Log in    Register
ChipFind Component Selection Catalog
For example: transistor, max232, lt319a
  

Дискретные полупроводники  ·  Диоды Зеннера (одиночные)
Производитель












Серия

Напряжение Зенера номинальное

















































































Прямое напряжение

















Обратный ток утечки




























































































































































































































































































































































































































































































































































































































































Допустимые отклонения емкости




































Мощность макcимальная

























Полное сопротивление (импеданс)


























































































































































Тип монтажа


Корпус



























































 
PhotoNameManufacturerTechnical parametersPrices (rub.)Buy
1N4729A,133NXP SemiconductorsDIODE VREG 3.6V 252MA DO-41
Напряжение Зенера номинальное: 3.6V  ·  Прямое напряжение: 1.2V @ 200mA  ·  Обратный ток утечки: 100µA @ 1V  ·  Допустимые отклонения емкости: ±5%  ·  Мощность макcимальная: 1Вт  ·  Полное сопротивление (импеданс): 10 Ohm  ·  Тип монтажа: Through Hole, Axial  ·  Корпус: DO-41, Axial  ·  Operating Temperature: -65°C ~ 200°C
from 0,00Additional information
Find at suppliers
Buy in store
BZX79-C3V6,143NXP SemiconductorsDIODE VREG 3.6V 500MW DO-35
Напряжение Зенера номинальное: 3.6V  ·  Прямое напряжение: 900mV @ 10mA  ·  Обратный ток утечки: 5µA @ 1V  ·  Допустимые отклонения емкости: ±5%  ·  Мощность макcимальная: 400мВт  ·  Полное сопротивление (импеданс): 90 Ohm  ·  Тип монтажа: Through Hole, Axial  ·  Корпус: DO-35, Axial  ·  Operating Temperature: -65°C ~ 200°C
from 0,00Additional information
Find at suppliers
Buy in store
BZX79-B3V6,143NXP SemiconductorsDIODE VREG 3.6V 500MW DO-35
Напряжение Зенера номинальное: 3.6V  ·  Прямое напряжение: 900mV @ 10mA  ·  Обратный ток утечки: 5µA @ 1V  ·  Допустимые отклонения емкости: ±2%  ·  Мощность макcимальная: 400мВт  ·  Полное сопротивление (импеданс): 90 Ohm  ·  Тип монтажа: Through Hole, Axial  ·  Корпус: DO-35, Axial  ·  Operating Temperature: -65°C ~ 200°C
from 0,00Additional information
Find at suppliers
Buy in store
BZV85-C3V9,133NXP SemiconductorsDIODE VREG 3.9V 1.3W DO-41
Напряжение Зенера номинальное: 3.9V  ·  Прямое напряжение: 1V @ 50mA  ·  Обратный ток утечки: 10µA @ 1V  ·  Допустимые отклонения емкости: ±5%  ·  Мощность макcимальная: 1.3W  ·  Полное сопротивление (импеданс): 15 Ohm  ·  Тип монтажа: Through Hole, Axial  ·  Корпус: DO-41, Axial  ·  Operating Temperature: -65°C ~ 200°C
from 0,00Additional information
