Log in Register |
Photo | Name | Manufacturer | Technical parameters | Prices (rub.) | Buy |
1N4731A,133 | NXP Semiconductors | DIODE VREG 4.3V 217MA DO-41 Напряжение Зенера номинальное: 4.3V · Прямое напряжение: 1.2V @ 200mA · Обратный ток утечки: 10µA @ 1V · Допустимые отклонения емкости: ±5% · Мощность макcимальная: 1Вт · Полное сопротивление (импеданс): 9 Ohm · Тип монтажа: Through Hole, Axial · Корпус: DO-41, Axial · Operating Temperature: -65°C ~ 200°C | from 0,00 | Additional information Find at suppliers Buy in store | |
BZX84-A4V3,215 | NXP Semiconductors | DIODE VREG 4.3V 250MW SOT-23 Напряжение Зенера номинальное: 4.3V · Прямое напряжение: 900mV @ 10mA · Обратный ток утечки: 3µA @ 1V · Допустимые отклонения емкости: ±1% · Мощность макcимальная: 250mW · Полное сопротивление (импеданс): 90 Ohm · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 · Operating Temperature: -65°C ~ 150°C | from 0,00 | Additional information Find at suppliers Buy in store | |
BZX79-C4V3,143 | NXP Semiconductors | DIODE VREG 4.3V 500MW DO-35 Напряжение Зенера номинальное: 4.3V · Прямое напряжение: 900mV @ 10mA · Обратный ток утечки: 3µA @ 1V · Допустимые отклонения емкости: ±5% · Мощность макcимальная: 400мВт · Полное сопротивление (импеданс): 90 Ohm · Тип монтажа: Through Hole, Axial · Корпус: DO-35, Axial · Operating Temperature: -65°C ~ 200°C | from 0,00 | Additional information Find at suppliers Buy in store | |
BZX79-B4V3,143 | NXP Semiconductors | DIODE VREG 4.3V 500MW DO-35 Напряжение Зенера номинальное: 4.3V · Прямое напряжение: 900mV @ 10mA · Обратный ток утечки: 3µA @ 1V · Допустимые отклонения емкости: ±2% · Мощность макcимальная: 400мВт · Полное сопротивление (импеданс): 90 Ohm · Тип монтажа: Through Hole, Axial · Корпус: DO-35, Axial · Operating Temperature: -65°C ~ 200°C | from 0,00 | Additional information Find at suppliers Buy in store | |
BZV85-C4V7,133 | NXP Semiconductors | DIODE VREG 4.7V 1.3W DO-41 Напряжение Зенера номинальное: 4.7V · Прямое напряжение: 1V @ 50mA · Обратный ток утечки: 3µA @ 1V · Допустимые отклонения емкости: ±5% · Мощность макcимальная: 1.3W · Полное сопротивление (импеданс): 13 Ohm · Тип монтажа: Through Hole, Axial · Корпус: DO-41, Axial · Operating Temperature: -65°C ~ 200°C | from 0,00 | Additional information Find at suppliers Buy in store | |
1N4732A,133 | NXP Semiconductors | DIODE VREG 4.7V 193MA DO-41 Напряжение Зенера номинальное: 4.7V · Прямое напряжение: 1.2V @ 200mA · Обратный ток утечки: 10µA @ 1V · Допустимые отклонения емкости: ±5% · Мощность макcимальная: 1Вт · Полное сопротивление (импеданс): 8 Ohm · Тип монтажа: Through Hole, Axial · Корпус: DO-41, Axial · Operating Temperature: -65°C ~ 200°C | from 0,00 | Additional information Find at suppliers Buy in store | |
BZX84-A4V7,215 | NXP Semiconductors | DIODE VREG 4.7V 250MW SOT-23 Напряжение Зенера номинальное: 4.7V · Прямое напряжение: 900mV @ 10mA · Обратный ток утечки: 3µA @ 2V · Допустимые отклонения емкости: ±1% · Мощность макcимальная: 250mW · Полное сопротивление (импеданс): 80 Ohm · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 · Operating Temperature: -65°C ~ 150°C | from 0,00 | Additional information Find at suppliers Buy in store | |
BZX79-C4V7,143 | NXP Semiconductors | DIODE VREG 4.7V 500MW DO-35 Напряжение Зенера номинальное: 4.7V · Прямое напряжение: 900mV @ 10mA · Обратный ток утечки: 3µA @ 2V · Допустимые отклонения емкости: ±5% · Мощность макcимальная: 400мВт · Полное сопротивление (импеданс): 80 Ohm · Тип монтажа: Through Hole, Axial · Корпус: DO-35, Axial · Operating Temperature: -65°C ~ 200°C | from 0,00 | Additional information Find at suppliers Buy in store | |
