Log in    Register
ChipFind Component Selection Catalog
For example: transistor, max232, lt319a
 

Дискретные полупроводники  ·  Биполярные транзисторы (одиночные)

Производитель



















Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.)





























































Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic


























































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































Ток коллектора (макс)

















































































Ток отсечки коллетора (vfrc)

































Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce
















































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































Мощность макcимальная



















































































































































Модуляция частот




















































































































Тип транзистора







Тип монтажа


Корпус








































































































































 
PhotoNameManufacturerTechnical parametersPrices (rub.)Buy
MMBTA28-7-FMMBTA28-7-FDiodes IncTRANS BIPO NPN DARL 80V SOT23-3
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 80V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 100µA, 100mA  ·  Ток коллектора (макс): 500mA  ·  Ток отсечки коллетора (vfrc): 500nA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10000 @ 10mA, 5V  ·  Мощность макcимальная: 300mW  ·  Модуляция частот: 125MHz  ·  Тип транзистора: NPN - Darlington  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3
from 0,00
to 0,00
Additional information
Find at suppliers
Buy in store
MMBTA28-7MMBTA28-7Diodes IncTRANS BIPO NPN DARL 80V SOT23-3
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 80V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 100µA, 100mA  ·  Ток коллектора (макс): 500mA  ·  Ток отсечки коллетора (vfrc): 500nA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10000 @ 10mA, 5V  ·  Мощность макcимальная: 300mW  ·  Модуляция частот: 125MHz  ·  Тип транзистора: NPN - Darlington  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3
from 0,00
to 0,00
Additional information
Find at suppliers
Buy in store
TN6719A_D75ZFairchild SemiconductorTRANS BIPO NPN HV 300V 200MA TO-
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 300V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 750mV @ 3mA, 30mA  ·  Ток коллектора (макс): 200mA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 30mA, 10V  ·  Мощность макcимальная: 1Вт  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-92-3 (Long Body), TO-226
from 0,00Additional information
Find at suppliers
Buy in store
TN6719A_D27ZFairchild SemiconductorTRANS BIPO NPN HV 300V 200MA TO-
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 300V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 750mV @ 3mA, 30mA  ·  Ток коллектора (макс): 200mA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 30mA, 10V  ·  Мощность макcимальная: 1Вт  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-92-3 (Long Body), TO-226
from 0,00Additional information
Find at suppliers
Buy in store
MMJT350T1GMMJT350T1GON SemiconductorTRANS BIPO PNP 0.5A 300V SOT-223
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 300V  ·  Ток коллектора (макс): 500mA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 50mA, 10V  ·  Мощность макcимальная: 2.75W  ·  Тип транзистора: PNP  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SOT-223 (3 leads + Tab), SC-73, TO-261AA
from 0,00Additional information
Find at suppliers
Buy in store
MMJT350T1MMJT350T1ON SemiconductorTRANS BIPO PNP 0.5A 300V SOT-223
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 300V  ·  Ток коллектора (макс): 500mA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 50mA, 10V  ·  Мощность макcимальная: 2.75W  ·  Тип транзистора: PNP  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SOT-223 (3 leads + Tab), SC-73, TO-261AA
Additional information
Find at suppliers
Buy in store
2DB1689-72DB1689-7Diodes IncTRANS BIPO PNP 12V 1.5A SOT-323
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 12В  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 25mA, 500mA  ·  Ток коллектора (макс): 1.5A  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 270 @ 200mA, 2V  ·  Мощность макcимальная: 300mW  ·  Модуляция частот: 300MHz  ·  Тип транзистора: PNP  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SOT-323
from 0,00
to 0,00