Find at suppliers
Buy in store
1N4730A,133NXP SemiconductorsDIODE VREG 3.9V 234MA DO-41
Напряжение Зенера номинальное: 3.9V  ·  Прямое напряжение: 1.2V @ 200mA  ·  Обратный ток утечки: 50µA @ 1V  ·  Допустимые отклонения емкости: ±5%  ·  Мощность макcимальная: 1Вт  ·  Полное сопротивление (импеданс): 9 Ohm  ·  Тип монтажа: Through Hole, Axial  ·  Корпус: DO-41, Axial  ·  Operating Temperature: -65°C ~ 200°C
from 0,00Additional information
Find at suppliers
Buy in store
BZX84-A3V9,215NXP SemiconductorsDIODE VREG 3.9V 250MW SOT-23
Напряжение Зенера номинальное: 3.9V  ·  Прямое напряжение: 900mV @ 10mA  ·  Обратный ток утечки: 3µA @ 1V  ·  Допустимые отклонения емкости: ±1%  ·  Мощность макcимальная: 250mW  ·  Полное сопротивление (импеданс): 90 Ohm  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3  ·  Operating Temperature: -65°C ~ 150°C
from 0,00Additional information
Find at suppliers
Buy in store
BZX79-B3V9,143NXP SemiconductorsDIODE VREG 3.9V 500MW DO-35
Напряжение Зенера номинальное: 3.9V  ·  Прямое напряжение: 900mV @ 10mA  ·  Обратный ток утечки: 3µA @ 1V  ·  Допустимые отклонения емкости: ±2%  ·  Мощность макcимальная: 400мВт  ·  Полное сопротивление (импеданс): 90 Ohm  ·  Тип монтажа: Through Hole, Axial  ·  Корпус: DO-35, Axial  ·  Operating Temperature: -65°C ~ 200°C
from 0,00Additional information
Find at suppliers
Buy in store
BZX79-C3V9,143NXP SemiconductorsDIODE VREG 3.9V 500MW DO-35
Напряжение Зенера номинальное: 3.9V  ·  Прямое напряжение: 900mV @ 10mA  ·  Обратный ток утечки: 3µA @ 1V  ·  Допустимые отклонения емкости: ±5%  ·  Мощность макcимальная: 400мВт  ·  Полное сопротивление (импеданс): 90 Ohm  ·  Тип монтажа: Through Hole, Axial  ·  Корпус: DO-35, Axial  ·  Operating Temperature: -65°C ~ 200°C
from 0,00Additional information
Find at suppliers
Buy in store
BZV85-C30,133NXP SemiconductorsDIODE VREG 30V 1.3W DO-41
Напряжение Зенера номинальное: 30В  ·  Прямое напряжение: 1V @ 50mA  ·  Обратный ток утечки: 50nA @ 21V  ·  Допустимые отклонения емкости: ±5%  ·  Мощность макcимальная: 1.3W  ·  Полное сопротивление (импеданс): 45 Ohm  ·  Тип монтажа: Through Hole, Axial  ·  Корпус: DO-41, Axial  ·  Operating Temperature: -65°C ~ 200°C
from 0,00Additional information
Find at suppliers
Buy in store
BZX79-B30,143NXP SemiconductorsDIODE VREG 30V 500MW DO-35
Напряжение Зенера номинальное: 30В  ·  Прямое напряжение: 900mV @ 10mA  ·  Обратный ток утечки: 50nA @ 21V  ·  Допустимые отклонения емкости: ±2%  ·  Мощность макcимальная: 400мВт  ·  Полное сопротивление (импеданс): 80 Ohm  ·  Тип монтажа: Through Hole, Axial  ·  Корпус: DO-35, Axial  ·  Operating Temperature: -65°C ~ 200°C
from 0,00Additional information
Find at suppliers
Buy in store
BZX79-C30,143NXP SemiconductorsDIODE VREG 30V 500MW DO-35
Напряжение Зенера номинальное: 30В  ·  Прямое напряжение: 900mV @ 10mA  ·  Обратный ток утечки: 50nA @ 21V  ·  Допустимые отклонения емкости: ±5%  ·  Мощность макcимальная: 400мВт  ·  Полное сопротивление (импеданс): 80 Ohm  ·  Тип монтажа: Through Hole, Axial  ·  Корпус: DO-35, Axial  ·  Operating Temperature: -65°C ~ 200°C
from 0,00Additional information
Find at suppliers
Buy in store
BZV85-C33,133NXP SemiconductorsDIODE VREG 33V 1.3W DO-41