BZX79-B4V7,143 | NXP Semiconductors | DIODE VREG 4.7V 500MW DO-35 Напряжение Зенера номинальное: 4.7V · Прямое напряжение: 900mV @ 10mA · Обратный ток утечки: 3µA @ 2V · Допустимые отклонения емкости: ±2% · Мощность макcимальная: 400мВт · Полное сопротивление (импеданс): 80 Ohm · Тип монтажа: Through Hole, Axial · Корпус: DO-35, Axial · Operating Temperature: -65°C ~ 200°C | from 0,00 | Additional information Find at suppliers Buy in store | |
BZV85-C43,133 | NXP Semiconductors | DIODE VREG 43V 1.3W DO-41 Напряжение Зенера номинальное: 43V · Прямое напряжение: 1V @ 50mA · Обратный ток утечки: 50nA @ 30V · Допустимые отклонения емкости: ±5% · Мощность макcимальная: 1.3W · Полное сопротивление (импеданс): 75 Ohm · Тип монтажа: Through Hole, Axial · Корпус: DO-41, Axial · Operating Temperature: -65°C ~ 200°C | from 0,00 | Additional information Find at suppliers Buy in store | |
BZX84-A43,215 | NXP Semiconductors | DIODE VREG 43V 250MW SOT-23 Напряжение Зенера номинальное: 43V · Прямое напряжение: 900mV @ 10mA · Обратный ток утечки: 50nA @ 30.1V · Допустимые отклонения емкости: ±1% · Мощность макcимальная: 250mW · Полное сопротивление (импеданс): 150 Ohm · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 · Operating Temperature: -65°C ~ 150°C | from 0,00 | Additional information Find at suppliers Buy in store | |
BZX79-C43,143 | NXP Semiconductors | DIODE VREG 43V 500MW DO-35 Напряжение Зенера номинальное: 43V · Прямое напряжение: 900mV @ 10mA · Обратный ток утечки: 50nA @ 30.1V · Допустимые отклонения емкости: ±5% · Мощность макcимальная: 400мВт · Полное сопротивление (импеданс): 150 Ohm · Тип монтажа: Through Hole, Axial · Корпус: DO-35, Axial · Operating Temperature: -65°C ~ 200°C | from 0,00 | Additional information Find at suppliers Buy in store | |
BZX79-B43,143 | NXP Semiconductors | DIODE VREG 43V 500MW DO-35 Напряжение Зенера номинальное: 43V · Прямое напряжение: 900mV @ 10mA · Обратный ток утечки: 50nA @ 30.1V · Допустимые отклонения емкости: ±2% · Мощность макcимальная: 400мВт · Полное сопротивление (импеданс): 150 Ohm · Тип монтажа: Through Hole, Axial · Корпус: DO-35, Axial · Operating Temperature: -65°C ~ 200°C | from 0,00 | Additional information Find at suppliers Buy in store | |
BZV85-C47,133 | NXP Semiconductors | DIODE VREG 47V 1.3W DO-41 Напряжение Зенера номинальное: 47V · Прямое напряжение: 1V @ 50mA · Обратный ток утечки: 50nA @ 33V · Допустимые отклонения емкости: ±5% · Мощность макcимальная: 1.3W · Полное сопротивление (импеданс): 100 Ohm · Тип монтажа: Through Hole, Axial · Корпус: DO-41, Axial · Operating Temperature: -65°C ~ 200°C | from 0,00 | Additional information Find at suppliers Buy in store | |
BZX79-B47,133 | NXP Semiconductors | DIODE VREG 47V 500MW DO-35 Напряжение Зенера номинальное: 47V · Прямое напряжение: 900mV @ 10mA · Обратный ток утечки: 50nA @ 32.9V · Допустимые отклонения емкости: ±2% · Мощность макcимальная: 400мВт · Полное сопротивление (импеданс): 170 Ohm · Тип монтажа: Through Hole, Axial · Корпус: DO-35, Axial · Operating Temperature: -65°C ~ 200°C | from 0,00 | Additional information Find at suppliers Buy in store | |
BZX79-C47,143 | NXP Semiconductors | DIODE VREG 47V 500MW DO-35 Напряжение Зенера номинальное: 47V · Прямое напряжение: 900mV @ 10mA · Обратный ток утечки: 50nA @ 32.9V · Допустимые отклонения емкости: ±5% · Мощность макcимальная: 400мВт · Полное сопротивление (импеданс): 170 Ohm · Тип монтажа: Through Hole, Axial · Корпус: DO-35, Axial · Operating Temperature: -65°C ~ 200°C | from 0,00 | Additional information Find at suppliers Buy in store | |
BZX79-B47,143 | NXP Semiconductors | DIODE VREG 47V 500MW DO-35 Напряжение Зенера номинальное: 47V · Прямое напряжение: 900mV @ 10mA · Обратный ток утечки: 50nA @ 32.9V · Допустимые отклонения емкости: ±2% · Мощность макcимальная: 400мВт · Полное сопротивление (импеданс): 170 Ohm · Тип монтажа: Through Hole, Axial · Корпус: DO-35, Axial · Operating Temperature: -65°C ~ 200°C | from 0,00 | Additional information Find at suppliers Buy in store | |