Additional information
Find at suppliers
Buy in store
2DB1697-132DB1697-13Diodes IncTRANS BIPO PNP 12V 2A SOT89-3
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 12В  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 180mV @ 50mA, 1A  ·  Ток коллектора (макс): 2A  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 270 @ 200mA, 2V  ·  Мощность макcимальная: 900мВт  ·  Модуляция частот: 140MHz  ·  Тип транзистора: PNP  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SOT-89-3
from 0,00
to 0,00
Additional information
Find at suppliers
Buy in store
2DB1713-132DB1713-13Diodes IncTRANS BIPO PNP 12V 3A SOT89-3
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 12В  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 30mA, 1.5A  ·  Ток коллектора (макс): 3A  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 270 @ 500mA, 2V  ·  Мощность макcимальная: 900мВт  ·  Модуляция частот: 180MHz  ·  Тип транзистора: PNP  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SOT-89-3
from 0,00
to 0,00
Additional information
Find at suppliers
Buy in store
MJW0302AMJW0302AON SemiconductorTRANS BIPO PNP 150W 260V TO-247
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 260V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 500mA, 5A  ·  Ток коллектора (макс): 15A  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 75 @ 500mA, 5V  ·  Мощность макcимальная: 150Вт  ·  Модуляция частот: 30MHz  ·  Тип транзистора: PNP  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-247-3 (Straight Leads), TO-247AC
Additional information
Find at suppliers
Buy in store
MJW1302AGMJW1302AGON SemiconductorTRANS BIPO PNP 15A 230V TO247
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 230V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 1A, 10A  ·  Ток коллектора (макс): 15A  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 100mA, 5V  ·  Мощность макcимальная: 200Вт  ·  Модуляция частот: 30MHz  ·  Тип транзистора: PNP  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-247-3 (Straight Leads), TO-247AC
from 0,00Additional information
Find at suppliers
Buy in store
MJW1302AMJW1302AON SemiconductorTRANS BIPO PNP 15A 230V TO247
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 230V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 1A, 10A  ·  Ток коллектора (макс): 15A  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 100mA, 5V  ·  Мощность макcимальная: 200Вт  ·  Модуляция частот: 30MHz  ·  Тип транзистора: PNP  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-247-3 (Straight Leads), TO-247AC
Additional information
Find at suppliers
Buy in store
MJL4302AGMJL4302AGON SemiconductorTRANS BIPO PNP 15A 350V TO264
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 350В  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 800mA, 8A  ·  Ток коллектора (макс): 15A  ·  Ток отсечки коллетора (vfrc): 100µA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 1A, 5V  ·  Мощность макcимальная: 230W  ·  Модуляция частот: 35MHz  ·  Тип транзистора: PNP  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-264-3, TO-3BPL
from 0,00
to 0,00
Additional information
Find at suppliers
Buy in store
MJL4302AMJL4302AON SemiconductorTRANS BIPO PNP 15A 350V TO264
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 350В  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 800mA, 8A  ·  Ток коллектора (макс): 15A  ·  Ток отсечки коллетора (vfrc): 100µA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 1A, 5V  ·  Мощность макcимальная: 230W  ·  Модуляция частот: 35MHz  ·  Тип транзистора: PNP  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-264-3, TO-3BPL
Additional information
Find at suppliers
Buy in store
MJW21193GMJW21193GON SemiconductorTRANS BIPO PNP 16A 250V TO247
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 250V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1.4V @ 800mA, 8A  ·  Ток коллектора (макс): 16A  ·  Ток отсечки коллетора (vfrc): 100µA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 8A, 5V  ·  Мощность макcимальная: 200Вт  ·  Модуляция частот: 4MHz  ·  Тип транзистора: PNP  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-247-3 (Straight Leads), TO-247AC
from 0,00
to 0,00
Additional information
Find at suppliers
Buy in store
MJW21193MJW21193ON SemiconductorTRANS BIPO PNP 16A 250V TO247
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 250V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1.4V @ 800mA, 8A  ·  Ток коллектора (макс): 16A  ·  Ток отсечки коллетора (vfrc): 100µA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 8A, 5V  ·  Мощность макcимальная: 200Вт  ·  Модуляция частот: 4MHz  ·  Тип транзистора: PNP  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-247-3 (Straight Leads), TO-247AC
Additional information
Find at suppliers
