Log in Register |
Photo | Name | Manufacturer | Technical parameters | Prices (rub.) | Buy |
UNR92A5G0L | Panasonic - SSG | TRANS NPN W/RES 160HFE SSMINI 3P Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Сопротивление базы (Ом): 10K · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA · Ток коллектора (макс): 80mA · Ток отсечки коллетора (vfrc): 500nA · Модуляция частот: 150MHz · Мощность макcимальная: 125mW · Тип транзистора: NPN - Pre-Biased · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SS Mini 3P | from 0,00 to 0,00 | Additional information Find at suppliers Buy in store | |
UNR92A6G0L | Panasonic - SSG | TRANS NPN W/RES 160HFE SSMINI 3P Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Сопротивление базы (Ом): 4.7K · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA · Ток коллектора (макс): 80mA · Ток отсечки коллетора (vfrc): 500nA · Модуляция частот: 150MHz · Мощность макcимальная: 125mW · Тип транзистора: NPN - Pre-Biased · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SS Mini 3P | from 0,00 to 0,00 | Additional information Find at suppliers Buy in store | |
UNR92A8G0L | Panasonic - SSG | TRANS NPN W/RES 20HFE SS-MINI 3P Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Сопротивление базы (Ом): 510 · Сопротивление эмитер - база (Ом): 5.1K · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 5mA, 10V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA · Ток коллектора (макс): 80mA · Ток отсечки коллетора (vfrc): 500nA · Модуляция частот: 150MHz · Мощность макcимальная: 125mW · Тип транзистора: NPN - Pre-Biased · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SS Mini 3P | from 0,00 to 0,00 | Additional information Find at suppliers Buy in store | |
UNR92A9G0L | Panasonic - SSG | TRANS NPN W/RES 30HFE SS-MINI 3P Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Сопротивление базы (Ом): 1K · Сопротивление эмитер - база (Ом): 10K · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 10V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA · Ток коллектора (макс): 80mA · Ток отсечки коллетора (vfrc): 500nA · Модуляция частот: 150MHz · Мощность макcимальная: 125mW · Тип транзистора: NPN - Pre-Biased · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SS Mini 3P | from 0,00 to 0,00 | Additional information Find at suppliers Buy in store | |
UNR92AEG0L | Panasonic - SSG | TRANS NPN W/RES 60HFE SS-MINI 3P Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Сопротивление базы (Ом): 47K · Сопротивление эмитер - база (Ом): 21K · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA · Ток коллектора (макс): 80mA · Ток отсечки коллетора (vfrc): 500nA · Модуляция частот: 150MHz · Мощность макcимальная: 125mW · Тип транзистора: NPN - Pre-Biased · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SS Mini 3P | from 0,00 to 0,00 | Additional information Find at suppliers Buy in store | |
UNR92AFG0L | Panasonic - SSG | TRANS NPN W/RES 30HFE SS-MINI 3P Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Сопротивление базы (Ом): 47K · Сопротивление эмитер - база (Ом): 100K · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 10V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA · Ток коллектора (макс): 80mA · Ток отсечки коллетора (vfrc): 500nA · Модуляция частот: 150MHz · Мощность макcимальная: 125mW · Тип транзистора: NPN - Pre-Biased · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SS Mini 3P | from 0,00 to 0,00 | Additional information Find at suppliers Buy in store | |
UNR92ALG0L | Panasonic - SSG | TRANS NPN W/RES 20HFE SS-MINI 3P Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Сопротивление базы (Ом): 4.7K · Сопротивление эмитер - база (Ом): 4.7K · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 5mA, 10V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA · Ток коллектора (макс): 80mA · Ток отсечки коллетора (vfrc): 500nA · Модуляция частот: 150MHz · Мощность макcимальная: 125mW · Тип транзистора: NPN - Pre-Biased · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SS Mini 3P | from 0,00 to 0,00 | Additional information Find at suppliers Buy in store | |
UNR92AMG0L | Panasonic - SSG | TRANS NPN W/RES 80HFE SS-MINI 3P Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Сопротивление базы (Ом): 2.2K · Сопротивление эмитер - база (Ом): 47K · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA · Ток коллектора (макс): 80mA · Ток отсечки коллетора (vfrc): 500nA · Модуляция частот: 150MHz · Мощность макcимальная: 125mW · Тип транзистора: NPN - Pre-Biased · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SS Mini 3P | from 0,00 to 0,00 | Additional information Find at suppliers Buy in store | |
