Log in    Register
ChipFind Component Selection Catalog
For example: transistor, max232, lt319a
 

Дискретные полупроводники  ·  MOSFET транзисторы (сборки)

Производитель





















Серия
















Rds On (Max) @ Id, Vgs


















































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































Напряжение (Vdss)










































Gate Charge (Qg) @ Vgs

















































































































































































































































































































































































































Ток @ 25°C































































































































































































































































































































































































































Емкость @ Vds






















































































































































































































































































































































































































































































































































Полярность









Особенности

Мощность макcимальная































































































































Тип монтажа


Корпус










































































































 
PhotoNameManufacturerTechnical parametersPrices (rub.)Buy
TPS1120DRTPS1120DRTexas InstrumentsMOSFET 2P-CH 15V 1.17A 8-SOIC
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180 mOhm @ 1.5A, 10V  ·  Напряжение (Vdss): 15V  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 5.45nC @ 10V  ·  Ток @ 25°C: 1.17A  ·  Полярность: 2 P-Channel (Dual)  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 840mW  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина)
from 0,00
to 0,00
Additional information
Find at suppliers
Buy in store
TPS1120DRG4TPS1120DRG4Texas InstrumentsMOSFET 2P-CH 15V 1.17A 8-SOIC
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180 mOhm @ 1.5A, 10V  ·  Напряжение (Vdss): 15V  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 5.45nC @ 10V  ·  Ток @ 25°C: 1.17A  ·  Полярность: 2 P-Channel (Dual)  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 840mW  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина)
from 0,00Additional information
Find at suppliers
Buy in store
TPS1120DTPS1120DTexas InstrumentsMOSFET 2P-CH 15V 1.17A 8-SOIC
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180 mOhm @ 1.5A, 10V  ·  Напряжение (Vdss): 15V  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 5.45nC @ 10V  ·  Ток @ 25°C: 1.17A  ·  Полярность: 2 P-Channel (Dual)  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 840mW  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина)
from 0,00
to 0,00
Additional information
Find at suppliers
Buy in store
QS6J3TRQS6J3TRRohm SemiconductorMOSFET 2P-CH 20V 1.5A TSMT6
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 215 mOhm @ 1.5A, 4.5V  ·  Напряжение (Vdss): 20В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 3nC @ 4.5V  ·  Ток @ 25°C: 1.5A  ·  Емкость @ Vds: 270pF @ 10V  ·  Полярность: 2 P-Channel (Dual)  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 1.25W  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: TSMT6
from 0,00
to 0,00
Additional information
Find at suppliers
Buy in store
QS6J1TRQS6J1TRRohm SemiconductorMOSFET 2P-CH 20V 1.5A TSMT6
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 215 mOhm @ 1.5A, 4.5V  ·  Напряжение (Vdss): 20В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 3nC @ 4.5V  ·  Ток @ 25°C: 1.5A  ·  Емкость @ Vds: 270pF @ 10V  ·  Полярность: 2 P-Channel (Dual)  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 1.25W  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: TSMT6
from 0,00
to 0,00
Additional information
Find at suppliers
Buy in store
ZXMD63P02XTAZXMD63P02XTADiodes/ZetexMOSFET 2P-CH 20V 1.7A 8-MSOP
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270 mOhm @ 1.2A, 4.5V  ·  Напряжение (Vdss): 20В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 5.25nC @ 4.5V  ·  Ток @ 25°C: 1.7A  ·  Емкость @ Vds: 290pF @ 15V  ·  Полярность: 2 P-Channel (Dual)  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 870mW  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: 8-MSOP, Micro8™, 8-uMAX, 8-uSOP,
