Log in    Register
ChipFind Component Selection Catalog
For example: transistor, max232, lt319a
 

Дискретные полупроводники  ·  Диоды Зеннера (одиночные)

Производитель












Серия

Напряжение Зенера номинальное

















































































Прямое напряжение

















Обратный ток утечки




























































































































































































































































































































































































































































































































































































































































Допустимые отклонения емкости




































Мощность макcимальная

























Полное сопротивление (импеданс)


























































































































































Тип монтажа


Корпус



























































 
PhotoNameManufacturerTechnical parametersPrices (rub.)Buy
CZRER52C10Comchip TechnologyDIODE ZENER 10V 150MW 0503
Напряжение Зенера номинальное: 10V  ·  Прямое напряжение: 900mV @ 10mA  ·  Обратный ток утечки: 100nA @ 7.5V  ·  Допустимые отклонения емкости: ±5%  ·  Мощность макcимальная: 150mW  ·  Полное сопротивление (импеданс): 15 Ohm  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: 0503 (1308 metric)  ·  Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
from 0,00Additional information
Find at suppliers
Buy in store
PDZ4.7B,135NXP SemiconductorsDIODE VREG 1.0V 400MW SOD-323
Напряжение Зенера номинальное: 4.7V  ·  Прямое напряжение: 900mV @ 10mA  ·  Обратный ток утечки: 2µA @ 1V  ·  Допустимые отклонения емкости: ±2%  ·  Мощность макcимальная: 400мВт  ·  Полное сопротивление (импеданс): 90 Ohm  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SC-76, SOD-323, UMD2  ·  Operating Temperature: -65°C ~ 150°C
from 0,00Additional information
Find at suppliers
Buy in store
BZV85-C10,133NXP SemiconductorsDIODE VREG 10V 1.3W DO-41
Напряжение Зенера номинальное: 10V  ·  Прямое напряжение: 1V @ 50mA  ·  Обратный ток утечки: 200nA @ 7V  ·  Допустимые отклонения емкости: ±5%  ·  Мощность макcимальная: 1.3W  ·  Полное сопротивление (импеданс): 8 Ohm  ·  Тип монтажа: Through Hole, Axial  ·  Корпус: DO-41, Axial  ·  Operating Temperature: -65°C ~ 200°C
from 0,00Additional information
Find at suppliers
Buy in store
BZX84-A10,215NXP SemiconductorsDIODE VREG 10V 250MW SOT-23
Напряжение Зенера номинальное: 10V  ·  Прямое напряжение: 900mV @ 10mA  ·  Обратный ток утечки: 200nA @ 7V  ·  Допустимые отклонения емкости: ±1%  ·  Мощность макcимальная: 250mW  ·  Полное сопротивление (импеданс): 20 Ohm  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3  ·  Operating Temperature: -65°C ~ 150°C
