Интегральные микросхемы  ·  Корректировка коэффициента мощности (PFC)

Режим: Average Current  ·  Частота - переключений: 100кГц  ·  Напряжение старта: 100µA  ·  Напряжение питания: 14.5 V ~ 19.5V  ·  Рабочая температура: -40°C ~ 125°C  ·  Корпус: 20-SOIC (7.5мм ширина)

Режим: Discontinuous (Transition)  ·  Напряжение старта: 300µA  ·  Напряжение питания: 11 V ~ 18 V  ·  Рабочая температура: -20°C ~ 150°C  ·  Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина)

Режим: Discontinuous (Transition)  ·  Напряжение старта: 50µA  ·  Напряжение питания: 11 V ~ 18 V  ·  Рабочая температура: -25°C ~ 125°C  ·  Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина)

Режим: Discontinuous (Transition)  ·  Частота - переключений: 1MHz  ·  Напряжение старта: 30µA  ·  Напряжение питания: 10.5 V ~ 22.5 V  ·  Рабочая температура: -25°C ~ 125°C  ·  Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина)

Режим: Discontinuous (Transition)  ·  Частота - переключений: 1MHz  ·  Напряжение старта: 30µA  ·  Напряжение питания: 10.5 V ~ 22.5 V  ·  Рабочая температура: -25°C ~ 125°C  ·  Корпус: 8-DIP (300 mil)

Режим: Discontinuous (Transition)  ·  Частота - переключений: 1MHz  ·  Напряжение старта: 40µA  ·  Напряжение питания: 10.3 V ~ 22 V  ·  Рабочая температура: -25°C ~ 125°C  ·  Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина)

Режим: Discontinuous (Transition)  ·  Частота - переключений: 1MHz  ·  Напряжение старта: 40µA  ·  Напряжение питания: 10.3 V ~ 22 V  ·  Рабочая температура: -25°C ~ 125°C  ·  Корпус: 8-DIP (300 mil)

Режим: Discontinuous (Transition)  ·  Напряжение старта: 50µA  ·  Напряжение питания: 10.3 V ~ 22 V  ·  Рабочая температура: -25°C ~ 125°C  ·  Корпус: 14-SOIC (3.9мм ширина), 14-SOL

Режим: Discontinuous (Transition)  ·  Напряжение старта: 90µA  ·  Напряжение питания: 10.3 V ~ 22.5 V  ·  Рабочая температура: -25°C ~ 125°C  ·  Корпус: 16-SOIC (3.9мм ширина)

Режим: Discontinuous (Transition)  ·  Напряжение старта: 50µA  ·  Напряжение питания: 10.3 V ~ 22 V  ·  Рабочая температура: -25°C ~ 125°C  ·  Корпус: 14-SOIC (3.9мм ширина), 14-SOL

Режим: Average Current  ·  Частота - переключений: 300кГц  ·  Напряжение старта: 250µA  ·  Напряжение питания: 15.5 V ~ 27 V  ·  Рабочая температура: 0°C ~ 100°C  ·  Корпус: 16-DIP (300 mil)

Режим: Average Current  ·  Частота - переключений: 300кГц  ·  Напряжение старта: 250µA  ·  Напряжение питания: 15.5 V ~ 27 V  ·  Рабочая температура: 0°C ~ 100°C  ·  Корпус: 16-SOIC (3.9мм ширина)