BZV85-C5V1,133 | NXP Semiconductors | DIODE VREG 5.1V 1.3W DO-41 Напряжение Зенера номинальное: 5.1V · Прямое напряжение: 1V @ 50mA · Обратный ток утечки: 3µA @ 2V · Допустимые отклонения емкости: ±5% · Мощность макcимальная: 1.3W · Полное сопротивление (импеданс): 10 Ohm · Тип монтажа: Through Hole, Axial · Корпус: DO-41, Axial · Operating Temperature: -65°C ~ 200°C | from 0,00 | Additional information Find at suppliers Buy in store | |
1N4733A,133 | NXP Semiconductors | DIODE VREG 5.1V 178MA DO-41 Напряжение Зенера номинальное: 5.1V · Прямое напряжение: 1.2V @ 200mA · Обратный ток утечки: 10µA @ 1V · Допустимые отклонения емкости: ±5% · Мощность макcимальная: 1Вт · Полное сопротивление (импеданс): 7 Ohm · Тип монтажа: Through Hole, Axial · Корпус: DO-41, Axial · Operating Temperature: -65°C ~ 200°C | from 0,00 | Additional information Find at suppliers Buy in store | |
BZX84-A5V1,235 | NXP Semiconductors | DIODE VREG 5.1V 250MW SOT-23 Напряжение Зенера номинальное: 5.1V · Прямое напряжение: 900mV @ 10mA · Обратный ток утечки: 2µA @ 2V · Допустимые отклонения емкости: ±1% · Мощность макcимальная: 250mW · Полное сопротивление (импеданс): 60 Ohm · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 · Operating Temperature: -65°C ~ 150°C | from 0,00 | Additional information Find at suppliers Buy in store | |
BZX84-A5V1,215 | NXP Semiconductors | DIODE VREG 5.1V 250MW SOT-23 Напряжение Зенера номинальное: 5.1V · Прямое напряжение: 900mV @ 10mA · Обратный ток утечки: 2µA @ 2V · Допустимые отклонения емкости: ±1% · Мощность макcимальная: 250mW · Полное сопротивление (импеданс): 60 Ohm · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 · Operating Temperature: -65°C ~ 150°C | from 0,00 | Additional information Find at suppliers Buy in store | |
BZX79-B5V1,143 | NXP Semiconductors | DIODE VREG 5.1V 500MW DO-35 Напряжение Зенера номинальное: 5.1V · Прямое напряжение: 900mV @ 10mA · Обратный ток утечки: 2µA @ 2V · Допустимые отклонения емкости: ±2% · Мощность макcимальная: 400мВт · Полное сопротивление (импеданс): 60 Ohm · Тип монтажа: Through Hole, Axial · Корпус: DO-35, Axial · Operating Temperature: -65°C ~ 200°C | from 0,00 | Additional information Find at suppliers Buy in store | |
BZX79-C5V1,143 | NXP Semiconductors | DIODE VREG 5.1V 500MW DO-35 Напряжение Зенера номинальное: 5.1V · Прямое напряжение: 900mV @ 10mA · Обратный ток утечки: 2µA @ 2V · Допустимые отклонения емкости: ±5% · Мощность макcимальная: 400мВт · Полное сопротивление (импеданс): 60 Ohm · Тип монтажа: Through Hole, Axial · Корпус: DO-35, Axial · Operating Temperature: -65°C ~ 200°C | from 0,00 | Additional information Find at suppliers Buy in store | |
BZV85-C5V6,133 | NXP Semiconductors | DIODE VREG 5.6V 1.3W DO-41 Напряжение Зенера номинальное: 5.6V · Прямое напряжение: 1V @ 50mA · Обратный ток утечки: 2µA @ 2V · Допустимые отклонения емкости: ±5% · Мощность макcимальная: 1.3W · Полное сопротивление (импеданс): 7 Ohm · Тип монтажа: Through Hole, Axial · Корпус: DO-41, Axial · Operating Temperature: -65°C ~ 200°C | from 0,00 | Additional information Find at suppliers Buy in store | |
1N4734A,133 | NXP Semiconductors | DIODE VREG 5.6V 162MA DO-41 Напряжение Зенера номинальное: 5.6V · Прямое напряжение: 1.2V @ 200mA · Обратный ток утечки: 10µA @ 2V · Допустимые отклонения емкости: ±5% · Мощность макcимальная: 1Вт · Полное сопротивление (импеданс): 5 Ohm · Тип монтажа: Through Hole, Axial · Корпус: DO-41, Axial · Operating Temperature: -65°C ~ 200°C | from 0,00 | Additional information Find at suppliers Buy in store |
© 2006 — 2024 ChipFind Ltd. Contact phone, e-mail, ICQ |
Catalog with parameters for 1,401,534 components | Register • Advertising |