from 0,00
to 0,00
Additional information
Find at suppliers
Buy in store
IRF7504TRIRF7504TRInternational RectifierMOSFET 2P-CH 20V 1.7A MICRO8
Серия: HEXFET®  ·  Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270 mOhm @ 1.2A, 4.5V  ·  Напряжение (Vdss): 20В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 8.2nC @ 4.5V  ·  Ток @ 25°C: 1.7A  ·  Емкость @ Vds: 240pF @ 15V  ·  Полярность: 2 P-Channel (Dual)  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 1.25W  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: Micro8™
Additional information
Find at suppliers
Buy in store
US6J2TRUS6J2TRRohm SemiconductorMOSFET 2P-CH 20V 1A TUMT6
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 390 mOhm @ 1A, 4.5V  ·  Напряжение (Vdss): 20В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 2.1nC @ 4.5V  ·  Ток @ 25°C: 1A  ·  Емкость @ Vds: 150pF @ 10V  ·  Полярность: 2 P-Channel (Dual)  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 1Вт  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: TUMT6
from 0,00
to 0,00
Additional information
Find at suppliers
Buy in store
NTHD4401PT3GNTHD4401PT3GON SemiconductorMOSFET 2P-CH 20V 2.1A CHIPFET
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155 mOhm @ 2.1A, 4.5V  ·  Напряжение (Vdss): 20В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 6nC @ 4.5V  ·  Ток @ 25°C: 2.1A  ·  Емкость @ Vds: 300pF @ 10V  ·  Полярность: 2 P-Channel (Dual)  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 1.1W  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: 8-ChipFET™
from 0,00
to 0,00
Additional information
Find at suppliers
Buy in store
NTHD4401PT1ON SemiconductorMOSFET 2P-CH 20V 2.1A CHIPFET
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155 mOhm @ 2.1A, 4.5V  ·  Напряжение (Vdss): 20В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 6nC @ 4.5V  ·  Ток @ 25°C: 2.1A  ·  Емкость @ Vds: 300pF @ 10V  ·  Полярность: 2 P-Channel (Dual)  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 1.1W  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: 8-ChipFET™
Additional information
Find at suppliers
Buy in store
IRF5850TRIRF5850TRInternational RectifierMOSFET 2P-CH 20V 2.2A 6-TSOP
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 135 mOhm @ 2.2A, 4.5V  ·  Напряжение (Vdss): 20В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 5.4nC @ 4.5V  ·  Ток @ 25°C: 2.2A  ·  Емкость @ Vds: 320pF @ 15V  ·  Полярность: 2 P-Channel (Dual)  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 960mW  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: 6-TSOP
Additional information
Find at suppliers
Buy in store
IRF5850TRPBFInternational RectifierMOSFET 2P-CH 20V 2.2A 6-TSOP
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 135 mOhm @ 2.2A, 4.5V  ·  Напряжение (Vdss): 20В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 5.4nC @ 4.5V  ·  Ток @ 25°C: 2.2A  ·  Емкость @ Vds: 320pF @ 15V  ·  Полярность: 2 P-Channel (Dual)  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 960mW  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: 6-TSOP
from 0,00Additional information
Find at suppliers
Buy in store
IRF7104TRIRF7104TRInternational RectifierMOSFET 2P-CH 20V 2.3A 8-SOIC
Серия: HEXFET®  ·  Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250 mOhm @ 1A, 10V  ·  Напряжение (Vdss): 20В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 25nC @ 10V  ·  Ток @ 25°C: 2.3A  ·  Емкость @ Vds: 290pF @ 15V  ·  Полярность: 2 P-Channel (Dual)  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 2Вт  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина)
from 0,00Additional information
Find at suppliers
Buy in store
IRF7104IRF7104International RectifierMOSFET 2P-CH 20V 2.3A 8-SOIC
Серия: HEXFET®  ·  Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250 mOhm @ 1A, 10V  ·  Напряжение (Vdss): 20В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 25nC @ 10V  ·  Ток @ 25°C: 2.3A  ·  Емкость @ Vds: 290pF @ 15V  ·  Полярность: 2 P-Channel (Dual)  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 2Вт  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина)
from 0,00Additional information
Find at suppliers
Buy in store
IRF7104PBFIRF7104PBFInternational RectifierMOSFET 2P-CH 20V 2.3A 8-SOIC
Серия: HEXFET®  ·  Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250 mOhm @ 1A, 10V  ·  Напряжение (Vdss): 20В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 25nC @ 10V  ·  Ток @ 25°C: 2.3A  ·  Емкость @ Vds: 290pF @ 15V  ·  Полярность: 2 P-Channel (Dual)  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 2Вт  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина)
from 0,00Additional information
Find at suppliers
Buy in store
TPCF8301(TE85L,F)TPCF8301(TE85L,F)ToshibaMOSFET 2P-CH 20V 2.7A VS-8
