Log in Register |
Photo | Name | Manufacturer | Technical parameters | Prices (rub.) | Buy |
1N4743A,133 | NXP Semiconductors | DIODE VREG 13V 69MA DO-41 Напряжение Зенера номинальное: 13V · Прямое напряжение: 1.2V @ 200mA · Обратный ток утечки: 5µA @ 9.9V · Допустимые отклонения емкости: ±5% · Мощность макcимальная: 1Вт · Полное сопротивление (импеданс): 10 Ohm · Тип монтажа: Through Hole, Axial · Корпус: DO-41, Axial · Operating Temperature: -65°C ~ 200°C | from 0,00 | Additional information Find at suppliers Buy in store | |
BZV85-C15,133 | NXP Semiconductors | DIODE VREG 15V 1.3W DO-41 Напряжение Зенера номинальное: 15V · Прямое напряжение: 1V @ 50mA · Обратный ток утечки: 50nA @ 10.5V · Допустимые отклонения емкости: ±5% · Мощность макcимальная: 1.3W · Полное сопротивление (импеданс): 15 Ohm · Тип монтажа: Through Hole, Axial · Корпус: DO-41, Axial · Operating Temperature: -65°C ~ 200°C | from 0,00 | Additional information Find at suppliers Buy in store | |
BZX84-A15,215 | NXP Semiconductors | DIODE VREG 15V 250MW SOT-23 Напряжение Зенера номинальное: 15V · Прямое напряжение: 900mV @ 10mA · Обратный ток утечки: 50nA @ 10.5V · Допустимые отклонения емкости: ±1% · Мощность макcимальная: 250mW · Полное сопротивление (импеданс): 30 Ohm · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 · Operating Temperature: -65°C ~ 150°C | from 0,00 | Additional information Find at suppliers Buy in store | |
BZX79-B15,143 | NXP Semiconductors | DIODE VREG 15V 500MW DO-35 Напряжение Зенера номинальное: 15V · Прямое напряжение: 900mV @ 10mA · Обратный ток утечки: 50nA @ 10.5V · Допустимые отклонения емкости: ±2% · Мощность макcимальная: 400мВт · Полное сопротивление (импеданс): 30 Ohm · Тип монтажа: Through Hole, Axial · Корпус: DO-35, Axial · Operating Temperature: -65°C ~ 200°C | from 0,00 | Additional information Find at suppliers Buy in store | |
BZX79-C15,143 | NXP Semiconductors | DIODE VREG 15V 500MW DO-35 Напряжение Зенера номинальное: 15V · Прямое напряжение: 900mV @ 10mA · Обратный ток утечки: 50nA @ 10.5V · Допустимые отклонения емкости: ±5% · Мощность макcимальная: 400мВт · Полное сопротивление (импеданс): 30 Ohm · Тип монтажа: Through Hole, Axial · Корпус: DO-35, Axial · Operating Temperature: -65°C ~ 200°C | from 0,00 | Additional information Find at suppliers Buy in store | |
1N4744A,133 | NXP Semiconductors | DIODE VREG 15V 61MA DO-41 Напряжение Зенера номинальное: 15V · Прямое напряжение: 1.2V @ 200mA · Обратный ток утечки: 5µA @ 11.4V · Допустимые отклонения емкости: ±5% · Мощность макcимальная: 1Вт · Полное сопротивление (импеданс): 14 Ohm · Тип монтажа: Through Hole, Axial · Корпус: DO-41, Axial · Operating Temperature: -65°C ~ 200°C | from 0,00 | Additional information Find at suppliers Buy in store | |
BZV85-C16,133 | NXP Semiconductors | DIODE VREG 16V 1.3W DO-41 Напряжение Зенера номинальное: 16V · Прямое напряжение: 1V @ 50mA · Обратный ток утечки: 50nA @ 11V · Допустимые отклонения емкости: ±5% · Мощность макcимальная: 1.3W · Полное сопротивление (импеданс): 15 Ohm · Тип монтажа: Through Hole, Axial · Корпус: DO-41, Axial · Operating Temperature: -65°C ~ 200°C | from 0,00 | Additional information Find at suppliers Buy in store | |
BZX79-C16,143 | NXP Semiconductors | DIODE VREG 16V 500MW DO-35 Напряжение Зенера номинальное: 16V · Прямое напряжение: 900mV @ 10mA · Обратный ток утечки: 50nA @ 11.2V · Допустимые отклонения емкости: ±5% · Мощность макcимальная: 400мВт · Полное сопротивление (импеданс): 40 Ohm · Тип монтажа: Through Hole, Axial · Корпус: DO-35, Axial · Operating Temperature: -65°C ~ 200°C | from 0,00 | Additional information Find at suppliers Buy in store | |