from 0,00Additional information
Find at suppliers
Buy in store
PDZ13B,135NXP SemiconductorsDIODE VREG 10V 400MW SOD-323
Напряжение Зенера номинальное: 13V  ·  Прямое напряжение: 900mV @ 10mA  ·  Обратный ток утечки: 100nA @ 10V  ·  Допустимые отклонения емкости: ±2%  ·  Мощность макcимальная: 400мВт  ·  Полное сопротивление (импеданс): 10 Ohm  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SC-76, SOD-323, UMD2  ·  Operating Temperature: -65°C ~ 150°C
from 0,00Additional information
Find at suppliers
Buy in store
BZX79-B10,143NXP SemiconductorsDIODE VREG 10V 500MW DO-35
Напряжение Зенера номинальное: 10V  ·  Прямое напряжение: 900mV @ 10mA  ·  Обратный ток утечки: 200nA @ 7V  ·  Допустимые отклонения емкости: ±2%  ·  Мощность макcимальная: 400мВт  ·  Полное сопротивление (импеданс): 20 Ohm  ·  Тип монтажа: Through Hole, Axial  ·  Корпус: DO-35, Axial  ·  Operating Temperature: -65°C ~ 200°C
from 0,00Additional information
Find at suppliers
Buy in store
BZX79-C10,143NXP SemiconductorsDIODE VREG 10V 500MW DO-35
Напряжение Зенера номинальное: 10V  ·  Прямое напряжение: 900mV @ 10mA  ·  Обратный ток утечки: 200nA @ 7V  ·  Допустимые отклонения емкости: ±5%  ·  Мощность макcимальная: 400мВт  ·  Полное сопротивление (импеданс): 20 Ohm  ·  Тип монтажа: Through Hole, Axial  ·  Корпус: DO-35, Axial  ·  Operating Temperature: -65°C ~ 200°C
from 0,00Additional information
Find at suppliers
Buy in store
1N4740A,133NXP SemiconductorsDIODE VREG 10V 91MA DO-41
Напряжение Зенера номинальное: 10V  ·  Прямое напряжение: 1.2V @ 200mA  ·  Обратный ток утечки: 10µA @ 7.6V  ·  Допустимые отклонения емкости: ±5%  ·  Мощность макcимальная: 1Вт  ·  Полное сопротивление (импеданс): 7 Ohm  ·  Тип монтажа: Through Hole, Axial  ·  Корпус: DO-41, Axial  ·  Operating Temperature: -65°C ~ 200°C
from 0,00Additional information
Find at suppliers
Buy in store
BZV85-C11,133NXP SemiconductorsDIODE VREG 11V 1.3W DO-41
Напряжение Зенера номинальное: 11В  ·  Прямое напряжение: 1V @ 50mA  ·  Обратный ток утечки: 200nA @ 7.7V  ·  Допустимые отклонения емкости: ±5%  ·  Мощность макcимальная: 1.3W  ·  Полное сопротивление (импеданс): 10 Ohm  ·  Тип монтажа: Through Hole, Axial  ·  Корпус: DO-41, Axial  ·  Operating Temperature: -65°C ~ 200°C
from 0,00Additional information
Find at suppliers
Buy in store
BZX84-A11,215NXP SemiconductorsDIODE VREG 11V 250MW SOT-23
Напряжение Зенера номинальное: 11В  ·  Прямое напряжение: 900mV @ 10mA  ·  Обратный ток утечки: 100nA @ 8V  ·  Допустимые отклонения емкости: ±1%  ·  Мощность макcимальная: 250mW  ·  Полное сопротивление (импеданс): 20 Ohm  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3  ·  Operating Temperature: -65°C ~ 150°C
from 0,00Additional information
Find at suppliers
Buy in store
PDZ15B,135NXP SemiconductorsDIODE VREG 11V 400MW SOD-323
Напряжение Зенера номинальное: 15V  ·  Прямое напряжение: 900mV @ 10mA  ·  Обратный ток утечки: 50nA @ 11V  ·  Допустимые отклонения емкости: ±2%  ·  Мощность макcимальная: 400мВт  ·  Полное сопротивление (импеданс): 15 Ohm  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SC-76, SOD-323, UMD2  ·  Operating Temperature: -65°C ~ 150°C
from 0,00Additional information
Find at suppliers
Buy in store