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110 mOhm @ 1.4A, 4.5V  ·  Напряжение (Vdss): 20В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 6nC @ 5V  ·  Ток @ 25°C: 2.7A  ·  Емкость @ Vds: 470pF @ 10V  ·  Полярность: 2 P-Channel (Dual)  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 530mW  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: VS-8 (2-3U1B)
from 0,00Additional information
Find at suppliers
Buy in store
IRF5810TRIRF5810TRInternational RectifierMOSFET 2P-CH 20V 2.9A 6-TSOP
Серия: HEXFET®  ·  Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90 mOhm @ 2.9A, 4.5V  ·  Напряжение (Vdss): 20В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 9.6nC @ 4.5V  ·  Ток @ 25°C: 2.9A  ·  Емкость @ Vds: 650pF @ 16V  ·  Полярность: 2 P-Channel (Dual)  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 960mW  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: 6-TSOP
Additional information
Find at suppliers
Buy in store
IRF5810TRPBFInternational RectifierMOSFET 2P-CH 20V 2.9A 6-TSOP
Серия: HEXFET®  ·  Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90 mOhm @ 2.9A, 4.5V  ·  Напряжение (Vdss): 20В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 9.6nC @ 4.5V  ·  Ток @ 25°C: 2.9A  ·  Емкость @ Vds: 650pF @ 16V  ·  Полярность: 2 P-Channel (Dual)  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 960mW  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: 6-TSOP
from 0,00Additional information
Find at suppliers
Buy in store
NTHD4102PT1ON SemiconductorMOSFET 2P-CH 20V 2.9A CHIPFET
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80 mOhm @ 2.9A, 4.5V  ·  Напряжение (Vdss): 20В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 8.6nC @ 4.5V  ·  Ток @ 25°C: 2.9A  ·  Емкость @ Vds: 750pF @ 16V  ·  Полярность: 2 P-Channel (Dual)  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 1.1W  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: 8-ChipFET™
from 0,00Additional information
Find at suppliers
Buy in store
EM6J1T2RRohm SemiconductorMOSFET 2P-CH 20V 200MA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2 Ohm @ 200mA, 4.5V  ·  Напряжение (Vdss): 20В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 1.4nC @ 4.5V  ·  Ток @ 25°C: 200mA  ·  Емкость @ Vds: 115pF @ 10V  ·  Полярность: 2 P-Channel (Dual)  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 150mW  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: EMT6
from 0,00
to 0,00
Additional information
Find at suppliers
Buy in store
NDS9933Fairchild SemiconductorMOSFET 2P-CH 20V 3.2A 8-SOIC
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110 mOhm @ 3.2A, 4.5V  ·  Напряжение (Vdss): 20В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 20nC @ 4.5V  ·  Ток @ 25°C: 3.2A  ·  Емкость @ Vds: 870pF @ 10V  ·  Полярность: 2 P-Channel (Dual)  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 900мВт  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина)
Additional information
Find at suppliers
Buy in store
MMDF2P02HDR2MMDF2P02HDR2ON SemiconductorMOSFET 2P-CH 20V 3.3A 8-SOIC
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160 mOhm @ 2A, 10V  ·  Напряжение (Vdss): 20В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 20nC @ 10V  ·  Ток @ 25°C: 3.3A  ·  Емкость @ Vds: 588pF @ 16V  ·  Полярность: 2 P-Channel (Dual)  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 2Вт  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина)
Additional information
Find at suppliers
Buy in store
NDS9947NDS9947Fairchild SemiconductorMOSFET 2P-CH 20V 3.5A 8-SOIC
Серия: PowerTrench®  ·  Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100 mOhm @ 3.5A, 10V  ·  Напряжение (Vdss): 20В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 13nC @ 10V  ·  Ток @ 25°C: 3.5A  ·  Емкость @ Vds: 542pF @ 10V  ·  Полярность: 2 P-Channel (Dual)  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 900мВт  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина)
from 0,00
to 0,00
Additional information
Find at suppliers
Buy in store
IRF7755IRF7755International RectifierMOSFET 2P-CH 20V 3.9A 8-TSSOP
Серия: HEXFET®  ·  Rds On (Max) @ Id, Vgs: 51 mOhm @ 3.7A, 4.5V  ·  Напряжение (Vdss): 20В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 17nC @ 4.5V  ·  Ток @ 25°C: 3.9A  ·  Емкость @ Vds: 1090pF @ 15V  ·  Полярность: 2 P-Channel (Dual)  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 1Вт  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: 8-TSSOP
Additional information
Find at suppliers
Buy in store
IRF7755TRIRF7755TRInternational RectifierMOSFET 2P-CH 20V 3.9A 8-TSSOP
Серия: HEXFET®  ·  Rds On (Max) @ Id, Vgs: 51 mOhm @ 3.7A, 4.5V  ·  Напряжение (Vdss): 20В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 17nC @ 4.5V  ·  Ток @ 25°C: 3.9A  ·  Емкость @ Vds: 1090pF @ 15V  ·  Полярность: 2 P-Channel (Dual)  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 1Вт  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: 8-TSSOP
Additional information
Find at suppliers
Buy in store
← Ctrl  1 ... 6789101112 ... 59  Ctrl →

© 2006 — 2024 ChipFind Ltd.
Contact phone, e-mail, ICQ
Catalog with parameters for 1,401,534 components RegisterAdvertising