Log in Register |
Photo | Name | Manufacturer | Technical parameters | Prices (rub.) | Buy |
TT8J2TR | Rohm Semiconductor | MOSFET 2P-CH 30V 2.5A TSST8 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 84 mOhm @ 2.5A, 10V · Напряжение (Vdss): 30В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 4.8nC @ 5V · Ток @ 25°C: 2.5A · Емкость @ Vds: 460pF @ 10V · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 1.25W · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-TSST | from 0,00 to 0,00 | Additional information Find at suppliers Buy in store | |
NDS9953A | Fairchild Semiconductor | MOSFET 2P-CH 30V 2.9A 8-SOIC Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130 mOhm @ 1A, 10V · Напряжение (Vdss): 30В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 25nC @ 10V · Ток @ 25°C: 2.9A · Емкость @ Vds: 350pF @ 10V · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 900мВт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина) | from 0,00 to 0,00 | Additional information Find at suppliers Buy in store | |
UM6J1NTN | Rohm Semiconductor | MOSFET 2P-CH 30V 200MA UMT6 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4 Ohm @ 200mA, 10V · Напряжение (Vdss): 30В · Ток @ 25°C: 200mA · Емкость @ Vds: 30pF @ 10V · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 150mW · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363 | from 0,00 to 0,00 | Additional information Find at suppliers Buy in store | |
ZXMD63P03XTA | Diodes/Zetex | MOSFET 2P-CH 30V 2A 8-MSOP Rds On (Max) @ Id, Vgs: 185 mOhm @ 1.2A, 10V · Напряжение (Vdss): 30В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 7nC @ 10V · Ток @ 25°C: 2A · Емкость @ Vds: 270pF @ 25V · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 870mW · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-MSOP, Micro8™, 8-uMAX, 8-uSOP, | from 0,00 to 0,00 | Additional information Find at suppliers Buy in store | |
SP8J4TB | Rohm Semiconductor | MOSFET 2P-CH 30V 2A 8-SOIC Rds On (Max) @ Id, Vgs: 235 mOhm @ 2A, 10V · Напряжение (Vdss): 30В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 2.4nC @ 5V · Ток @ 25°C: 2A · Емкость @ Vds: 190pF @ 10V · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 2Вт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина) | from 0,00 to 0,00 | Additional information Find at suppliers Buy in store | |
SP8J3TB | Rohm Semiconductor | MOSFET 2P-CH 30V 3.5A 8-SOIC Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90 mOhm @ 3.5, 10V · Напряжение (Vdss): 30В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 5.5nC @ 5V · Ток @ 25°C: 3.5A · Емкость @ Vds: 490pf @ 10V · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 2Вт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина) | from 0,00 to 0,00 | Additional information Find at suppliers Buy in store | |
IRF7306 | International Rectifier | MOSFET 2P-CH 30V 3.6A 8-SOIC Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100 mOhm @ 1.8A, 10V · Напряжение (Vdss): 30В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 25nC @ 10V · Ток @ 25°C: 3.6A · Емкость @ Vds: 440pF @ 25V · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 2Вт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина) | from 0,00 | Additional information Find at suppliers Buy in store | |
IRF7306TR | International Rectifier | MOSFET 2P-CH 30V 3.6A 8-SOIC Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100 mOhm @ 1.8A, 10V · Напряжение (Vdss): 30В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 25nC @ 10V · Ток @ 25°C: 3.6A · Емкость @ Vds: 440pF @ 25V · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 2Вт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина) | from 0,00 to 0,00 | Additional information Find at suppliers Buy in store | |
IRF7306TRPBF | International Rectifier | MOSFET 2P-CH 30V 3.6A 8-SOIC Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100 mOhm @ 1.8A, 10V · Напряжение (Vdss): 30В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 25nC @ 10V · Ток @ 25°C: 3.6A · Емкость @ Vds: 440pF @ 25V · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 2Вт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина) | from 0,00 to 0,00 | Additional information Find at suppliers Buy in store | |
IRF7306PBF | International Rectifier | MOSFET 2P-CH 30V 3.6A 8-SOIC Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100 mOhm @ 1.8A, 10V · Напряжение (Vdss): 30В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 25nC @ 10V · Ток @ 25°C: 3.6A · Емкость @ Vds: 440pF @ 25V · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 2Вт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина) | from 0,00 | Additional information Find at suppliers Buy in store | |
ZXMP3A17DN8TA | Diodes/Zetex | MOSFET 2P-CH 30V 4.4A 8-SOIC Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70 mOhm @ 3.2A, 10V · Напряжение (Vdss): 30В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 15.8nC @ 10V · Ток @ 25°C: 3.4A · Емкость @ Vds: 630pF @ 15V · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 1.25W · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина) | from 0,00 to 0,00 | Additional information Find at suppliers Buy in store | |
SP8J2TB | Rohm Semiconductor | MOSFET 2P-CH 30V 4.5A 8-SOIC Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56 mOhm @ 4.5A, 10V · Напряжение (Vdss): 30В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 8.5nC @ 5V · Ток @ 25°C: 4.5A · Емкость @ Vds: 850pF @ 10V · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 2Вт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина) | from 0,00 to 0,00 | Additional information Find at suppliers Buy in store | |
IRF7751TR | International Rectifier | MOSFET 2P-CH 30V 4.5A 8-TSSOP Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35 mOhm @ 4.5A, 10V · Напряжение (Vdss): 30В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 44nC @ 10V · Ток @ 25°C: 4.5A · Емкость @ Vds: 1464pF @ 25V · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 1Вт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-TSSOP | Additional information Find at suppliers Buy in store | ||
