Log in    Register
ChipFind Component Selection Catalog
For example: transistor, max232, lt319a
  

Дискретные полупроводники  ·  Диоды Зеннера (одиночные)
Производитель












Серия

Напряжение Зенера номинальное

















































































Прямое напряжение

















Обратный ток утечки




























































































































































































































































































































































































































































































































































































































































Допустимые отклонения емкости




































Мощность макcимальная

























Полное сопротивление (импеданс)


























































































































































Тип монтажа


Корпус



























































 
PhotoNameManufacturerTechnical parametersPrices (rub.)Buy
BZV85-C22,133NXP SemiconductorsDIODE VREG 22V 1.3W DO-41
Напряжение Зенера номинальное: 22V  ·  Прямое напряжение: 1V @ 50mA  ·  Обратный ток утечки: 50nA @ 15.5V  ·  Допустимые отклонения емкости: ±5%  ·  Мощность макcимальная: 1.3W  ·  Полное сопротивление (импеданс): 25 Ohm  ·  Тип монтажа: Through Hole, Axial  ·  Корпус: DO-41, Axial  ·  Operating Temperature: -65°C ~ 200°C
from 0,00Additional information
Find at suppliers
Buy in store
1N4748A,133NXP SemiconductorsDIODE VREG 22V 41MA DO-41
Напряжение Зенера номинальное: 22V  ·  Прямое напряжение: 1.2V @ 200mA  ·  Обратный ток утечки: 5µA @ 16.7V  ·  Допустимые отклонения емкости: ±5%  ·  Мощность макcимальная: 1Вт  ·  Полное сопротивление (импеданс): 23 Ohm  ·  Тип монтажа: Through Hole, Axial  ·  Корпус: DO-41, Axial  ·  Operating Temperature: -65°C ~ 200°C
from 0,00Additional information
Find at suppliers
Buy in store
BZX79-B22,143NXP SemiconductorsDIODE VREG 22V 500MW DO-35
Напряжение Зенера номинальное: 22V  ·  Прямое напряжение: 900mV @ 10mA  ·  Обратный ток утечки: 50nA @ 15.4V  ·  Допустимые отклонения емкости: ±2%  ·  Мощность макcимальная: 400мВт  ·  Полное сопротивление (импеданс): 55 Ohm  ·  Тип монтажа: Through Hole, Axial  ·  Корпус: DO-35, Axial  ·  Operating Temperature: -65°C ~ 200°C
from 0,00Additional information
Find at suppliers
Buy in store
BZX79-C22,143NXP SemiconductorsDIODE VREG 22V 500MW DO-35
Напряжение Зенера номинальное: 22V  ·  Прямое напряжение: 900mV @ 10mA  ·  Обратный ток утечки: 50nA @ 15.4V  ·  Допустимые отклонения емкости: ±5%  ·  Мощность макcимальная: 400мВт  ·  Полное сопротивление (импеданс): 55 Ohm  ·  Тип монтажа: Through Hole, Axial  ·  Корпус: DO-35, Axial  ·  Operating Temperature: -65°C ~ 200°C
from 0,00Additional information
