Log in Register |
Photo | Name | Manufacturer | Technical parameters | Prices (rub.) | Buy |
CZRER52C10 | Comchip Technology | DIODE ZENER 10V 150MW 0503 Напряжение Зенера номинальное: 10V · Прямое напряжение: 900mV @ 10mA · Обратный ток утечки: 100nA @ 7.5V · Допустимые отклонения емкости: ±5% · Мощность макcимальная: 150mW · Полное сопротивление (импеданс): 15 Ohm · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 0503 (1308 metric) · Operating Temperature: -55°C ~ 125°C | from 0,00 | Additional information Find at suppliers Buy in store | |
PDZ4.7B,135 | NXP Semiconductors | DIODE VREG 1.0V 400MW SOD-323 Напряжение Зенера номинальное: 4.7V · Прямое напряжение: 900mV @ 10mA · Обратный ток утечки: 2µA @ 1V · Допустимые отклонения емкости: ±2% · Мощность макcимальная: 400мВт · Полное сопротивление (импеданс): 90 Ohm · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SC-76, SOD-323, UMD2 · Operating Temperature: -65°C ~ 150°C | from 0,00 | Additional information Find at suppliers Buy in store | |
BZV85-C10,133 | NXP Semiconductors | DIODE VREG 10V 1.3W DO-41 Напряжение Зенера номинальное: 10V · Прямое напряжение: 1V @ 50mA · Обратный ток утечки: 200nA @ 7V · Допустимые отклонения емкости: ±5% · Мощность макcимальная: 1.3W · Полное сопротивление (импеданс): 8 Ohm · Тип монтажа: Through Hole, Axial · Корпус: DO-41, Axial · Operating Temperature: -65°C ~ 200°C | from 0,00 | Additional information Find at suppliers Buy in store | |
BZX84-A10,215 | NXP Semiconductors | DIODE VREG 10V 250MW SOT-23 Напряжение Зенера номинальное: 10V · Прямое напряжение: 900mV @ 10mA · Обратный ток утечки: 200nA @ 7V · Допустимые отклонения емкости: ±1% · Мощность макcимальная: 250mW · Полное сопротивление (импеданс): 20 Ohm · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 · Operating Temperature: -65°C ~ 150°C | from 0,00 | Additional information Find at suppliers Buy in store | |
PDZ13B,135 | NXP Semiconductors | DIODE VREG 10V 400MW SOD-323 Напряжение Зенера номинальное: 13V · Прямое напряжение: 900mV @ 10mA · Обратный ток утечки: 100nA @ 10V · Допустимые отклонения емкости: ±2% · Мощность макcимальная: 400мВт · Полное сопротивление (импеданс): 10 Ohm · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SC-76, SOD-323, UMD2 · Operating Temperature: -65°C ~ 150°C | from 0,00 | Additional information Find at suppliers Buy in store | |
BZX79-B10,143 | NXP Semiconductors | DIODE VREG 10V 500MW DO-35 Напряжение Зенера номинальное: 10V · Прямое напряжение: 900mV @ 10mA · Обратный ток утечки: 200nA @ 7V · Допустимые отклонения емкости: ±2% · Мощность макcимальная: 400мВт · Полное сопротивление (импеданс): 20 Ohm · Тип монтажа: Through Hole, Axial · Корпус: DO-35, Axial · Operating Temperature: -65°C ~ 200°C | from 0,00 | Additional information Find at suppliers Buy in store | |
BZX79-C10,143 | NXP Semiconductors | DIODE VREG 10V 500MW DO-35 Напряжение Зенера номинальное: 10V · Прямое напряжение: 900mV @ 10mA · Обратный ток утечки: 200nA @ 7V · Допустимые отклонения емкости: ±5% · Мощность макcимальная: 400мВт · Полное сопротивление (импеданс): 20 Ohm · Тип монтажа: Through Hole, Axial · Корпус: DO-35, Axial · Operating Temperature: -65°C ~ 200°C | from 0,00 | Additional information Find at suppliers Buy in store | |
1N4740A,133 | NXP Semiconductors | DIODE VREG 10V 91MA DO-41 Напряжение Зенера номинальное: 10V · Прямое напряжение: 1.2V @ 200mA · Обратный ток утечки: 10µA @ 7.6V · Допустимые отклонения емкости: ±5% · Мощность макcимальная: 1Вт · Полное сопротивление (импеданс): 7 Ohm · Тип монтажа: Through Hole, Axial · Корпус: DO-41, Axial · Operating Temperature: -65°C ~ 200°C | from 0,00 | Additional information Find at suppliers Buy in store | |
