Log in    Register
ChipFind Component Selection Catalog
For example: transistor, max232, lt319a
  

Дискретные полупроводники  ·  Биполярные транзисторы (одиночные, Pre-Biased)
Производитель







Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.)






Сопротивление базы (Ом)














Сопротивление эмитер - база (Ом)





















Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce









































































Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic



































Ток коллектора (макс)













Ток отсечки коллетора (vfrc)




Модуляция частот













Мощность макcимальная





















Тип транзистора




Тип монтажа

Корпус









































 
PhotoNameManufacturerTechnical parametersPrices (rub.)Buy
DDTA143EUA-7-FDDTA143EUA-7-FDiodes IncTRANS PREBIAS PNP 200MW SC70-3
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V  ·  Сопротивление базы (Ом): 4.7K  ·  Сопротивление эмитер - база (Ом): 4.7K  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 10mA, 5V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA  ·  Ток коллектора (макс): 100mA  ·  Модуляция частот: 250MHz  ·  Мощность макcимальная: 200mW  ·  Тип транзистора: PNP - Pre-Biased  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SC-70-3, SOT-323-3
from 0,00
to 0,00		Additional information
Find at suppliers
Buy in store
DDTC124EUA-7-FDiodes IncTRANS PREB NPN 200MW R1/2 SC70-3
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V  ·  Сопротивление базы (Ом): 22K  ·  Сопротивление эмитер - база (Ом): 22K  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 5mA, 5V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA  ·  Ток коллектора (макс): 100mA  ·  Модуляция частот: 250MHz  ·  Мощность макcимальная: 200mW  ·  Тип транзистора: NPN - Pre-Biased  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SC-70-3, SOT-323-3
from 0,00
to 0,00		Additional information
Find at suppliers
Buy in store
DDTC114GUA-7-FDDTC114GUA-7-FDiodes IncTRANS PREBIAS NPN 200MW SC70-3
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V  ·  Сопротивление эмитер - база (Ом): 10K  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA  ·  Ток коллектора (макс): 100mA  ·  Модуляция частот: 250MHz  ·  Мощность макcимальная: 200mW  ·  Тип транзистора: NPN - Pre-Biased  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SC-70-3, SOT-323-3
from 0,00
to 0,00		Additional information
Find at suppliers
Buy in store
DDTA122TU-7-FDDTA122TU-7-FDiodes IncTRANS PREBIASED PNP 200MW SC70-3
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V  ·  Сопротивление базы (Ом): 220  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA  ·  Ток коллектора (макс): 100mA  ·  Модуляция частот: 200MHz  ·  Мощность макcимальная: 200mW  ·  Тип транзистора: PNP - Pre-Biased  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SC-70-3, SOT-323-3
from 0,00
to 0,00		Additional information
Find at suppliers
Buy in store
DDTC144VUA-7-FDDTC144VUA-7-FDiodes IncTRANS PREBIAS NPN 200MW SC70-3
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V  ·  Сопротивление базы (Ом): 47K  ·  Сопротивление эмитер - база (Ом): 10K  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 33 @ 5mA, 5V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA  ·  Ток коллектора (макс): 100mA  ·  Модуляция частот: 250MHz  ·  Мощность макcимальная: 200mW  ·  Тип транзистора: NPN - Pre-Biased  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SC-70-3, SOT-323-3
from 0,00
to 0,00		Additional information
Find at suppliers
Buy in store
DDTC115EUA-7-FDDTC115EUA-7-FDiodes IncTRANS PREBIAS NPN 200MW SC70-3
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V  ·  Сопротивление базы (Ом): 100K  ·  Сопротивление эмитер - база (Ом): 100K  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 82 @ 5mA, 5V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA  ·  Ток коллектора (макс): 100mA  ·  Модуляция частот: 250MHz  ·  Мощность макcимальная: 200mW  ·  Тип транзистора: NPN - Pre-Biased  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SC-70-3, SOT-323-3
from 0,00
to 0,00		Additional information
Find at suppliers
Buy in store
DDTC143TUA-7-FDDTC143TUA-7-FDiodes IncTRANS PREBIAS NPN 200MW SC70-3
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V  ·  Сопротивление базы (Ом): 4.7K  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 2.5mA  ·  Ток коллектора (макс): 100mA  ·  Модуляция частот: 250MHz  ·  Мощность макcимальная: 200mW  ·  Тип транзистора: NPN - Pre-Biased  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SC-70-3, SOT-323-3
from 0,00
to 0,00		Additional information
Find at suppliers
Buy in store
DDTA114GUA-7-FDDTA114GUA-7-FDiodes IncTRANS PREBIAS PNP 200MW SC70-3