Find at suppliers
Buy in store
BZV85-C24,133NXP SemiconductorsDIODE VREG 24V 1.3W DO-41
Напряжение Зенера номинальное: 24V  ·  Прямое напряжение: 1V @ 50mA  ·  Обратный ток утечки: 50nA @ 17V  ·  Допустимые отклонения емкости: ±5%  ·  Мощность макcимальная: 1.3W  ·  Полное сопротивление (импеданс): 30 Ohm  ·  Тип монтажа: Through Hole, Axial  ·  Корпус: DO-41, Axial  ·  Operating Temperature: -65°C ~ 200°C
from 0,00Additional information
Find at suppliers
Buy in store
1N4749A,133NXP SemiconductorsDIODE VREG 24V 38MA DO-41
Напряжение Зенера номинальное: 24V  ·  Прямое напряжение: 1.2V @ 200mA  ·  Обратный ток утечки: 5µA @ 18.2V  ·  Допустимые отклонения емкости: ±5%  ·  Мощность макcимальная: 1Вт  ·  Полное сопротивление (импеданс): 24 Ohm  ·  Тип монтажа: Through Hole, Axial  ·  Корпус: DO-41, Axial  ·  Operating Temperature: -65°C ~ 200°C
from 0,00Additional information
Find at suppliers
Buy in store
BZX79-C24,143NXP SemiconductorsDIODE VREG 24V 500MW DO-35
Напряжение Зенера номинальное: 24V  ·  Прямое напряжение: 900mV @ 10mA  ·  Обратный ток утечки: 50nA @ 16.8V  ·  Допустимые отклонения емкости: ±5%  ·  Мощность макcимальная: 400мВт  ·  Полное сопротивление (импеданс): 70 Ohm  ·  Тип монтажа: Through Hole, Axial  ·  Корпус: DO-35, Axial  ·  Operating Temperature: -65°C ~ 200°C
from 0,00Additional information
Find at suppliers
Buy in store
BZX79-B24,143NXP SemiconductorsDIODE VREG 24V 500MW DO-35
Напряжение Зенера номинальное: 24V  ·  Прямое напряжение: 900mV @ 10mA  ·  Обратный ток утечки: 50nA @ 16.8V  ·  Допустимые отклонения емкости: ±2%  ·  Мощность макcимальная: 400мВт  ·  Полное сопротивление (импеданс): 70 Ohm  ·  Тип монтажа: Through Hole, Axial  ·  Корпус: DO-35, Axial  ·  Operating Temperature: -65°C ~ 200°C
from 0,00Additional information
Find at suppliers
Buy in store
BZX79-B24,133NXP SemiconductorsDIODE VREG 24V 500MW DO-35
Напряжение Зенера номинальное: 24V  ·  Прямое напряжение: 900mV @ 10mA  ·  Обратный ток утечки: 50nA @ 16.8V  ·  Допустимые отклонения емкости: ±2%  ·  Мощность макcимальная: 400мВт  ·  Полное сопротивление (импеданс): 70 Ohm  ·  Тип монтажа: Through Hole, Axial  ·  Корпус: DO-35, Axial  ·  Operating Temperature: -65°C ~ 200°C
from 0,00Additional information
Find at suppliers
Buy in store
BZV85-C27,133NXP SemiconductorsDIODE VREG 27V 1.3W DO-41
Напряжение Зенера номинальное: 27V  ·  Прямое напряжение: 1V @ 50mA  ·  Обратный ток утечки: 50nA @ 19V  ·  Допустимые отклонения емкости: ±5%  ·  Мощность макcимальная: 1.3W  ·  Полное сопротивление (импеданс): 40 Ohm  ·  Тип монтажа: Through Hole, Axial  ·  Корпус: DO-41, Axial  ·  Operating Temperature: -65°C ~ 200°C
from 0,00Additional information
Find at suppliers
Buy in store
BZX84-A27,215NXP SemiconductorsDIODE VREG 27V 250MW SOT-23
Напряжение Зенера номинальное: 27V  ·  Прямое напряжение: 900mV @ 10mA  ·  Обратный ток утечки: 50nA @ 18.9V  ·  Допустимые отклонения емкости: ±1%  ·  Мощность макcимальная: 250mW  ·  Полное сопротивление (импеданс): 80 Ohm  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3  ·  Operating Temperature: -65°C ~ 150°C
from 0,00Additional information
Find at suppliers
Buy in store
BZX79-B27,143NXP SemiconductorsDIODE VREG 27V 500MW DO-35