BZV85-C11,133 | NXP Semiconductors | DIODE VREG 11V 1.3W DO-41 Напряжение Зенера номинальное: 11В · Прямое напряжение: 1V @ 50mA · Обратный ток утечки: 200nA @ 7.7V · Допустимые отклонения емкости: ±5% · Мощность макcимальная: 1.3W · Полное сопротивление (импеданс): 10 Ohm · Тип монтажа: Through Hole, Axial · Корпус: DO-41, Axial · Operating Temperature: -65°C ~ 200°C | from 0,00 | Additional information Find at suppliers Buy in store | |
BZX84-A11,215 | NXP Semiconductors | DIODE VREG 11V 250MW SOT-23 Напряжение Зенера номинальное: 11В · Прямое напряжение: 900mV @ 10mA · Обратный ток утечки: 100nA @ 8V · Допустимые отклонения емкости: ±1% · Мощность макcимальная: 250mW · Полное сопротивление (импеданс): 20 Ohm · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 · Operating Temperature: -65°C ~ 150°C | from 0,00 | Additional information Find at suppliers Buy in store | |
PDZ15B,135 | NXP Semiconductors | DIODE VREG 11V 400MW SOD-323 Напряжение Зенера номинальное: 15V · Прямое напряжение: 900mV @ 10mA · Обратный ток утечки: 50nA @ 11V · Допустимые отклонения емкости: ±2% · Мощность макcимальная: 400мВт · Полное сопротивление (импеданс): 15 Ohm · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SC-76, SOD-323, UMD2 · Operating Temperature: -65°C ~ 150°C | from 0,00 | Additional information Find at suppliers Buy in store | |
BZX79-C11,143 | NXP Semiconductors | DIODE VREG 11V 500MW DO-35 Напряжение Зенера номинальное: 11В · Прямое напряжение: 900mV @ 10mA · Обратный ток утечки: 100nA @ 8V · Допустимые отклонения емкости: ±5% · Мощность макcимальная: 400мВт · Полное сопротивление (импеданс): 20 Ohm · Тип монтажа: Through Hole, Axial · Корпус: DO-35, Axial · Operating Temperature: -65°C ~ 200°C | from 0,00 | Additional information Find at suppliers Buy in store | |
BZX79-B11,143 | NXP Semiconductors | DIODE VREG 11V 500MW DO-35 Напряжение Зенера номинальное: 11В · Прямое напряжение: 900mV @ 10mA · Обратный ток утечки: 100nA @ 8V · Допустимые отклонения емкости: ±2% · Мощность макcимальная: 400мВт · Полное сопротивление (импеданс): 20 Ohm · Тип монтажа: Through Hole, Axial · Корпус: DO-35, Axial · Operating Temperature: -65°C ~ 200°C | from 0,00 | Additional information Find at suppliers Buy in store | |
1N4741A,133 | NXP Semiconductors | DIODE VREG 11V 83MA DO-41 Напряжение Зенера номинальное: 11В · Прямое напряжение: 1.2V @ 200mA · Обратный ток утечки: 5µA @ 8.4V · Допустимые отклонения емкости: ±5% · Мощность макcимальная: 1Вт · Полное сопротивление (импеданс): 8 Ohm · Тип монтажа: Through Hole, Axial · Корпус: DO-41, Axial · Operating Temperature: -65°C ~ 200°C | from 0,00 | Additional information Find at suppliers Buy in store | |
BZV85-C12,133 | NXP Semiconductors | DIODE VREG 12V 1.3W DO-41 Напряжение Зенера номинальное: 12В · Прямое напряжение: 1V @ 50mA · Обратный ток утечки: 200nA @ 8.4V · Допустимые отклонения емкости: ±5% · Мощность макcимальная: 1.3W · Полное сопротивление (импеданс): 10 Ohm · Тип монтажа: Through Hole, Axial · Корпус: DO-41, Axial · Operating Temperature: -65°C ~ 200°C | from 0,00 | Additional information Find at suppliers Buy in store | |
BZX84-A12,215 | NXP Semiconductors | DIODE VREG 12V 250MW SOT-23 Напряжение Зенера номинальное: 12В · Прямое напряжение: 900mV @ 10mA · Обратный ток утечки: 100nA @ 8V · Допустимые отклонения емкости: ±1% · Мощность макcимальная: 250mW · Полное сопротивление (импеданс): 25 Ohm · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 · Operating Temperature: -65°C ~ 150°C | from 0,00 | Additional information Find at suppliers Buy in store | |
PDZ16B,135 | NXP Semiconductors | DIODE VREG 12V 400MW SOD-323 Напряжение Зенера номинальное: 16V · Прямое напряжение: 900mV @ 10mA · Обратный ток утечки: 50nA @ 12V · Допустимые отклонения емкости: ±2% · Мощность макcимальная: 400мВт · Полное сопротивление (импеданс): 20 Ohm · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SC-76, SOD-323, UMD2 · Operating Temperature: -65°C ~ 150°C | from 0,00 | Additional information Find at suppliers Buy in store | |
