Интегральные микросхемы  ·  MOSFET (внешнее переключение)

Конфигурация: Low-Side  ·  Тип входа: Non-Inverting  ·  Время задержки: 25ns  ·  Ток пиковое значение: 4A  ·  Число конфигураций: 2  ·  Число выходов: 2  ·  Напряжение питания: 4 V ~ 15 V  ·  Рабочая температура: -40°C ~ 125°C  ·  Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина)

Конфигурация: Low-Side  ·  Тип входа: Non-Inverting  ·  Время задержки: 25ns  ·  Ток пиковое значение: 4A  ·  Число конфигураций: 2  ·  Число выходов: 2  ·  Напряжение питания: 4 V ~ 15 V  ·  Рабочая температура: -40°C ~ 125°C  ·  Корпус: 8-DIP (300 mil)

Конфигурация: Low-Side  ·  Тип входа: Inverting and Non-Inverting  ·  Время задержки: 25ns  ·  Ток пиковое значение: 4A  ·  Число конфигураций: 2  ·  Число выходов: 2  ·  Напряжение питания: 4 V ~ 15 V  ·  Рабочая температура: -40°C ~ 125°C  ·  Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина)

Конфигурация: Low-Side  ·  Тип входа: Inverting and Non-Inverting  ·  Время задержки: 25ns  ·  Ток пиковое значение: 4A  ·  Число конфигураций: 2  ·  Число выходов: 2  ·  Напряжение питания: 4 V ~ 15 V  ·  Рабочая температура: -40°C ~ 125°C  ·  Корпус: 8-MSOP Exposed Pad, 8-HMSOP, 8-eMSOP

Конфигурация: Low-Side  ·  Тип входа: Inverting and Non-Inverting  ·  Время задержки: 25ns  ·  Ток пиковое значение: 4A  ·  Число конфигураций: 2  ·  Число выходов: 2  ·  Напряжение питания: 4 V ~ 15 V  ·  Рабочая температура: -40°C ~ 125°C  ·  Корпус: 8-MSOP Exposed Pad, 8-HMSOP, 8-eMSOP

Конфигурация: Low-Side  ·  Тип входа: Inverting and Non-Inverting  ·  Время задержки: 25ns  ·  Ток пиковое значение: 4A  ·  Число конфигураций: 2  ·  Число выходов: 2  ·  Напряжение питания: 4 V ~ 15 V  ·  Рабочая температура: -40°C ~ 125°C  ·  Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина)

Конфигурация: Low-Side  ·  Тип входа: Inverting and Non-Inverting  ·  Время задержки: 25ns  ·  Ток пиковое значение: 4A  ·  Число конфигураций: 2  ·  Число выходов: 2  ·  Напряжение питания: 4 V ~ 15 V  ·  Рабочая температура: -40°C ~ 125°C  ·  Корпус: 8-DIP (300 mil)

Конфигурация: Low-Side  ·  Тип входа: Non-Inverting  ·  Время задержки: 25ns  ·  Ток пиковое значение: 4A  ·  Число конфигураций: 2  ·  Число выходов: 2  ·  Напряжение питания: 4 V ~ 15 V  ·  Рабочая температура: -40°C ~ 105°C  ·  Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина)

Конфигурация: Low-Side  ·  Тип входа: Non-Inverting  ·  Время задержки: 25ns  ·  Ток пиковое значение: 4A  ·  Число конфигураций: 2  ·  Число выходов: 2  ·  Напряжение питания: 4 V ~ 15 V  ·  Рабочая температура: -40°C ~ 105°C  ·  Корпус: 8-MSOP Exposed Pad, 8-HMSOP, 8-eMSOP

Конфигурация: Low-Side  ·  Тип входа: Non-Inverting  ·  Время задержки: 25ns  ·  Ток пиковое значение: 4A  ·  Число конфигураций: 2  ·  Число выходов: 2  ·  Напряжение питания: 4 V ~ 15 V  ·  Рабочая температура: -40°C ~ 105°C  ·  Корпус: 8-MSOP Exposed Pad, 8-HMSOP, 8-eMSOP

Конфигурация: Low-Side  ·  Тип входа: Non-Inverting  ·  Время задержки: 25ns  ·  Ток пиковое значение: 4A  ·  Число конфигураций: 2  ·  Число выходов: 2  ·  Напряжение питания: 4 V ~ 15 V  ·  Рабочая температура: -40°C ~ 105°C  ·  Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина)

Конфигурация: Low-Side  ·  Тип входа: Non-Inverting  ·  Время задержки: 35ns  ·  Ток пиковое значение: 4A  ·  Число конфигураций: 2  ·  Число выходов: 2  ·  Напряжение питания: 4 V ~ 15 V  ·  Рабочая температура: -55°C ~ 125°C  ·  Корпус: 8-MSOP Exposed Pad, 8-HMSOP, 8-eMSOP

Конфигурация: Low-Side  ·  Тип входа: Non-Inverting  ·  Время задержки: 25ns  ·  Ток пиковое значение: 4A  ·  Число конфигураций: 2  ·  Число выходов: 2  ·  Напряжение питания: 4 V ~ 15 V  ·  Рабочая температура: -40°C ~ 105°C  ·  Корпус: 8-DIP (300 mil)