BZX79-C11,143NXP SemiconductorsDIODE VREG 11V 500MW DO-35
Напряжение Зенера номинальное: 11В  ·  Прямое напряжение: 900mV @ 10mA  ·  Обратный ток утечки: 100nA @ 8V  ·  Допустимые отклонения емкости: ±5%  ·  Мощность макcимальная: 400мВт  ·  Полное сопротивление (импеданс): 20 Ohm  ·  Тип монтажа: Through Hole, Axial  ·  Корпус: DO-35, Axial  ·  Operating Temperature: -65°C ~ 200°C
from 0,00Additional information
Find at suppliers
Buy in store
BZX79-B11,143NXP SemiconductorsDIODE VREG 11V 500MW DO-35
Напряжение Зенера номинальное: 11В  ·  Прямое напряжение: 900mV @ 10mA  ·  Обратный ток утечки: 100nA @ 8V  ·  Допустимые отклонения емкости: ±2%  ·  Мощность макcимальная: 400мВт  ·  Полное сопротивление (импеданс): 20 Ohm  ·  Тип монтажа: Through Hole, Axial  ·  Корпус: DO-35, Axial  ·  Operating Temperature: -65°C ~ 200°C
from 0,00Additional information
Find at suppliers
Buy in store
1N4741A,133NXP SemiconductorsDIODE VREG 11V 83MA DO-41
Напряжение Зенера номинальное: 11В  ·  Прямое напряжение: 1.2V @ 200mA  ·  Обратный ток утечки: 5µA @ 8.4V  ·  Допустимые отклонения емкости: ±5%  ·  Мощность макcимальная: 1Вт  ·  Полное сопротивление (импеданс): 8 Ohm  ·  Тип монтажа: Through Hole, Axial  ·  Корпус: DO-41, Axial  ·  Operating Temperature: -65°C ~ 200°C
from 0,00Additional information
Find at suppliers
Buy in store
BZV85-C12,133NXP SemiconductorsDIODE VREG 12V 1.3W DO-41
Напряжение Зенера номинальное: 12В  ·  Прямое напряжение: 1V @ 50mA  ·  Обратный ток утечки: 200nA @ 8.4V  ·  Допустимые отклонения емкости: ±5%  ·  Мощность макcимальная: 1.3W  ·  Полное сопротивление (импеданс): 10 Ohm  ·  Тип монтажа: Through Hole, Axial  ·  Корпус: DO-41, Axial  ·  Operating Temperature: -65°C ~ 200°C
from 0,00Additional information
Find at suppliers
Buy in store
BZX84-A12,215NXP SemiconductorsDIODE VREG 12V 250MW SOT-23
Напряжение Зенера номинальное: 12В  ·  Прямое напряжение: 900mV @ 10mA  ·  Обратный ток утечки: 100nA @ 8V  ·  Допустимые отклонения емкости: ±1%  ·  Мощность макcимальная: 250mW  ·  Полное сопротивление (импеданс): 25 Ohm  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3  ·  Operating Temperature: -65°C ~ 150°C
from 0,00Additional information
Find at suppliers
Buy in store
PDZ16B,135NXP SemiconductorsDIODE VREG 12V 400MW SOD-323
Напряжение Зенера номинальное: 16V  ·  Прямое напряжение: 900mV @ 10mA  ·  Обратный ток утечки: 50nA @ 12V  ·  Допустимые отклонения емкости: ±2%  ·  Мощность макcимальная: 400мВт  ·  Полное сопротивление (импеданс): 20 Ohm  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SC-76, SOD-323, UMD2  ·  Operating Temperature: -65°C ~ 150°C
from 0,00Additional information
Find at suppliers
Buy in store
BZX79-C12,143NXP SemiconductorsDIODE VREG 12V 500MW DO-35
Напряжение Зенера номинальное: 12В  ·  Прямое напряжение: 900mV @ 10mA  ·  Обратный ток утечки: 100nA @ 8V  ·  Допустимые отклонения емкости: ±5%  ·  Мощность макcимальная: 400мВт  ·  Полное сопротивление (импеданс): 25 Ohm  ·  Тип монтажа: Through Hole, Axial  ·  Корпус: DO-35, Axial  ·  Operating Temperature: -65°C ~ 200°C
from 0,00Additional information
Find at suppliers
Buy in store
BZX79-B12,143NXP SemiconductorsDIODE VREG 12V 500MW DO-35
