Интегральные микросхемы  ·  Управление напряжением (специализированные)

Сфера применения: USB, Peripherals  ·  Ток выходной: 50µA  ·  Напряжение питания: 4 V ~ 5.5 V  ·  Рабочая температура: -40°C ~ 85°C  ·  Корпус: 10-MSOP, Micro10™, 10-uMAX, 10-uSOP

Сфера применения: USB, Peripherals  ·  Ток выходной: 50µA  ·  Напряжение питания: 4 V ~ 5.5 V  ·  Рабочая температура: -40°C ~ 85°C  ·  Корпус: 10-MSOP, Micro10™, 10-uMAX, 10-uSOP

Сфера применения: USB, Peripherals  ·  Ток выходной: 50µA  ·  Напряжение питания: 4 V ~ 5.5 V  ·  Рабочая температура: -40°C ~ 85°C  ·  Корпус: 10-MSOP, Micro10™, 10-uMAX, 10-uSOP

Сфера применения: USB, Peripherals  ·  Напряжение питания: 4 V ~ 5.5 V  ·  Рабочая температура: -40°C ~ 85°C  ·  Корпус: 16-QSOP

Сфера применения: USB, Peripherals  ·  Ток выходной: 40µA  ·  Напряжение питания: 2.7 V ~ 5.5 V  ·  Рабочая температура: -40°C ~ 85°C  ·  Корпус: 8-TDFN Exposed Pad

Сфера применения: USB, Peripherals  ·  Ток выходной: 60µA  ·  Напряжение питания: 4 V ~ 5.5 V  ·  Рабочая температура: -40°C ~ 85°C  ·  Корпус: 16-QSOP

Сфера применения: System Basis Chip  ·  Ток выходной: 4.5mA  ·  Напряжение питания: 5.5 V ~ 27 V  ·  Рабочая температура: -40°C ~ 125°C  ·  Корпус: 32-LQFP

Сфера применения: System Basis Chip  ·  Ток выходной: 4.5mA  ·  Напряжение питания: 5.5 V ~ 27 V  ·  Рабочая температура: -40°C ~ 125°C  ·  Корпус: 32-LQFP

Сфера применения: System Basis Chip  ·  Ток выходной: 4.5mA  ·  Напряжение питания: 5.5 V ~ 27 V  ·  Рабочая температура: -40°C ~ 125°C  ·  Корпус: 32-LQFP

Сфера применения: System Basis Chip  ·  Ток выходной: 4.5mA  ·  Напряжение питания: 5.5 V ~ 27 V  ·  Рабочая температура: -40°C ~ 125°C  ·  Корпус: 32-LQFP

Сфера применения: System Basis Chip  ·  Ток выходной: 4.5mA  ·  Напряжение питания: 5.5 V ~ 27 V  ·  Рабочая температура: -40°C ~ 125°C  ·  Корпус: 32-LQFP

Сфера применения: System Basis Chip  ·  Ток выходной: 4.5mA  ·  Напряжение питания: 5.5 V ~ 27 V  ·  Рабочая температура: -40°C ~ 125°C  ·  Корпус: 32-LQFP

Сфера применения: Automotive  ·  Ток выходной: 42mA  ·  Напряжение питания: 5.5 V ~ 18 V  ·  Рабочая температура: -40°C ~ 125°C  ·  Корпус: 28-SOIC (7.5мм ширина)