Log in Register |
Photo | Name | Manufacturer | Technical parameters | Prices (rub.) | Buy |
FDC6320C | Fairchild Semiconductor | MOSFET N/P-CH DUAL 25V SSOT6 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4 Ohm @ 400mA, 4.5V · Напряжение (Vdss): 25V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 0.4nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 220mA, 120mA · Емкость @ Vds: 9.5pF @ 10V · Полярность: N and P-Channel · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 700мВт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 6-SSOT, SuperSOT-6 | from 0,00 | Additional information Find at suppliers Buy in store | |
FDS8958 | Fairchild Semiconductor | MOSFET N/P-CH DUAL 30V 8SOIC Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28 mOhm @ 7A, 10V · Напряжение (Vdss): 30В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 26nC @ 10V · Ток @ 25°C: 7A, 5A · Емкость @ Vds: 789pF @ 10V · Полярность: N and P-Channel · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 900мВт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина) | from 0,00 | Additional information Find at suppliers Buy in store | |
FDS6986AS | Fairchild Semiconductor | MOSFET N-CH DUAL 30V 8SOIC Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29 mOhm @ 6.5A, 10V · Напряжение (Vdss): 30В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 17nC @ 10V · Ток @ 25°C: 6.5A, 7.9A · Емкость @ Vds: 550pF @ 10V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 900мВт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина) | from 0,00 | Additional information Find at suppliers Buy in store | |
NDS8961 | Fairchild Semiconductor | MOSFET N-CH DUAL 30V 3.1A 8-SOIC Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100 mOhm @ 3.1A, 10V · Напряжение (Vdss): 30В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 10nC @ 10V · Ток @ 25°C: 3.1A · Емкость @ Vds: 190pF @ 15V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 900мВт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина) | Additional information Find at suppliers Buy in store | ||
FDW2503NZ | Fairchild Semiconductor | MOSFET N-CH DUAL 20V 5.5A 8-TSSO Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20 mOhm @ 5.5A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 17nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 5.5A · Емкость @ Vds: 1286pF @ 10V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 600mW · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-TSSOP | Additional information Find at suppliers Buy in store | ||
FDW2503N | Fairchild Semiconductor | MOSFET N-CH DUAL 20V 5.5A 8-TSSO Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21 mOhm @ 5.5A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 17nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 5.5A · Емкость @ Vds: 1082pF @ 10V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 600mW · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-TSSOP | from 0,00 | Additional information Find at suppliers Buy in store | |
FDG6317NZ | Fairchild Semiconductor | MOSFET N-CH DUAL 20V SC70-6 Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400 mOhm @ 700mA, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 1.1nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 700mA · Емкость @ Vds: 66.5pF @ 10V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 300mW · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363 | from 0,00 | Additional information Find at suppliers Buy in store | |
FDS3601 | Fairchild Semiconductor | MOSFET N-CH DUAL 100V 1.3A 8SOIC Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480 mOhm @ 1.3A, 10V · Напряжение (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 5nC @ 10V · Ток @ 25°C: 1.3A · Емкость @ Vds: 153pF @ 50V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 900мВт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина) | from 0,00 | Additional information Find at suppliers Buy in store | |
FDG6301N_D87Z | Fairchild Semiconductor | MOSFET N-CH DUAL 25A SC70-6 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4 Ohm @ 220mA, 4.5V · Напряжение (Vdss): 25V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 0.4nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 220mA · Емкость @ Vds: 9.5pF @ 10V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 300mW · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363 | from 0,00 | Additional information Find at suppliers Buy in store | |
FDG6335N | Fairchild Semiconductor | MOSFET N-CH 20V 700MA SOT-363 Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300 mOhm @ 700mA, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 1.4nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 700mA · Емкость @ Vds: 113pF @ 10V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 300mW · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363 | from 0,00 | Additional information Find at suppliers Buy in store | |
USB10H | Fairchild Semiconductor | MOSFET P-CH DUAL 20V SSOT6 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170 mOhm @ 1.9A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 4.2nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 1.9A · Емкость @ Vds: 441pF @ 10V · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 700мВт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 6-SSOT, SuperSOT-6 | Additional information Find at suppliers Buy in store | ||
FDW9926A | Fairchild Semiconductor | MOSFET N-CH DUAL 20V 4.5A 8-TSSO Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32 mOhm @ 4.5A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 9nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 4.5A · Емкость @ Vds: 630pF @ 10V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 600mW · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-TSSOP | from 0,00 | Additional information Find at suppliers Buy in store | |
FDC6020C_F077 | Fairchild Semiconductor | MOSFET N P-CH 20V 6-SSOP Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27 mOhm @ 5.9A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 8nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 5.9A, 4.2A · Емкость @ Vds: 677pF @ 10V · Полярность: N and P-Channel · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 1.2W · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 6-SSOT FLMP, SuperSOT-6 FLMP | from 0,00 | Additional information Find at suppliers Buy in store | |