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V  ·  Сопротивление эмитер - база (Ом): 10K  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA  ·  Ток коллектора (макс): 100mA  ·  Модуляция частот: 250MHz  ·  Мощность макcимальная: 200mW  ·  Тип транзистора: PNP - Pre-Biased  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SC-70-3, SOT-323-3
from 0,00
to 0,00		Additional information
Find at suppliers
Buy in store
DDTA144EUA-7-FDDTA144EUA-7-FDiodes IncTRANS PREBIAS PNP 200MW SC70-3
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V  ·  Сопротивление базы (Ом): 47K  ·  Сопротивление эмитер - база (Ом): 47K  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA  ·  Ток коллектора (макс): 100mA  ·  Модуляция частот: 250MHz  ·  Мощность макcимальная: 200mW  ·  Тип транзистора: PNP - Pre-Biased  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SC-70-3, SOT-323-3
from 0,00
to 0,00		Additional information
Find at suppliers
Buy in store
DDTA114EUA-7-FDDTA114EUA-7-FDiodes IncTRANS PREBIAS PNP 200MW SC70-3
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V  ·  Сопротивление базы (Ом): 10K  ·  Сопротивление эмитер - база (Ом): 10K  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA  ·  Ток коллектора (макс): 100mA  ·  Модуляция частот: 250MHz  ·  Мощность макcимальная: 200mW  ·  Тип транзистора: PNP - Pre-Biased  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SC-70-3, SOT-323-3
from 0,00
to 0,00		Additional information
Find at suppliers
Buy in store
DDTC143ZUA-7-FDDTC143ZUA-7-FDiodes IncTRANS PREBIAS NPN 200MW SC70-3
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V  ·  Сопротивление базы (Ом): 4.7K  ·  Сопротивление эмитер - база (Ом): 47K  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA  ·  Ток коллектора (макс): 100mA  ·  Модуляция частот: 250MHz  ·  Мощность макcимальная: 200mW  ·  Тип транзистора: NPN - Pre-Biased  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SC-70-3, SOT-323-3
from 0,00
to 0,00		Additional information
Find at suppliers
Buy in store
DDTA125TUA-7-FDDTA125TUA-7-FDiodes IncTRANS PREBIAS PNP 200MW SC70-3
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V  ·  Сопротивление базы (Ом): 200K  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 50µA, 500µA  ·  Ток коллектора (макс): 100mA  ·  Модуляция частот: 250MHz  ·  Мощность макcимальная: 200mW  ·  Тип транзистора: PNP - Pre-Biased  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SC-70-3, SOT-323-3
from 0,00
to 0,00		Additional information
Find at suppliers
Buy in store
DDTC124TUA-7-FDDTC124TUA-7-FDiodes IncTRANS PREBIAS NPN 200MW SC70-3
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V  ·  Сопротивление базы (Ом): 22K  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 5mA  ·  Ток коллектора (макс): 100mA  ·  Модуляция частот: 250MHz  ·  Мощность макcимальная: 200mW  ·  Тип транзистора: NPN - Pre-Biased  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SC-70-3, SOT-323-3
from 0,00
to 0,00		Additional information
Find at suppliers
Buy in store
DDTC123EUA-7-FDDTC123EUA-7-FDiodes IncTRANS PREBIAS NPN 200MW SC70-3
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V  ·  Сопротивление базы (Ом): 2.2K  ·  Сопротивление эмитер - база (Ом): 2.2K  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 20mA, 5V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA  ·  Ток коллектора (макс): 100mA  ·  Модуляция частот: 250MHz  ·  Мощность макcимальная: 200mW  ·  Тип транзистора: NPN - Pre-Biased  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SC-70-3, SOT-323-3
from 0,00
to 0,00		Additional information
Find at suppliers
Buy in store
DDTA114YUA-7-FDDTA114YUA-7-FDiodes IncTRANS PREBIAS PNP 200MW SC70-3
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V  ·  Сопротивление базы (Ом): 10K  ·  Сопротивление эмитер - база (Ом): 47K  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 10mA, 5V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA  ·  Ток коллектора (макс): 100mA  ·  Модуляция частот: 250MHz  ·  Мощность макcимальная: 200mW  ·  Тип транзистора: PNP - Pre-Biased  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SC-70-3, SOT-323-3
from 0,00
to 0,00		Additional information
Find at suppliers
Buy in store
FJNS4208RTAFJNS4208RTAFairchild SemiconductorTRANSISTOR PNP 50V 100MA TO-92S
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V  ·  Сопротивление базы (Ом): 47K  ·  Сопротивление эмитер - база (Ом): 22K  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 5mA, 5V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA  ·  Ток коллектора (макс): 100mA  ·  Модуляция частот: 200MHz  ·  Мощность макcимальная: 300mW  ·  Тип транзистора: PNP - Pre-Biased  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-92-3 (Short Body)
from 0,00Additional information
Find at suppliers
Buy in store
FJNS4214RBUFJNS4214RBUFairchild SemiconductorTRANSISTOR PNP 50V 100MA TO-92S