BZX79-C12,143 | NXP Semiconductors | DIODE VREG 12V 500MW DO-35 Напряжение Зенера номинальное: 12В · Прямое напряжение: 900mV @ 10mA · Обратный ток утечки: 100nA @ 8V · Допустимые отклонения емкости: ±5% · Мощность макcимальная: 400мВт · Полное сопротивление (импеданс): 25 Ohm · Тип монтажа: Through Hole, Axial · Корпус: DO-35, Axial · Operating Temperature: -65°C ~ 200°C | from 0,00 | Additional information Find at suppliers Buy in store | |
BZX79-B12,143 | NXP Semiconductors | DIODE VREG 12V 500MW DO-35 Напряжение Зенера номинальное: 12В · Прямое напряжение: 900mV @ 10mA · Обратный ток утечки: 100nA @ 8V · Допустимые отклонения емкости: ±2% · Мощность макcимальная: 400мВт · Полное сопротивление (импеданс): 25 Ohm · Тип монтажа: Through Hole, Axial · Корпус: DO-35, Axial · Operating Temperature: -65°C ~ 200°C | from 0,00 | Additional information Find at suppliers Buy in store | |
1N4742A,133 | NXP Semiconductors | DIODE VREG 12V 76MA DO-41 Напряжение Зенера номинальное: 12В · Прямое напряжение: 1.2V @ 200mA · Обратный ток утечки: 5µA @ 9.1V · Допустимые отклонения емкости: ±5% · Мощность макcимальная: 1Вт · Полное сопротивление (импеданс): 9 Ohm · Тип монтажа: Through Hole, Axial · Корпус: DO-41, Axial · Operating Temperature: -65°C ~ 200°C | from 0,00 | Additional information Find at suppliers Buy in store | |
BZV85-C13,133 | NXP Semiconductors | DIODE VREG 13V 1.3W DO-41 Напряжение Зенера номинальное: 13V · Прямое напряжение: 1V @ 50mA · Обратный ток утечки: 200nA @ 9.1V · Допустимые отклонения емкости: ±5% · Мощность макcимальная: 1.3W · Полное сопротивление (импеданс): 10 Ohm · Тип монтажа: Through Hole, Axial · Корпус: DO-41, Axial · Operating Temperature: -65°C ~ 200°C | from 0,00 | Additional information Find at suppliers Buy in store | |
BZX84-A13,215 | NXP Semiconductors | DIODE VREG 13V 250MW SOT-23 Напряжение Зенера номинальное: 13V · Прямое напряжение: 900mV @ 10mA · Обратный ток утечки: 100nA @ 8V · Допустимые отклонения емкости: ±1% · Мощность макcимальная: 250mW · Полное сопротивление (импеданс): 30 Ohm · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 · Operating Temperature: -65°C ~ 150°C | from 0,00 | Additional information Find at suppliers Buy in store | |
BZX79-B13,143 | NXP Semiconductors | DIODE VREG 13V 500MW DO-35 Напряжение Зенера номинальное: 13V · Прямое напряжение: 900mV @ 10mA · Обратный ток утечки: 100nA @ 8V · Допустимые отклонения емкости: ±2% · Мощность макcимальная: 400мВт · Полное сопротивление (импеданс): 30 Ohm · Тип монтажа: Through Hole, Axial · Корпус: DO-35, Axial · Operating Temperature: -65°C ~ 200°C | from 0,00 | Additional information Find at suppliers Buy in store | |
BZX79-B13,133 | NXP Semiconductors | DIODE VREG 13V 500MW DO-35 Напряжение Зенера номинальное: 13V · Прямое напряжение: 900mV @ 10mA · Обратный ток утечки: 100nA @ 8V · Допустимые отклонения емкости: ±2% · Мощность макcимальная: 400мВт · Полное сопротивление (импеданс): 30 Ohm · Тип монтажа: Through Hole, Axial · Корпус: DO-35, Axial · Operating Temperature: -65°C ~ 200°C | from 0,00 | Additional information Find at suppliers Buy in store | |
BZX79-C13,143 | NXP Semiconductors | DIODE VREG 13V 500MW DO-35 Напряжение Зенера номинальное: 13V · Прямое напряжение: 900mV @ 10mA · Обратный ток утечки: 100nA @ 8V · Допустимые отклонения емкости: ±5% · Мощность макcимальная: 400мВт · Полное сопротивление (импеданс): 30 Ohm · Тип монтажа: Through Hole, Axial · Корпус: DO-35, Axial · Operating Temperature: -65°C ~ 200°C | from 0,00 | Additional information Find at suppliers Buy in store |
© 2006 — 2024 ChipFind Ltd. Contact phone, e-mail, ICQ |
Catalog with parameters for 1,401,534 components | Register • Advertising |