Напряжение Зенера номинальное: 33V  ·  Прямое напряжение: 1V @ 50mA  ·  Обратный ток утечки: 50nA @ 23V  ·  Допустимые отклонения емкости: ±5%  ·  Мощность макcимальная: 1.3W  ·  Полное сопротивление (импеданс): 45 Ohm  ·  Тип монтажа: Through Hole, Axial  ·  Корпус: DO-41, Axial  ·  Operating Temperature: -65°C ~ 200°C
from 0,00Additional information
Find at suppliers
Buy in store
BZX79-B33,143NXP SemiconductorsDIODE VREG 33V 500MW DO-35
Напряжение Зенера номинальное: 33V  ·  Прямое напряжение: 900mV @ 10mA  ·  Обратный ток утечки: 50nA @ 23.1V  ·  Допустимые отклонения емкости: ±2%  ·  Мощность макcимальная: 400мВт  ·  Полное сопротивление (импеданс): 80 Ohm  ·  Тип монтажа: Through Hole, Axial  ·  Корпус: DO-35, Axial  ·  Operating Temperature: -65°C ~ 200°C
from 0,00Additional information
Find at suppliers
Buy in store
BZX79-C33,143NXP SemiconductorsDIODE VREG 33V 500MW DO-35
Напряжение Зенера номинальное: 33V  ·  Прямое напряжение: 900mV @ 10mA  ·  Обратный ток утечки: 50nA @ 23.1V  ·  Допустимые отклонения емкости: ±5%  ·  Мощность макcимальная: 400мВт  ·  Полное сопротивление (импеданс): 80 Ohm  ·  Тип монтажа: Through Hole, Axial  ·  Корпус: DO-35, Axial  ·  Operating Temperature: -65°C ~ 200°C
from 0,00Additional information
Find at suppliers
Buy in store
BZV85-C36,133NXP SemiconductorsDIODE VREG 36V 1.3W DO-41
Напряжение Зенера номинальное: 36V  ·  Прямое напряжение: 1V @ 50mA  ·  Обратный ток утечки: 50nA @ 25V  ·  Допустимые отклонения емкости: ±5%  ·  Мощность макcимальная: 1.3W  ·  Полное сопротивление (импеданс): 50 Ohm  ·  Тип монтажа: Through Hole, Axial  ·  Корпус: DO-41, Axial  ·  Operating Temperature: -65°C ~ 200°C
from 0,00Additional information
Find at suppliers
Buy in store
BZX84-A36,215NXP SemiconductorsDIODE VREG 36V 250MW SOT-23
Напряжение Зенера номинальное: 36V  ·  Прямое напряжение: 900mV @ 10mA  ·  Обратный ток утечки: 50nA @ 25.2V  ·  Допустимые отклонения емкости: ±1%  ·  Мощность макcимальная: 250mW  ·  Полное сопротивление (импеданс): 90 Ohm  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3  ·  Operating Temperature: -65°C ~ 150°C
from 0,00Additional information
Find at suppliers
Buy in store
BZX79-C36,143NXP SemiconductorsDIODE VREG 36V 500MW DO-35
Напряжение Зенера номинальное: 36V  ·  Прямое напряжение: 900mV @ 10mA  ·  Обратный ток утечки: 50nA @ 25.2V  ·  Допустимые отклонения емкости: ±5%  ·  Мощность макcимальная: 400мВт  ·  Полное сопротивление (импеданс): 90 Ohm  ·  Тип монтажа: Through Hole, Axial  ·  Корпус: DO-35, Axial  ·  Operating Temperature: -65°C ~ 200°C
from 0,00Additional information
Find at suppliers
Buy in store
BZX79-B36,143NXP SemiconductorsDIODE VREG 36V 500MW DO-35
Напряжение Зенера номинальное: 36V  ·  Прямое напряжение: 900mV @ 10mA  ·  Обратный ток утечки: 50nA @ 25.2V  ·  Допустимые отклонения емкости: ±2%  ·  Мощность макcимальная: 400мВт  ·  Полное сопротивление (импеданс): 90 Ohm  ·  Тип монтажа: Through Hole, Axial  ·  Корпус: DO-35, Axial  ·  Operating Temperature: -65°C ~ 200°C
from 0,00Additional information
Find at suppliers
Buy in store
BZX79-B36,133NXP SemiconductorsDIODE VREG 36V 500MW DO-35