UNR92ANG0L | Panasonic - SSG | TRANS NPN W/RES 80HFE SS-MINI 3P Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Сопротивление базы (Ом): 4.7K · Сопротивление эмитер - база (Ом): 47K · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA · Ток коллектора (макс): 80mA · Ток отсечки коллетора (vfrc): 500nA · Модуляция частот: 150MHz · Мощность макcимальная: 125mW · Тип транзистора: NPN - Pre-Biased · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SS Mini 3P | from 0,00 to 0,00 | Additional information Find at suppliers Buy in store | |
UNR92AVG0L | Panasonic - SSG | TRANS NPN W/RES 6HFE SS-MINI 3P Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Сопротивление базы (Ом): 2.2K · Сопротивление эмитер - база (Ом): 2.2K · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 6 @ 5mA, 10V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1.5mA, 10mA · Ток коллектора (макс): 80mA · Ток отсечки коллетора (vfrc): 500nA · Модуляция частот: 150MHz · Мощность макcимальная: 125mW · Тип транзистора: NPN - Pre-Biased · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SS Mini 3P | from 0,00 to 0,00 | Additional information Find at suppliers Buy in store | |
UNRF1A300A | Panasonic - SSG | TRANS PNP W/RES 80 HFE ML3-N2 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Сопротивление базы (Ом): 47K · Сопротивление эмитер - база (Ом): 47K · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA · Ток коллектора (макс): 80mA · Ток отсечки коллетора (vfrc): 500nA · Модуляция частот: 150MHz · Мощность макcимальная: 100mW · Тип транзистора: NPN - Pre-Biased · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 1006 leadless | from 0,00 to 0,00 | Additional information Find at suppliers Buy in store | |
UNRF1A400A | Panasonic - SSG | TRANS PNP W/RES 80 HFE LEADLESS Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Сопротивление базы (Ом): 10K · Сопротивление эмитер - база (Ом): 47K · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA · Ток коллектора (макс): 80mA · Ток отсечки коллетора (vfrc): 500nA · Модуляция частот: 80MHz · Мощность макcимальная: 100mW · Тип транзистора: PNP - Pre-Biased · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 1006 leadless | from 0,00 to 0,00 | Additional information Find at suppliers Buy in store | |
UNRF2A100A | Panasonic - SSG | TRANS NPN W/RES 35 HFE ML3-N2 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Сопротивление базы (Ом): 10K · Сопротивление эмитер - база (Ом): 10K · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA · Ток коллектора (макс): 80mA · Ток отсечки коллетора (vfrc): 500nA · Модуляция частот: 150MHz · Мощность макcимальная: 100mW · Тип транзистора: NPN - Pre-Biased · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 1006 leadless | from 0,00 to 0,00 | Additional information Find at suppliers Buy in store | |
UNRF2A300A | Panasonic - SSG | TRANS NPN W/RES 80HFE LEADLESS Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Сопротивление базы (Ом): 47K · Сопротивление эмитер - база (Ом): 47K · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA · Ток коллектора (макс): 80mA · Ток отсечки коллетора (vfrc): 500nA · Модуляция частот: 150MHz · Мощность макcимальная: 100mW · Тип транзистора: NPN - Pre-Biased · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 1006 leadless | from 0,00 to 0,00 | Additional information Find at suppliers Buy in store | |
UNRF2A700A | Panasonic - SSG | TRANS NPN W/RES 160 HFE ML3-N2 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Сопротивление базы (Ом): 22K · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA · Ток коллектора (макс): 80mA · Ток отсечки коллетора (vfrc): 500nA · Модуляция частот: 150MHz · Мощность макcимальная: 100mW · Тип транзистора: NPN - Pre-Biased · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 1006 leadless | from 0,00 to 0,00 | Additional information Find at suppliers Buy in store | |
UNRF2AN00A | Panasonic - SSG | TRANS NPN W/RES 80 HFE LEADLESS Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Сопротивление базы (Ом): 4.7K · Сопротивление эмитер - база (Ом): 47K · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA · Ток коллектора (макс): 80mA · Ток отсечки коллетора (vfrc): 500nA · Модуляция частот: 150MHz · Мощность макcимальная: 100mW · Тип транзистора: NPN - Pre-Biased · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 1006 leadless | from 0,00 to 0,00 | Additional information Find at suppliers Buy in store | |