FDS6994S | Fairchild Semiconductor | MOSFET N-CH DUAL 30V 8SOIC Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21 mOhm @ 6.9A, 10V · Напряжение (Vdss): 30В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 12nC @ 5V · Ток @ 25°C: 6.9A, 8.2A · Емкость @ Vds: 800pF @ 15V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 900мВт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина) | from 0,00 | Additional information Find at suppliers Buy in store | |
FDG6303N_D87Z | Fairchild Semiconductor | MOSFET N-CH DUAL 25V SC70-6 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450 mOhm @ 500mA, 4.5V · Напряжение (Vdss): 25V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 2.3nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 500mA · Емкость @ Vds: 50pF @ 10V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 300mW · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363 | Additional information Find at suppliers Buy in store | ||
FDW2508P | Fairchild Semiconductor | MOSFET P-CH DUAL 12V 6A 8-TSSOP Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18 mOhm @ 6A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 12В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 36nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 6A · Емкость @ Vds: 2644pF @ 6V · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 1Вт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-TSSOP | from 0,00 | Additional information Find at suppliers Buy in store | |
FDJ1028N | Fairchild Semiconductor | MOSFET N-CH 20V 3.2A FLMP SC-75 Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90 mOhm @ 3.2A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 3nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 3.2A · Емкость @ Vds: 200pF @ 10V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 1.5Вт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SC75-6 FLMP | from 0,00 | Additional information Find at suppliers Buy in store | |
FDS4559_F085 | Fairchild Semiconductor | MOSFET N-CH DUAL 60V 8-SOIC Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55 mOhm @ 4.5A, 10V · Напряжение (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 18nC @ 10V · Ток @ 25°C: 4.5A, 3.5A · Емкость @ Vds: 650pF @ 25V · Полярность: N and P-Channel · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 1Вт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина) | from 0,00 | Additional information Find at suppliers Buy in store | |
FDS3812 | Fairchild Semiconductor | MOSFET N-CH 80V 3.4A 8SOIC Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 74 mOhm @ 3.4A, 10V · Напряжение (Vdss): 80V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 18nC @ 10V · Ток @ 25°C: 3.4A · Емкость @ Vds: 634pF @ 40V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 900мВт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина) | Additional information Find at suppliers Buy in store | ||
FDW2507N | Fairchild Semiconductor | MOSFET N-CH 20V 7.5A 8-TSSOP Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19 mOhm @ 7.5A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 28nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 7.5A · Емкость @ Vds: 2152pF @ 10V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 1.1W · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-TSSOP | Additional information Find at suppliers Buy in store | ||
FDC6318P | Fairchild Semiconductor | MOSFET P-CH DUAL 12V SSOT-6 Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90 mOhm @ 2.5A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 12В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 8nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 2.5A · Емкость @ Vds: 455pF @ 6V · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 700мВт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 6-SSOT, SuperSOT-6 | from 0,00 | Additional information Find at suppliers Buy in store | |
SSD2009ATF | Fairchild Semiconductor | MOSFET DUAL N-CHAN 50V 8-SOIC Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130 mOhm @ 3A, 10V · Напряжение (Vdss): 50V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 25nC @ 10V · Ток @ 25°C: 3A · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 2Вт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина) | Additional information Find at suppliers Buy in store | ||
FDM2509NZ | Fairchild Semiconductor | MOSFET N-CH DUAL 20V 8.7A 2X5MLP Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18 mOhm @ 8.7A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 17nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 8.7A · Емкость @ Vds: 1200pF @ 10V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 2.2W · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 6-MLP | from 0,00 | Additional information Find at suppliers Buy in store | |
FDS6894AZ | Fairchild Semiconductor | MOSFET N-CH DUAL 20V 8A 8SOIC Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17 mOhm @ 8A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 20nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 8A · Емкость @ Vds: 1455pF @ 10V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 900мВт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина) | from 0,00 | Additional information Find at suppliers Buy in store | |
NDS8934 | Fairchild Semiconductor | MOSFET P-CH DUAL 20V 3.8A 8-SOIC Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70 mOhm @ 3.8A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 30nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 3.8A · Емкость @ Vds: 1120pF @ 10V · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 900мВт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина) | from 0,00 | Additional information Find at suppliers Buy in store |
© 2006 — 2024 ChipFind Ltd. Contact phone, e-mail, ICQ |
Catalog with parameters for 1,401,534 components | Register • Advertising |