости: ±5% · Мощность макcимальная: 400мВт · Полное сопротивление (импеданс): 30 Ohm · Тип монтажа: Through Hole, Axial · Корпус: DO-35, Axial · Operating Temperature: -65°C ~ 200°C | from 0,00 | Additional information Find at suppliers Buy in store | |
BZX79-C68,143 | NXP Semiconductors | DIODE VREG 68V 500MW DO-35 Напряжение Зенера номинальное: 68V · Прямое напряжение: 900mV @ 10mA · Обратный ток утечки: 50nA @ 47.6V · Допустимые отклонения емкости: ±5% · Мощность макcимальная: 400мВт · Полное сопротивление (импеданс): 240 Ohm · Тип монтажа: Through Hole, Axial · Корпус: DO-35, Axial · Operating Temperature: -65°C ~ 200°C | from 0,00 | Additional information Find at suppliers Buy in store | |
BZX79-C11,143 | NXP Semiconductors | DIODE VREG 11V 500MW DO-35 Напряжение Зенера номинальное: 11В · Прямое напряжение: 900mV @ 10mA · Обратный ток утечки: 100nA @ 8V · Допустимые отклонения емкости: ±5% · Мощность макcимальная: 400мВт · Полное сопротивление (импеданс): 20 Ohm · Тип монтажа: Through Hole, Axial · Корпус: DO-35, Axial · Operating Temperature: -65°C ~ 200°C | from 0,00 | Additional information Find at suppliers Buy in store | |
BZX79-C4V3,143 | NXP Semiconductors | DIODE VREG 4.3V 500MW DO-35 Напряжение Зенера номинальное: 4.3V · Прямое напряжение: 900mV @ 10mA · Обратный ток утечки: 3µA @ 1V · Допустимые отклонения емкости: ±5% · Мощность макcимальная: 400мВт · Полное сопротивление (импеданс): 90 Ohm · Тип монтажа: Through Hole, Axial · Корпус: DO-35, Axial · Operating Temperature: -65°C ~ 200°C | from 0,00 | Additional information Find at suppliers Buy in store | |
1N5243BTR | Fairchild Semiconductor | DIODE ZENER 13V 500MW DO-35 Напряжение Зенера номинальное: 13V · Прямое напряжение: 1.2V @ 200mA · Обратный ток утечки: 100nA @ 9.9V · Допустимые отклонения емкости: ±5% · Мощность макcимальная: 500мВт · Полное сопротивление (импеданс): 13 Ohm · Тип монтажа: Through Hole, Axial · Корпус: DO-35, DO-204AH, Axial · Operating Temperature: -65°C ~ 200°C | from 0,00 | Additional information Find at suppliers Buy in store | |
BZX79-C62,143 | NXP Semiconductors | DIODE VREG 62V 500MW DO-35 Напряжение Зенера номинальное: 62V · Прямое напряжение: 900mV @ 10mA · Обратный ток утечки: 50nA @ 43.4V · Допустимые отклонения емкости: ±5% · Мощность макcимальная: 400мВт · Полное сопротивление (импеданс): 215 Ohm · Тип монтажа: Through Hole, Axial · Корпус: DO-35, Axial · Operating Temperature: -65°C ~ 200°C | from 0,00 | Additional information Find at suppliers Buy in store |
© 2006 — 2024 ChipFind Ltd. Contact phone, e-mail, ICQ |
Catalog with parameters for 1,401,534 components | Register • Advertising |