Напряжение Зенера номинальное: 27V  ·  Прямое напряжение: 900mV @ 10mA  ·  Обратный ток утечки: 50nA @ 18.9V  ·  Допустимые отклонения емкости: ±2%  ·  Мощность макcимальная: 400мВт  ·  Полное сопротивление (импеданс): 80 Ohm  ·  Тип монтажа: Through Hole, Axial  ·  Корпус: DO-35, Axial  ·  Operating Temperature: -65°C ~ 200°C
from 0,00Additional information
Find at suppliers
Buy in store
BZX79-B27,133NXP SemiconductorsDIODE VREG 27V 500MW DO-35
Напряжение Зенера номинальное: 27V  ·  Прямое напряжение: 900mV @ 10mA  ·  Обратный ток утечки: 50nA @ 18.9V  ·  Допустимые отклонения емкости: ±2%  ·  Мощность макcимальная: 400мВт  ·  Полное сопротивление (импеданс): 80 Ohm  ·  Тип монтажа: Through Hole, Axial  ·  Корпус: DO-35, Axial  ·  Operating Temperature: -65°C ~ 200°C
from 0,00Additional information
Find at suppliers
Buy in store
BZX79-C27,143NXP SemiconductorsDIODE VREG 27V 500MW DO-35
Напряжение Зенера номинальное: 27V  ·  Прямое напряжение: 900mV @ 10mA  ·  Обратный ток утечки: 50nA @ 18.9V  ·  Допустимые отклонения емкости: ±5%  ·  Мощность макcимальная: 400мВт  ·  Полное сопротивление (импеданс): 80 Ohm  ·  Тип монтажа: Through Hole, Axial  ·  Корпус: DO-35, Axial  ·  Operating Temperature: -65°C ~ 200°C
from 0,00Additional information
Find at suppliers
Buy in store
BZX84-A3V0,215NXP SemiconductorsDIODE VREG 3.0V 250MW SOT-23
Напряжение Зенера номинальное: 3V  ·  Прямое напряжение: 900mV @ 10mA  ·  Обратный ток утечки: 10µA @ 1V  ·  Допустимые отклонения емкости: ±1%  ·  Мощность макcимальная: 250mW  ·  Полное сопротивление (импеданс): 95 Ohm  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3  ·  Operating Temperature: -65°C ~ 150°C
from 0,00Additional information
Find at suppliers
Buy in store
BZX79-B3V0,133NXP SemiconductorsDIODE VREG 3.0V 500MW DO-35
Напряжение Зенера номинальное: 3V  ·  Прямое напряжение: 900mV @ 10mA  ·  Обратный ток утечки: 10µA @ 1V  ·  Допустимые отклонения емкости: ±2%  ·  Мощность макcимальная: 400мВт  ·  Полное сопротивление (импеданс): 95 Ohm  ·  Тип монтажа: Through Hole, Axial  ·  Корпус: DO-35, Axial  ·  Operating Temperature: -65°C ~ 200°C
from 0,00Additional information
Find at suppliers
Buy in store
BZX79-C3V0,143NXP SemiconductorsDIODE VREG 3.0V 500MW DO-35
Напряжение Зенера номинальное: 3V  ·  Прямое напряжение: 900mV @ 10mA  ·  Обратный ток утечки: 10µA @ 1V  ·  Допустимые отклонения емкости: ±5%  ·  Мощность макcимальная: 400мВт  ·  Полное сопротивление (импеданс): 95 Ohm  ·  Тип монтажа: Through Hole, Axial  ·  Корпус: DO-35, Axial  ·  Operating Temperature: -65°C ~ 200°C
from 0,00Additional information
Find at suppliers
Buy in store
BZX79-B3V0,143NXP SemiconductorsDIODE VREG 3.0V 500MW DO-35
Напряжение Зенера номинальное: 3V  ·  Прямое напряжение: 900mV @ 10mA  ·  Обратный ток утечки: 10µA @ 1V  ·  Допустимые отклонения емкости: ±2%  ·  Мощность макcимальная: 400мВт  ·  Полное сопротивление (импеданс): 95 Ohm  ·  Тип монтажа: Through Hole, Axial  ·  Корпус: DO-35, Axial  ·  Operating Temperature: -65°C ~ 200°C
from 0,00Additional information
Find at suppliers
Buy in store
BZX84-A3V3,215NXP SemiconductorsDIODE VREG 3.3V 250MW SOT-23