Напряжение Зенера номинальное: 12В  ·  Прямое напряжение: 900mV @ 10mA  ·  Обратный ток утечки: 100nA @ 8V  ·  Допустимые отклонения емкости: ±2%  ·  Мощность макcимальная: 400мВт  ·  Полное сопротивление (импеданс): 25 Ohm  ·  Тип монтажа: Through Hole, Axial  ·  Корпус: DO-35, Axial  ·  Operating Temperature: -65°C ~ 200°C
from 0,00Additional information
Find at suppliers
Buy in store
1N4742A,133NXP SemiconductorsDIODE VREG 12V 76MA DO-41
Напряжение Зенера номинальное: 12В  ·  Прямое напряжение: 1.2V @ 200mA  ·  Обратный ток утечки: 5µA @ 9.1V  ·  Допустимые отклонения емкости: ±5%  ·  Мощность макcимальная: 1Вт  ·  Полное сопротивление (импеданс): 9 Ohm  ·  Тип монтажа: Through Hole, Axial  ·  Корпус: DO-41, Axial  ·  Operating Temperature: -65°C ~ 200°C
from 0,00Additional information
Find at suppliers
Buy in store
BZV85-C13,133NXP SemiconductorsDIODE VREG 13V 1.3W DO-41
Напряжение Зенера номинальное: 13V  ·  Прямое напряжение: 1V @ 50mA  ·  Обратный ток утечки: 200nA @ 9.1V  ·  Допустимые отклонения емкости: ±5%  ·  Мощность макcимальная: 1.3W  ·  Полное сопротивление (импеданс): 10 Ohm  ·  Тип монтажа: Through Hole, Axial  ·  Корпус: DO-41, Axial  ·  Operating Temperature: -65°C ~ 200°C
from 0,00Additional information
Find at suppliers
Buy in store
BZX84-A13,215NXP SemiconductorsDIODE VREG 13V 250MW SOT-23
Напряжение Зенера номинальное: 13V  ·  Прямое напряжение: 900mV @ 10mA  ·  Обратный ток утечки: 100nA @ 8V  ·  Допустимые отклонения емкости: ±1%  ·  Мощность макcимальная: 250mW  ·  Полное сопротивление (импеданс): 30 Ohm  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3  ·  Operating Temperature: -65°C ~ 150°C
from 0,00Additional information
Find at suppliers
Buy in store
BZX79-B13,143NXP SemiconductorsDIODE VREG 13V 500MW DO-35
Напряжение Зенера номинальное: 13V  ·  Прямое напряжение: 900mV @ 10mA  ·  Обратный ток утечки: 100nA @ 8V  ·  Допустимые отклонения емкости: ±2%  ·  Мощность макcимальная: 400мВт  ·  Полное сопротивление (импеданс): 30 Ohm  ·  Тип монтажа: Through Hole, Axial  ·  Корпус: DO-35, Axial  ·  Operating Temperature: -65°C ~ 200°C
from 0,00Additional information
Find at suppliers
Buy in store
BZX79-B13,133NXP SemiconductorsDIODE VREG 13V 500MW DO-35
Напряжение Зенера номинальное: 13V  ·  Прямое напряжение: 900mV @ 10mA  ·  Обратный ток утечки: 100nA @ 8V  ·  Допустимые отклонения емкости: ±2%  ·  Мощность макcимальная: 400мВт  ·  Полное сопротивление (импеданс): 30 Ohm  ·  Тип монтажа: Through Hole, Axial  ·  Корпус: DO-35, Axial  ·  Operating Temperature: -65°C ~ 200°C
from 0,00Additional information
Find at suppliers
Buy in store
BZX79-C13,143NXP SemiconductorsDIODE VREG 13V 500MW DO-35
Напряжение Зенера номинальное: 13V  ·  Прямое напряжение: 900mV @ 10mA  ·  Обратный ток утечки: 100nA @ 8V  ·  Допустимые отклонения емкости: ±5%  ·  Мощность макcимальная: 400мВт  ·  Полное сопротивление (импеданс): 30 Ohm  ·  Тип монтажа: Through Hole, Axial  ·  Корпус: DO-35, Axial  ·  Operating Temperature: -65°C ~ 200°C
from 0,00Additional information
Find at suppliers
Buy in store
← Ctrl  previous12345678 ... 304  Ctrl →

© 2006 — 2024 ChipFind Ltd.
Contact phone, e-mail, ICQ
Catalog with parameters for 1,401,534 components RegisterAdvertising