BZX79-B16,143 | NXP Semiconductors | DIODE VREG 16V 500MW DO-35 Напряжение Зенера номинальное: 16V · Прямое напряжение: 900mV @ 10mA · Обратный ток утечки: 50nA @ 11.2V · Допустимые отклонения емкости: ±2% · Мощность макcимальная: 400мВт · Полное сопротивление (импеданс): 40 Ohm · Тип монтажа: Through Hole, Axial · Корпус: DO-35, Axial · Operating Temperature: -65°C ~ 200°C | from 0,00 | Additional information Find at suppliers Buy in store | |
1N4745A,133 | NXP Semiconductors | DIODE VREG 16V 57MA DO-41 Напряжение Зенера номинальное: 16V · Прямое напряжение: 1.2V @ 200mA · Обратный ток утечки: 5µA @ 12.2V · Допустимые отклонения емкости: ±5% · Мощность макcимальная: 1Вт · Полное сопротивление (импеданс): 16 Ohm · Тип монтажа: Through Hole, Axial · Корпус: DO-41, Axial · Operating Temperature: -65°C ~ 200°C | from 0,00 | Additional information Find at suppliers Buy in store | |
BZV85-C18,133 | NXP Semiconductors | DIODE VREG 18V 1.3W DO-41 Напряжение Зенера номинальное: 18В · Прямое напряжение: 1V @ 50mA · Обратный ток утечки: 50nA @ 12.5V · Допустимые отклонения емкости: ±5% · Мощность макcимальная: 1.3W · Полное сопротивление (импеданс): 20 Ohm · Тип монтажа: Through Hole, Axial · Корпус: DO-41, Axial · Operating Temperature: -65°C ~ 200°C | from 0,00 | Additional information Find at suppliers Buy in store | |
BZX79-C18,143 | NXP Semiconductors | DIODE VREG 18V 500MW DO-35 Напряжение Зенера номинальное: 18В · Прямое напряжение: 900mV @ 10mA · Обратный ток утечки: 50nA @ 12.6V · Допустимые отклонения емкости: ±5% · Мощность макcимальная: 400мВт · Полное сопротивление (импеданс): 45 Ohm · Тип монтажа: Through Hole, Axial · Корпус: DO-35, Axial · Operating Temperature: -65°C ~ 200°C | from 0,00 | Additional information Find at suppliers Buy in store | |
BZX79-B18,143 | NXP Semiconductors | DIODE VREG 18V 500MW DO-35 Напряжение Зенера номинальное: 18В · Прямое напряжение: 900mV @ 10mA · Обратный ток утечки: 50nA @ 12.6V · Допустимые отклонения емкости: ±2% · Мощность макcимальная: 400мВт · Полное сопротивление (импеданс): 45 Ohm · Тип монтажа: Through Hole, Axial · Корпус: DO-35, Axial · Operating Temperature: -65°C ~ 200°C | from 0,00 | Additional information Find at suppliers Buy in store | |
1N4746A,133 | NXP Semiconductors | DIODE VREG 18V 50MA DO-41 Напряжение Зенера номинальное: 18В · Прямое напряжение: 1.2V @ 200mA · Обратный ток утечки: 5µA @ 13.7V · Допустимые отклонения емкости: ±5% · Мощность макcимальная: 1Вт · Полное сопротивление (импеданс): 20 Ohm · Тип монтажа: Through Hole, Axial · Корпус: DO-41, Axial · Operating Temperature: -65°C ~ 200°C | from 0,00 | Additional information Find at suppliers Buy in store | |
BZX84-A2V4,215 | NXP Semiconductors | DIODE VREG 2.4V 250MW SOT-23 Напряжение Зенера номинальное: 2.4V · Прямое напряжение: 900mV @ 10mA · Обратный ток утечки: 50µA @ 1V · Допустимые отклонения емкости: ±1% · Мощность макcимальная: 250mW · Полное сопротивление (импеданс): 100 Ohm · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 · Operating Temperature: -65°C ~ 150°C | from 0,00 | Additional information Find at suppliers Buy in store | |
BZX79-B2V4,143 | NXP Semiconductors | DIODE VREG 2.4V 500MW DO-35 Напряжение Зенера номинальное: 2.4V · Прямое напряжение: 900mV @ 10mA · Обратный ток утечки: 50µA @ 1V · Допустимые отклонения емкости: ±2% · Мощность макcимальная: 400мВт · Полное сопротивление (импеданс): 100 Ohm · Тип монтажа: Through Hole, Axial · Корпус: DO-35, Axial · Operating Temperature: -65°C ~ 200°C | from 0,00 | Additional information Find at suppliers Buy in store | |
BZX79-C2V4,143 | NXP Semiconductors | DIODE VREG 2.4V 500MW DO-35 Напряжение Зенера номинальное: 2.4V · Прямое напряжение: 900mV @ 10mA · Обратный ток утечки: 50µA @ 1V · Допустимые отклонения емкости: ±5% · Мощность макcимальная: 400мВт · Полное сопротивление (импеданс): 100 Ohm · Тип монтажа: Through Hole, Axial · Корпус: DO-35, Axial · Operating Temperature: -65°C ~ 200°C | from 0,00 | Additional information Find at suppliers Buy in store | |