Напряжение Зенера номинальное: 3.3V  ·  Прямое напряжение: 900mV @ 10mA  ·  Обратный ток утечки: 5µA @ 1V  ·  Допустимые отклонения емкости: ±1%  ·  Мощность макcимальная: 250mW  ·  Полное сопротивление (импеданс): 95 Ohm  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3  ·  Operating Temperature: -65°C ~ 150°C
from 0,00Additional information
Find at suppliers
Buy in store
1N4728A,133NXP SemiconductorsDIODE VREG 3.3V 276MA DO-41
Напряжение Зенера номинальное: 3.3V  ·  Прямое напряжение: 1.2V @ 200mA  ·  Обратный ток утечки: 100µA @ 1V  ·  Допустимые отклонения емкости: ±5%  ·  Мощность макcимальная: 1Вт  ·  Полное сопротивление (импеданс): 10 Ohm  ·  Тип монтажа: Through Hole, Axial  ·  Корпус: DO-41, Axial  ·  Operating Temperature: -65°C ~ 200°C
from 0,00Additional information
Find at suppliers
Buy in store
BZX79-C3V3,143NXP SemiconductorsDIODE VREG 3.3V 500MW DO-35
Напряжение Зенера номинальное: 3.3V  ·  Прямое напряжение: 900mV @ 10mA  ·  Обратный ток утечки: 5µA @ 1V  ·  Допустимые отклонения емкости: ±5%  ·  Мощность макcимальная: 400мВт  ·  Полное сопротивление (импеданс): 95 Ohm  ·  Тип монтажа: Through Hole, Axial  ·  Корпус: DO-35, Axial  ·  Operating Temperature: -65°C ~ 200°C
from 0,00Additional information
Find at suppliers
Buy in store
BZX79-B3V3,133NXP SemiconductorsDIODE VREG 3.3V 500MW DO-35
Напряжение Зенера номинальное: 3.3V  ·  Прямое напряжение: 900mV @ 10mA  ·  Обратный ток утечки: 5µA @ 1V  ·  Допустимые отклонения емкости: ±2%  ·  Мощность макcимальная: 400мВт  ·  Полное сопротивление (импеданс): 95 Ohm  ·  Тип монтажа: Through Hole, Axial  ·  Корпус: DO-35, Axial  ·  Operating Temperature: -65°C ~ 200°C
from 0,00Additional information
Find at suppliers
Buy in store
BZX79-B3V3,143NXP SemiconductorsDIODE VREG 3.3V 500MW DO-35
Напряжение Зенера номинальное: 3.3V  ·  Прямое напряжение: 900mV @ 10mA  ·  Обратный ток утечки: 5µA @ 1V  ·  Допустимые отклонения емкости: ±2%  ·  Мощность макcимальная: 400мВт  ·  Полное сопротивление (импеданс): 95 Ohm  ·  Тип монтажа: Through Hole, Axial  ·  Корпус: DO-35, Axial  ·  Operating Temperature: -65°C ~ 200°C
from 0,00Additional information
Find at suppliers
Buy in store
BZV85-C3V6,133NXP SemiconductorsDIODE VREG 3.6V 1.3W DO-41
Напряжение Зенера номинальное: 3.6V  ·  Прямое напряжение: 1V @ 50mA  ·  Обратный ток утечки: 50µA @ 1V  ·  Допустимые отклонения емкости: ±5%  ·  Мощность макcимальная: 1.3W  ·  Полное сопротивление (импеданс): 15 Ohm  ·  Тип монтажа: Through Hole, Axial  ·  Корпус: DO-41, Axial  ·  Operating Temperature: -65°C ~ 200°C
from 0,00Additional information
Find at suppliers
Buy in store
BZX84-A3V6,215NXP SemiconductorsDIODE VREG 3.6V 250MW SOT-23
Напряжение Зенера номинальное: 3.6V  ·  Прямое напряжение: 900mV @ 10mA  ·  Обратный ток утечки: 5µA @ 1V  ·  Допустимые отклонения емкости: ±1%  ·  Мощность макcимальная: 250mW  ·  Полное сопротивление (импеданс): 90 Ohm  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3  ·  Operating Temperature: -65°C ~ 150°C
from 0,00Additional information
Find at suppliers
Buy in store
← Ctrl  12345678 ... 304  Ctrl →
© 2006 — 2024 ChipFind Ltd.
Contact phone, e-mail, ICQ		 Catalog with parameters for 1,401,534 components Register • Advertising