Log in    Register
ChipFind каталог подбора компонентов
Например: transistor, max232, lt319a
 

Дискретные полупроводники  ·  Биполярные транзисторы (одиночные)

Производитель



















Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.)





























































Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic


























































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































Ток коллектора (макс)

















































































Ток отсечки коллетора (vfrc)

































Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce
















































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































Мощность макcимальная



















































































































































Модуляция частот




















































































































Тип транзистора







Тип монтажа


Корпус








































































































































 
ФотоНаименованиеПроизводительТех. параметрыЦены (руб.)Купить
2N34392N3439STMicroelectronicsTRANSISTOR NPN 450V 1A TO-39
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 350В  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 4mA, 50mA  ·  Ток коллектора (макс): 1A  ·  Ток отсечки коллетора (vfrc): 20µA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 20mA, 10V  ·  Мощность макcимальная: 10Вт  ·  Модуляция частот: 15MHz  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-39-3, TO-205AD, Металлическая банка
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
2N3440Fairchild SemiconductorNPN POWER 350V 10W TRANSISTOR
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 250V  ·  Ток коллектора (макс): 1A  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-39-3, TO-205AD, Металлическая банка
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
2N34402N3440STMicroelectronicsTRANSISTOR NPN 300V 1A TO-39
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 250V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 4mA, 50mA  ·  Ток коллектора (макс): 1A  ·  Ток отсечки коллетора (vfrc): 50µA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 20mA, 10V  ·  Мощность макcимальная: 10Вт  ·  Модуляция частот: 15MHz  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-39-3, TO-205AD, Металлическая банка
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
2N34422N3442ON SemiconductorTRANSISTOR NPN 140V 10A BIPO TO3
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 140V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 5V @ 2A, 10A  ·  Ток коллектора (макс): 10A  ·  Ток отсечки коллетора (vfrc): 200mA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 3A, 4V  ·  Мощность макcимальная: 117Вт  ·  Модуляция частот: 80MHz  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Тип монтажа: Chassis Mount  ·  Корпус: TO-204, TO-3
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
2N3442G2N3442GON SemiconductorTRANSISTOR NPN 140V 10A BIPO TO3
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 140V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 5V @ 2A, 10A  ·  Ток коллектора (макс): 10A  ·  Ток отсечки коллетора (vfrc): 200mA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 3A, 4V  ·  Мощность макcимальная: 117Вт  ·  Модуляция частот: 80MHz  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Тип монтажа: Chassis Mount  ·  Корпус: TO-204, TO-3
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
2N37002N3700STMicroelectronicsTRANSISTOR NPN 80V 1A TO-18
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 80V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA  ·  Ток коллектора (макс): 1A  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V  ·  Мощность макcимальная: 1Вт  ·  Модуляция частот: 100MHz  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-18-3, TO-206AA, Metal Case
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
2N37022N3702Fairchild SemiconductorTRANSISTOR GPA PNP 25V TO-92
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 25V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 50mA  ·  Ток коллектора (макс): 500mA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 50mA, 5V  ·  Мощность макcимальная: 625mW  ·  Модуляция частот: 100MHz  ·  Тип транзистора: PNP  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
2N3702_D26Z2N3702_D26ZFairchild SemiconductorTRANSISTOR GPA PNP 25V TO-92
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 25V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 50mA  ·  Ток коллектора (макс): 500mA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 50mA, 5V  ·  Мощность макcимальная: 625mW  ·  Модуляция частот: 100MHz  ·  Тип транзистора: PNP  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
2N3702_D27Z2N3702_D27ZFairchild SemiconductorTRANSISTOR GPA PNP 25V TO-92
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 25V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 50mA  ·  Ток коллектора (макс): 500mA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 50mA, 5V  ·  Мощность макcимальная: 625mW  ·  Модуляция частот: 100MHz  ·  Тип транзистора: PNP  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
2N3702_D75Z2N3702_D75ZFairchild SemiconductorTRANSISTOR GPA PNP 25V TO-92
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 25V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 50mA  ·  Ток коллектора (макс): 500mA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 50mA, 5V  ·  Мощность макcимальная: 625mW  ·  Модуляция частот: 100MHz  ·  Тип транзистора: PNP  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
2N37032N3703Fairchild SemiconductorTRANSISTOR GPA PNP 30V TO-92
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 30В  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 50mA  ·  Ток коллектора (макс): 500mA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 50mA, 5V  ·  Мощность макcимальная: 625mW  ·  Модуляция частот: 100MHz  ·  Тип транзистора: PNP  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
2N37042N3704Fairchild SemiconductorIC TRANS NPN SS GP 500MA TO-92