BZX84-A2V7,215 | NXP Semiconductors | DIODE VREG 2.7V 250MW SOT-23 Напряжение Зенера номинальное: 2.7V · Прямое напряжение: 900mV @ 10mA · Обратный ток утечки: 20µA @ 1V · Допустимые отклонения емкости: ±1% · Мощность макcимальная: 250mW · Полное сопротивление (импеданс): 100 Ohm · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 · Operating Temperature: -65°C ~ 150°C | from 0,00 | Additional information Find at suppliers Buy in store | |
BZX79-C2V7,143 | NXP Semiconductors | DIODE VREG 2.7V 500MW DO-35 Напряжение Зенера номинальное: 2.7V · Прямое напряжение: 900mV @ 10mA · Обратный ток утечки: 20µA @ 1V · Допустимые отклонения емкости: ±5% · Мощность макcимальная: 400мВт · Полное сопротивление (импеданс): 100 Ohm · Тип монтажа: Through Hole, Axial · Корпус: DO-35, Axial · Operating Temperature: -65°C ~ 200°C | from 0,00 | Additional information Find at suppliers Buy in store | |
BZX79-B2V7,143 | NXP Semiconductors | DIODE VREG 2.7V 500MW DO-35 Напряжение Зенера номинальное: 2.7V · Прямое напряжение: 900mV @ 10mA · Обратный ток утечки: 20µA @ 1V · Допустимые отклонения емкости: ±2% · Мощность макcимальная: 400мВт · Полное сопротивление (импеданс): 100 Ohm · Тип монтажа: Through Hole, Axial · Корпус: DO-35, Axial · Operating Temperature: -65°C ~ 200°C | from 0,00 | Additional information Find at suppliers Buy in store | |
BZV85-C20,133 | NXP Semiconductors | DIODE VREG 20V 1.3W DO-41 Напряжение Зенера номинальное: 20В · Прямое напряжение: 1V @ 50mA · Обратный ток утечки: 50nA @ 14V · Допустимые отклонения емкости: ±5% · Мощность макcимальная: 1.3W · Полное сопротивление (импеданс): 24 Ohm · Тип монтажа: Through Hole, Axial · Корпус: DO-41, Axial · Operating Temperature: -65°C ~ 200°C | from 0,00 | Additional information Find at suppliers Buy in store | |
BZX84-A20,215 | NXP Semiconductors | DIODE VREG 20V 250MW SOT-23 Напряжение Зенера номинальное: 20В · Прямое напряжение: 900mV @ 10mA · Обратный ток утечки: 50nA @ 14V · Допустимые отклонения емкости: ±1% · Мощность макcимальная: 250mW · Полное сопротивление (импеданс): 55 Ohm · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 · Operating Temperature: -65°C ~ 150°C | from 0,00 | Additional information Find at suppliers Buy in store | |
1N4747A,133 | NXP Semiconductors | DIODE VREG 20V 45MA DO-41 Напряжение Зенера номинальное: 20В · Прямое напряжение: 1.2V @ 200mA · Обратный ток утечки: 5µA @ 15.2V · Допустимые отклонения емкости: ±5% · Мощность макcимальная: 1Вт · Полное сопротивление (импеданс): 22 Ohm · Тип монтажа: Through Hole, Axial · Корпус: DO-41, Axial · Operating Temperature: -65°C ~ 200°C | from 0,00 | Additional information Find at suppliers Buy in store | |
BZX79-B20,143 | NXP Semiconductors | DIODE VREG 20V 500MW DO-35 Напряжение Зенера номинальное: 20В · Прямое напряжение: 900mV @ 10mA · Обратный ток утечки: 50nA @ 14V · Допустимые отклонения емкости: ±2% · Мощность макcимальная: 400мВт · Полное сопротивление (импеданс): 55 Ohm · Тип монтажа: Through Hole, Axial · Корпус: DO-35, Axial · Operating Temperature: -65°C ~ 200°C | from 0,00 | Additional information Find at suppliers Buy in store | |
BZX79-C20,143 | NXP Semiconductors | DIODE VREG 20V 500MW DO-35 Напряжение Зенера номинальное: 20В · Прямое напряжение: 900mV @ 10mA · Обратный ток утечки: 50nA @ 14V · Допустимые отклонения емкости: ±5% · Мощность макcимальная: 400мВт · Полное сопротивление (импеданс): 55 Ohm · Тип монтажа: Through Hole, Axial · Корпус: DO-35, Axial · Operating Temperature: -65°C ~ 200°C | from 0,00 | Additional information Find at suppliers Buy in store |
© 2006 — 2024 ChipFind Ltd. Contact phone, e-mail, ICQ |
Catalog with parameters for 1,401,534 components | Register • Advertising |