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V  ·  Сопротивление базы (Ом): 4.7K  ·  Сопротивление эмитер - база (Ом): 47K  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA  ·  Ток коллектора (макс): 100mA  ·  Модуляция частот: 200MHz  ·  Мощность макcимальная: 300mW  ·  Тип транзистора: PNP - Pre-Biased  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-92-3 (Short Body)
from 0,00Additional information
Find at suppliers
Buy in store
FJNS3214RBUFJNS3214RBUFairchild SemiconductorTRANSISTOR NPN 50V 100MA TO-92S
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V  ·  Сопротивление базы (Ом): 4.7K  ·  Сопротивление эмитер - база (Ом): 47K  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA  ·  Ток коллектора (макс): 100mA  ·  Модуляция частот: 250MHz  ·  Мощность макcимальная: 300mW  ·  Тип транзистора: NPN - Pre-Biased  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-92-3 (Short Body)
from 0,00Additional information
Find at suppliers
Buy in store
FJNS3208RTAFJNS3208RTAFairchild SemiconductorTRANSISTOR NPN 50V 100MA TO-92S
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V  ·  Сопротивление базы (Ом): 47K  ·  Сопротивление эмитер - база (Ом): 22K  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 5mA, 5V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA  ·  Ток коллектора (макс): 100mA  ·  Модуляция частот: 250MHz  ·  Мощность макcимальная: 300mW  ·  Тип транзистора: NPN - Pre-Biased  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-92-3 (Short Body)
from 0,00Additional information
Find at suppliers
Buy in store
FJNS4201RBUFJNS4201RBUFairchild SemiconductorTRANSISTOR PNP 50V 100MA TO-92S
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V  ·  Сопротивление базы (Ом): 4.7K  ·  Сопротивление эмитер - база (Ом): 4.7K  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 10mA, 5V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA  ·  Ток коллектора (макс): 100mA  ·  Модуляция частот: 200MHz  ·  Мощность макcимальная: 300mW  ·  Тип транзистора: PNP - Pre-Biased  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-92-3 (Short Body)
from 0,00Additional information
Find at suppliers
Buy in store
FJNS4214RTAFJNS4214RTAFairchild SemiconductorTRANSISTOR PNP 50V 100MA TO-92S
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V  ·  Сопротивление базы (Ом): 4.7K  ·  Сопротивление эмитер - база (Ом): 47K  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA  ·  Ток коллектора (макс): 100mA  ·  Модуляция частот: 200MHz  ·  Мощность макcимальная: 300mW  ·  Тип транзистора: PNP - Pre-Biased  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-92-3 (Short Body)
from 0,00Additional information
Find at suppliers
Buy in store
FJNS3203RBUFJNS3203RBUFairchild SemiconductorTRANSISTOR NPN 50V 100MA TO-92S
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V  ·  Сопротивление базы (Ом): 22K  ·  Сопротивление эмитер - база (Ом): 22K  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 5mA, 5V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA  ·  Ток коллектора (макс): 100mA  ·  Модуляция частот: 250MHz  ·  Мощность макcимальная: 300mW  ·  Тип транзистора: NPN - Pre-Biased  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-92-3 (Short Body)
from 0,00Additional information
Find at suppliers
Buy in store
FJNS4205RBUFJNS4205RBUFairchild SemiconductorTRANSISTOR PNP 50V 100MA TO-92S
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V  ·  Сопротивление базы (Ом): 4.7K  ·  Сопротивление эмитер - база (Ом): 10K  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA  ·  Ток коллектора (макс): 100mA  ·  Модуляция частот: 200MHz  ·  Мощность макcимальная: 300mW  ·  Тип транзистора: PNP - Pre-Biased  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-92-3 (Short Body)
from 0,00Additional information
Find at suppliers
Buy in store
FJNS4202RTAFJNS4202RTAFairchild SemiconductorTRANSISTOR PNP 50V 100MA TO-92S
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V  ·  Сопротивление базы (Ом): 10K  ·  Сопротивление эмитер - база (Ом): 10K  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA  ·  Ток коллектора (макс): 100mA  ·  Модуляция частот: 200MHz  ·  Мощность макcимальная: 300mW  ·  Тип транзистора: PNP - Pre-Biased  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-92-3 (Short Body)
from 0,00Additional information
Find at suppliers
Buy in store
FJNS3201RBUFJNS3201RBUFairchild SemiconductorTRANSISTOR NPN 50V 100MA TO-92S
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V  ·  Сопротивление базы (Ом): 4.7K  ·  Сопротивление эмитер - база (Ом): 4.7K  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 10mA, 5V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA  ·  Ток коллектора (макс): 100mA  ·  Модуляция частот: 250MHz  ·  Мощность макcимальная: 300mW  ·  Тип транзистора: NPN - Pre-Biased  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-92-3 (Short Body)
from 0,00Additional information
Find at suppliers
Buy in store
← Ctrl  1 ... 78910111213 ... 87  Ctrl →
© 2006 — 2024 ChipFind Ltd.
Contact phone, e-mail, ICQ		 Catalog with parameters for 1,401,534 components Register • Advertising