Напряжение Зенера номинальное: 36V  ·  Прямое напряжение: 900mV @ 10mA  ·  Обратный ток утечки: 50nA @ 25.2V  ·  Допустимые отклонения емкости: ±2%  ·  Мощность макcимальная: 400мВт  ·  Полное сопротивление (импеданс): 90 Ohm  ·  Тип монтажа: Through Hole, Axial  ·  Корпус: DO-35, Axial  ·  Operating Temperature: -65°C ~ 200°C
from 0,00Additional information
Find at suppliers
Buy in store
BZV85-C39,133NXP SemiconductorsDIODE VREG 39V 1.3W DO-41
Напряжение Зенера номинальное: 39V  ·  Прямое напряжение: 1V @ 50mA  ·  Обратный ток утечки: 50nA @ 27V  ·  Допустимые отклонения емкости: ±5%  ·  Мощность макcимальная: 1.3W  ·  Полное сопротивление (импеданс): 60 Ohm  ·  Тип монтажа: Through Hole, Axial  ·  Корпус: DO-41, Axial  ·  Operating Temperature: -65°C ~ 200°C
from 0,00Additional information
Find at suppliers
Buy in store
BZX84-A39,215NXP SemiconductorsDIODE VREG 39V 250MW SOT-23
Напряжение Зенера номинальное: 39V  ·  Прямое напряжение: 900mV @ 10mA  ·  Обратный ток утечки: 50nA @ 27.3V  ·  Допустимые отклонения емкости: ±1%  ·  Мощность макcимальная: 250mW  ·  Полное сопротивление (импеданс): 130 Ohm  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3  ·  Operating Temperature: -65°C ~ 150°C
from 0,00Additional information
Find at suppliers
Buy in store
BZX79-C39,143NXP SemiconductorsDIODE VREG 39V 500MW DO-35
Напряжение Зенера номинальное: 39V  ·  Прямое напряжение: 900mV @ 10mA  ·  Обратный ток утечки: 50nA @ 27.3V  ·  Допустимые отклонения емкости: ±5%  ·  Мощность макcимальная: 400мВт  ·  Полное сопротивление (импеданс): 130 Ohm  ·  Тип монтажа: Through Hole, Axial  ·  Корпус: DO-35, Axial  ·  Operating Temperature: -65°C ~ 200°C
from 0,00Additional information
Find at suppliers
Buy in store
BZX79-B39,133NXP SemiconductorsDIODE VREG 39V 500MW DO-35
Напряжение Зенера номинальное: 39V  ·  Прямое напряжение: 900mV @ 10mA  ·  Обратный ток утечки: 50nA @ 27.3V  ·  Допустимые отклонения емкости: ±2%  ·  Мощность макcимальная: 400мВт  ·  Полное сопротивление (импеданс): 130 Ohm  ·  Тип монтажа: Through Hole, Axial  ·  Корпус: DO-35, Axial  ·  Operating Temperature: -65°C ~ 200°C
from 0,00Additional information
Find at suppliers
Buy in store
BZX79-B39,143NXP SemiconductorsDIODE VREG 39V 500MW DO-35
Напряжение Зенера номинальное: 39V  ·  Прямое напряжение: 900mV @ 10mA  ·  Обратный ток утечки: 50nA @ 27.3V  ·  Допустимые отклонения емкости: ±2%  ·  Мощность макcимальная: 400мВт  ·  Полное сопротивление (импеданс): 130 Ohm  ·  Тип монтажа: Through Hole, Axial  ·  Корпус: DO-35, Axial  ·  Operating Temperature: -65°C ~ 200°C
from 0,00Additional information
Find at suppliers
Buy in store
BZV85-C4V3,133NXP SemiconductorsDIODE VREG 4.3V 1.3W DO-41
Напряжение Зенера номинальное: 4.3V  ·  Прямое напряжение: 1V @ 50mA  ·  Обратный ток утечки: 5µA @ 1V  ·  Допустимые отклонения емкости: ±5%  ·  Мощность макcимальная: 1.3W  ·  Полное сопротивление (импеданс): 13 Ohm  ·  Тип монтажа: Through Hole, Axial  ·  Корпус: DO-41, Axial  ·  Operating Temperature: -65°C ~ 200°C
from 0,00Additional information
Find at suppliers
Buy in store
← Ctrl  12345678 ... 304  Ctrl →
© 2006 — 2024 ChipFind Ltd.
Contact phone, e-mail, ICQ		 Catalog with parameters for 1,401,534 components Register • Advertising