UNRL11100A | Panasonic - SSG | TRANS PNP W/RES 35 HFE LEADLESS Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Сопротивление базы (Ом): 47K · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA · Ток коллектора (макс): 100mA · Ток отсечки коллетора (vfrc): 500nA · Модуляция частот: 80MHz · Мощность макcимальная: 150mW · Тип транзистора: PNP - Pre-Biased · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: ML4-N1 | from 0,00 to 0,00 | Additional information Find at suppliers Buy in store | |
UNRL11300A | Panasonic - SSG | TRANS PNP W/RES 80 HFE LEADLESS Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Сопротивление базы (Ом): 47K · Сопротивление эмитер - база (Ом): 47K · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA · Ток коллектора (макс): 100mA · Ток отсечки коллетора (vfrc): 500nA · Модуляция частот: 80MHz · Мощность макcимальная: 150mW · Тип транзистора: PNP - Pre-Biased · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: ML4-N1 | from 0,00 to 0,00 | Additional information Find at suppliers Buy in store | |
UNRL11500A | Panasonic - SSG | TRANS PNP W/RES 160 HFE LEADLESS Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Сопротивление базы (Ом): 10K · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA · Ток коллектора (макс): 100mA · Ток отсечки коллетора (vfrc): 500nA · Модуляция частот: 80MHz · Мощность макcимальная: 150mW · Тип транзистора: PNP - Pre-Biased · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: ML4-N1 | from 0,00 to 0,00 | Additional information Find at suppliers Buy in store | |
UNRL21100A | Panasonic - SSG | TRANS NPN W/RES 35 HFE LEADLESS Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Сопротивление базы (Ом): 10K · Сопротивление эмитер - база (Ом): 10K · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA · Ток коллектора (макс): 100mA · Ток отсечки коллетора (vfrc): 500nA · Модуляция частот: 150MHz · Мощность макcимальная: 150mW · Тип транзистора: NPN - Pre-Biased · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: ML4-N1 | from 0,00 to 0,00 | Additional information Find at suppliers Buy in store | |
UNRL21300A | Panasonic - SSG | TRANS NPN W/RES 80 HFE LEADLESS Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Сопротивление базы (Ом): 47K · Сопротивление эмитер - база (Ом): 47K · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA · Ток коллектора (макс): 100mA · Ток отсечки коллетора (vfrc): 500nA · Модуляция частот: 150MHz · Мощность макcимальная: 150mW · Тип транзистора: NPN - Pre-Biased · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: ML4-N1 | from 0,00 to 0,00 | Additional information Find at suppliers Buy in store | |
UNRL21500A | Panasonic - SSG | TRANS NPN W/RES 160 HFE LEADLESS Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Сопротивление базы (Ом): 10K · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA · Ток коллектора (макс): 100mA · Ток отсечки коллетора (vfrc): 500nA · Модуляция частот: 150MHz · Мощность макcимальная: 150mW · Тип транзистора: NPN - Pre-Biased · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: ML4-N1 | from 0,00 to 0,00 | Additional information Find at suppliers Buy in store | |
UP0KG8D00L | Panasonic - SSG | TRANS PNP WITH DIODE SSMINI-5 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Сопротивление базы (Ом): 47K · Сопротивление эмитер - база (Ом): 47K · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA · Ток коллектора (макс): 80mA · Ток отсечки коллетора (vfrc): 500nA · Модуляция частот: 80MHz · Мощность макcимальная: 125mW · Тип транзистора: PNP - Pre-Biased · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SS Mini 5P | from 0,00 to 0,00 | Additional information Find at suppliers Buy in store | |
XP0NG8A00L | Panasonic - SSG | TRANS PNP WITH DIODE SMINI-6 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Сопротивление базы (Ом): 4.7K · Сопротивление эмитер - база (Ом): 4.7K · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 5mA, 10V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA · Ток коллектора (макс): 100mA · Ток отсечки коллетора (vfrc): 500nA · Модуляция частот: 80MHz · Мощность макcимальная: 150mW · Тип транзистора: PNP - Pre-Biased + Diode · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: S-Mini 6P | from 0,00 to 0,00 | Additional information Find at suppliers Buy in store |
© 2006 — 2024 ChipFind Ltd. Contact phone, e-mail, ICQ |
Catalog with parameters for 1,401,534 components | Register • Advertising |