Buy in store
MJW21195MJW21195ON SemiconductorTRANS BIPO PNP 16A 250V TO247
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 250V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 800mA, 8A  ·  Ток коллектора (макс): 16A  ·  Ток отсечки коллетора (vfrc): 100µA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 8A, 5V  ·  Мощность макcимальная: 200Вт  ·  Модуляция частот: 4MHz  ·  Тип транзистора: PNP  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-247-3 (Straight Leads), TO-247AC
Additional information
Find at suppliers
Buy in store
MJW21195GMJW21195GON SemiconductorTRANS BIPO PNP 16A 250V TO247
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 250V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 800mA, 8A  ·  Ток коллектора (макс): 16A  ·  Ток отсечки коллетора (vfrc): 100µA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 8A, 5V  ·  Мощность макcимальная: 200Вт  ·  Модуляция частот: 4MHz  ·  Тип транзистора: PNP  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-247-3 (Straight Leads), TO-247AC
from 0,00
to 0,00
Additional information
Find at suppliers
Buy in store
BC857AW-7-FDiodes IncTRANS BIPO PNP 200MW 45V SC70-3
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 45V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA  ·  Ток коллектора (макс): 100mA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 125 @ 2mA, 5V  ·  Мощность макcимальная: 200mW  ·  Модуляция частот: 200MHz  ·  Тип транзистора: PNP  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SOT-323
from 0,00
to 0,00
Additional information
Find at suppliers
Buy in store
BC856AW-7-FDiodes IncTRANS BIPO PNP 200MW 65V SC70-3
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 65V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA  ·  Ток коллектора (макс): 100mA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 125 @ 2mA, 5V  ·  Мощность макcимальная: 200mW  ·  Модуляция частот: 200MHz  ·  Тип транзистора: PNP  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SOT-323
from 0,00
to 0,00
Additional information
Find at suppliers
Buy in store
NJL1302DON SemiconductorTRANS BIPO PNP 200W 260V TO-264
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 260V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 1A, 10A  ·  Ток коллектора (макс): 15A  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 75 @ 500mA, 5V  ·  Мощность макcимальная: 200Вт  ·  Модуляция частот: 30MHz  ·  Тип транзистора: PNP  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-264-5
from 0,00
to 0,00
Additional information
Find at suppliers
Buy in store
NJL1302DGON SemiconductorTRANS BIPO PNP 200W 260V TO-264
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 260V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 1A, 10A  ·  Ток коллектора (макс): 15A  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 75 @ 500mA, 5V  ·  Мощность макcимальная: 200Вт  ·  Модуляция частот: 30MHz  ·  Тип транзистора: PNP  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-264-5
from 0,00Additional information
Find at suppliers
Buy in store
DSS20200L-7DSS20200L-7Diodes IncTRANS BIPO PNP 20V 2A SOT-23
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 20В  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 180mV @ 200mA, 2V  ·  Ток коллектора (макс): 2A  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 2A, 2V  ·  Мощность макcимальная: 600mW  ·  Модуляция частот: 100MHz  ·  Тип транзистора: PNP  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SOT-23
from 0,00
to 0,00
Additional information
Find at suppliers
Buy in store
BC857B-7-FDiodes IncTRANS BIPO PNP 300MW 45V SOT23-3
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 45V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA  ·  Ток коллектора (макс): 100mA  ·  Ток отсечки коллетора (vfrc): 15nA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V  ·  Мощность макcимальная: 300mW  ·  Модуляция частот: 200MHz  ·  Тип транзистора: PNP  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SOT-23-3
from 0,00
to 0,00
Additional information
Find at suppliers
Buy in store
BC857A-7-FDiodes IncTRANS BIPO PNP 300MW 45V SOT23-3
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 45V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA  ·  Ток коллектора (макс): 100mA  ·  Ток отсечки коллетора (vfrc): 15nA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 125 @ 2mA, 5V  ·  Мощность макcимальная: 300mW  ·  Модуляция частот: 200MHz  ·  Тип транзистора: PNP  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SOT-23-3
from 0,00
to 0,00
Additional information
Find at suppliers
Buy in store
← Ctrl  1 ... 891011121314 ... 359  Ctrl →

© 2006 — 2024 ChipFind Ltd.
Contact phone, e-mail, ICQ
Catalog with parameters for 1,401,534 components RegisterAdvertising