IRF7751 | International Rectifier | MOSFET 2P-CH 30V 4.5A 8-TSSOP Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35 mOhm @ 4.5A, 10V · Напряжение (Vdss): 30В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 44nC @ 10V · Ток @ 25°C: 4.5A · Емкость @ Vds: 1464pF @ 25V · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 1Вт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-TSSOP | Additional information Find at suppliers Buy in store | ||
ZXMD65P03N8TA | Diodes/Zetex | MOSFET 2P-CH 30V 4.8MA 8-SOIC Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55 mOhm @ 4.9A, 10V · Напряжение (Vdss): 30В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 25.7nC @ 10V · Ток @ 25°C: 3.8A · Емкость @ Vds: 930pF @ 25V · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Стандарт · Мощность макcимальная: 1.25W · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина) | from 0,00 to 0,00 | Additional information Find at suppliers Buy in store | |
IRF7316TRPBF | International Rectifier | MOSFET 2P-CH 30V 4.9A 8-SOIC Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58 mOhm @ 4.9A, 10V · Напряжение (Vdss): 30В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 34nC @ 10V · Ток @ 25°C: 4.9A · Емкость @ Vds: 710pF @ 25V · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 2Вт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина) | from 0,00 to 0,00 | Additional information Find at suppliers Buy in store | |
IRF7316 | International Rectifier | MOSFET 2P-CH 30V 4.9A 8-SOIC Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58 mOhm @ 4.9A, 10V · Напряжение (Vdss): 30В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 34nC @ 10V · Ток @ 25°C: 4.9A · Емкость @ Vds: 710pF @ 25V · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 2Вт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина) | from 0,00 to 0,00 | Additional information Find at suppliers Buy in store | |
IRF7316TR | International Rectifier | MOSFET 2P-CH 30V 4.9A 8-SOIC Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58 mOhm @ 4.9A, 10V · Напряжение (Vdss): 30В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 34nC @ 10V · Ток @ 25°C: 4.9A · Емкость @ Vds: 710pF @ 25V · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 2Вт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина) | Additional information Find at suppliers Buy in store | ||
IRF7316PBF | International Rectifier | MOSFET 2P-CH 30V 4.9A 8-SOIC Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58 mOhm @ 4.9A, 10V · Напряжение (Vdss): 30В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 34nC @ 10V · Ток @ 25°C: 4.9A · Емкость @ Vds: 710pF @ 25V · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 2Вт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина) | from 0,00 | Additional information Find at suppliers Buy in store | |
NDS8947 | Fairchild Semiconductor | MOSFET 2P-CH 30V 4A 8-SOIC Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65 mOhm @ 4A, 10V · Напряжение (Vdss): 30В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 30nC @ 10V · Ток @ 25°C: 4A · Емкость @ Vds: 690pF @ 15V · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 900мВт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина) | from 0,00 to 0,00 | Additional information Find at suppliers Buy in store | |
STS4DPF30L | STMicroelectronics | MOSFET 2P-CH 30V 4A 8-SOIC Серия: STripFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80 mOhm @ 2A, 10V · Напряжение (Vdss): 30В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 16nC @ 5V · Ток @ 25°C: 4A · Емкость @ Vds: 1350pF @ 25V · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Стандарт · Мощность макcимальная: 2Вт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина) | from 0,00 to 0,00 | Additional information Find at suppliers Buy in store | |
ZXMP3A16DN8TA | Diodes/Zetex | MOSFET 2P-CH 30V 5.5A 8-SOIC Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45 mOhm @ 4.2A, 10V · Напряжение (Vdss): 30В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 29.6nC @ 10V · Ток @ 25°C: 4.2A · Емкость @ Vds: 1022pF @ 15V · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 1.25W · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина) | from 0,00 to 0,00 | Additional information Find at suppliers Buy in store | |
SP8J1TB | Rohm Semiconductor | MOSFET 2P-CH 30V 5A 8-SOIC Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42 mOhm @ 5A, 10V · Напряжение (Vdss): 30В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 16nC @ 5V · Ток @ 25°C: 5A · Емкость @ Vds: 1400pF @ 10V · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 2Вт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина) | from 0,00 to 0,00 | Additional information Find at suppliers Buy in store | |
SP8J5TB | Rohm Semiconductor | MOSFET 2P-CH 30V 7A 8-SOIC Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28 mOhm @ 7A, 10V · Напряжение (Vdss): 30В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 25nC @ 5V · Ток @ 25°C: 7A · Емкость @ Vds: 2600pF @ 10V · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 2Вт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина) | from 0,00 to 0,00 | Additional information Find at suppliers Buy in store | |
IRF7328TR | International Rectifier | MOSFET 2P-CH 30V 8A 8-SOIC Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21 mOhm @ 8A, 10V · Напряжение (Vdss): 30В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 78nC @ 10V · Ток @ 25°C: 8A · Емкость @ Vds: 2675pF @ 25V · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 2Вт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина) | from 0,00 | Additional information Find at suppliers Buy in store |
© 2006 — 2024 ChipFind Ltd. Contact phone, e-mail, ICQ |
Catalog with parameters for 1,401,534 components | Register • Advertising |