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 30В  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 5mA, 100mA  ·  Ток коллектора (макс): 500mA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 50mA, 5V  ·  Мощность макcимальная: 625mW  ·  Модуляция частот: 100MHz  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
2N3704_D26Z2N3704_D26ZFairchild SemiconductorTRANSISTOR GPA NPN 30V TO-92
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 30В  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 5mA, 100mA  ·  Ток коллектора (макс): 500mA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 50mA, 5V  ·  Мощность макcимальная: 625mW  ·  Модуляция частот: 100MHz  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
2N3704_D27Z2N3704_D27ZFairchild SemiconductorTRANSISTOR GPA NPN 30V TO-92
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 30В  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 5mA, 100mA  ·  Ток коллектора (макс): 500mA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 50mA, 5V  ·  Мощность макcимальная: 625mW  ·  Модуляция частот: 100MHz  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
2N3704_D74Z2N3704_D74ZFairchild SemiconductorTRANSISTOR GPA NPN 30V TO-92
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 30В  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 5mA, 100mA  ·  Ток коллектора (макс): 500mA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 50mA, 5V  ·  Мощность макcимальная: 625mW  ·  Модуляция частот: 100MHz  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
2N3704_D75Z2N3704_D75ZFairchild SemiconductorTRANSISTOR GPA NPN 30V TO-92
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 30В  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 5mA, 100mA  ·  Ток коллектора (макс): 500mA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 50mA, 5V  ·  Мощность макcимальная: 625mW  ·  Модуляция частот: 100MHz  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
2N3725Fairchild SemiconductorTRANS NPN HIGH SP 50V 500MA TO39
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 950mV @ 100mA, 1A  ·  Ток коллектора (макс): 500mA  ·  Ток отсечки коллетора (vfrc): 10µA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 100mA, 1V  ·  Мощность макcимальная: 800мВт  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-5-3, Metal Can
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
2N37712N3771STMicroelectronicsTRANSISTOR NPN 40V 30A TO-3
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 40В  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 6A, 30 A  ·  Ток коллектора (макс): 30A  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 15A, 4V  ·  Мощность макcимальная: 150Вт  ·  Модуляция частот: 200kHz  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Тип монтажа: Chassis Mount  ·  Корпус: TO-204, TO-3
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
2N3771G2N3771GON SemiconductorTRANSISTOR NPN 40V 30A BIPO TO-3
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 40В  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 1.5A, 15A  ·  Ток коллектора (макс): 30A  ·  Ток отсечки коллетора (vfrc): 10mA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 15A, 4V  ·  Мощность макcимальная: 150Вт  ·  Модуляция частот: 200kHz  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Тип монтажа: Chassis Mount  ·  Корпус: TO-204, TO-3
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
2N37722N3772ON SemiconductorTRANS NPN 20A 60V TO3
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 60V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1.4V @ 1A, 10A  ·  Ток коллектора (макс): 20A  ·  Ток отсечки коллетора (vfrc): 10mA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 10A, 4V  ·  Мощность макcимальная: 150Вт  ·  Модуляция частот: 200kHz  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Тип монтажа: Chassis Mount  ·  Корпус: TO-204, TO-3
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
2N37722N3772STMicroelectronicsTRANSISTOR NPN 60V 20A TO-3
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 60V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 4A, 10 A  ·  Ток коллектора (макс): 20A  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 10A, 4V  ·  Мощность макcимальная: 150Вт  ·  Модуляция частот: 200kHz  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Тип монтажа: Chassis Mount  ·  Корпус: TO-204, TO-3
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
2N3772G2N3772GON SemiconductorTRANS NPN 20A 60V TO3
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 60V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1.4V @ 1A, 10A  ·  Ток коллектора (макс): 20A  ·  Ток отсечки коллетора (vfrc): 10mA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 10A, 4V  ·  Мощность макcимальная: 150Вт  ·  Модуляция частот: 200kHz  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Тип монтажа: Chassis Mount  ·  Корпус: TO-204, TO-3
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
2N37732N3773STMicroelectronicsTRANSISTOR NPN 16A 140V TO-3
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 140V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 3.2A, 16A  ·  Ток коллектора (макс): 16A  ·  Ток отсечки коллетора (vfrc): 10mA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 8A, 4V  ·  Мощность макcимальная: 150Вт  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Тип монтажа: Chassis Mount  ·  Корпус: TO-204, TO-3
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
2N37732N3773ON SemiconductorTRANS NPN 16A 140V TO3
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 140V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1.4V @ 800mA, 8A  ·  Ток коллектора (макс): 16A  ·  Ток отсечки коллетора (vfrc): 10mA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 8A, 4V  ·  Мощность макcимальная: 150Вт  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Тип монтажа: Chassis Mount  ·  Корпус: TO-204, TO-3
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
2N3773G2N3773GON SemiconductorTRANS NPN 16A 140V TO3
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 140V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1.4V @ 800mA, 8A  ·  Ток коллектора (макс): 16A  ·  Ток отсечки коллетора (vfrc): 10mA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 8A, 4V  ·  Мощность макcимальная: 150Вт  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Тип монтажа: Chassis Mount  ·  Корпус: TO-204, TO-3
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
← Ctrl  12345678 ... 359  Ctrl →

© 2006 — 2024 ChipFind Ltd.
Contact phone, e-mail, ICQ
Каталог с параметрами на 1.401.534 компонентов RegisterAdvertising