Log in    Register
ChipFind Component Selection Catalog
For example: transistor, max232, lt319a
  

Дискретные полупроводники  ·  Биполярные транзисторы (одиночные, Pre-Biased)
Производитель







Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.)






Сопротивление базы (Ом)














Сопротивление эмитер - база (Ом)





















Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce









































































Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic



































Ток коллектора (макс)













Ток отсечки коллетора (vfrc)




Модуляция частот













Мощность макcимальная





















Тип транзистора




Тип монтажа

Корпус









































 
PhotoNameManufacturerTechnical parametersPrices (rub.)Buy
DDTA144GE-7-FDDTA144GE-7-FDiodes IncTRANS PREBIASED PNP 150MW SOT523
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V  ·  Сопротивление эмитер - база (Ом): 47K  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA  ·  Ток коллектора (макс): 100mA  ·  Модуляция частот: 250MHz  ·  Мощность макcимальная: 150mW  ·  Тип транзистора: PNP - Pre-Biased  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SOT-523
from 0,00
to 0,00		Additional information
Find at suppliers
Buy in store
DDTD143EC-7-FDDTD143EC-7-FDiodes IncTRANS NPN 200MW R1/R2 SOT23-3
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V  ·  Сопротивление базы (Ом): 4.7K  ·  Сопротивление эмитер - база (Ом): 4.7K  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 47 @ 50mA, 5V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA  ·  Ток коллектора (макс): 500mA  ·  Модуляция частот: 200MHz  ·  Мощность макcимальная: 200mW  ·  Тип транзистора: NPN - Pre-Biased  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3
from 0,00Additional information
Find at suppliers
Buy in store
DDTC113TUA-7-FDDTC113TUA-7-FDiodes IncTRANS PREBIAS NPN 200MW SC70-3
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V  ·  Сопротивление базы (Ом): 1K  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA  ·  Ток коллектора (макс): 100mA  ·  Модуляция частот: 250MHz  ·  Мощность макcимальная: 200mW  ·  Тип транзистора: NPN - Pre-Biased  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SC-70-3, SOT-323-3
from 0,00
to 0,00		Additional information
Find at suppliers
Buy in store
DDTA143XKA-7-FDiodes IncTRANS PNP 200MW R1/R2 SC59-3
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V  ·  Сопротивление базы (Ом): 4.7K  ·  Сопротивление эмитер - база (Ом): 10K  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA  ·  Ток коллектора (макс): 100mA  ·  Модуляция частот: 250MHz  ·  Мощность макcимальная: 200mW  ·  Тип транзистора: PNP - Pre-Biased  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SC-59-3, SMT3, SOT-346, TO-236
from 0,00Additional information
Find at suppliers
Buy in store
DDTA115TCA-7-FDDTA115TCA-7-FDiodes IncTRANS PREBIAS PNP 200MW SOT23-3
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V  ·  Сопротивление базы (Ом): 100K  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 1V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 100µA, 1mA  ·  Ток коллектора (макс): 100mA  ·  Модуляция частот: 250MHz  ·  Мощность макcимальная: 200mW  ·  Тип транзистора: PNP - Pre-Biased  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3
from 0,00
to 0,00		Additional information
Find at suppliers
Buy in store
DDTC114WUA-7DDTC114WUA-7Diodes IncTRANS PREBIAS NPN 200MW SC70-3
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V  ·  Сопротивление базы (Ом): 10K  ·  Сопротивление эмитер - база (Ом): 4.7K  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 24 @ 10mA, 5V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA  ·  Ток коллектора (макс): 100mA  ·  Модуляция частот: 250MHz  ·  Мощность макcимальная: 200mW  ·  Тип транзистора: NPN - Pre-Biased  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SC-70-3, SOT-323-3
from 0,00
to 0,00		Additional information
Find at suppliers
Buy in store
DDTA144WCA-7-FDDTA144WCA-7-FDiodes IncTRANS PREBIAS PNP 200MW SOT23-3
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V  ·  Сопротивление базы (Ом): 47K  ·  Сопротивление эмитер - база (Ом): 22K  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 10mA, 5V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA  ·  Ток коллектора (макс): 100mA  ·  Модуляция частот: 250MHz  ·  Мощность макcимальная: 200mW  ·  Тип транзистора: PNP - Pre-Biased  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3
from 0,00
to 0,00		Additional information
Find at suppliers
Buy in store
DDTC122LE-7-FDDTC122LE-7-FDiodes IncTRANS PREBIASED NPN SOT523
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V  ·  Сопротивление базы (Ом): 220  ·  Сопротивление эмитер - база (Ом): 10K  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA  ·  Ток коллектора (макс): 100mA  ·  Модуляция частот: 200MHz  ·  Мощность макcимальная: 150mW  ·  Тип транзистора: NPN - Pre-Biased  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SOT-523
from 0,00
to 0,00		Additional information
Find at suppliers
Buy in store
DDTC124TCA-7-FDDTC124TCA-7-FDiodes IncTRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V  ·  Сопротивление базы (Ом): 22K  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 5mA  ·  Ток коллектора (макс): 100mA  ·  Модуляция частот: 250MHz  ·  Мощность макcимальная: 200mW  ·  Тип транзистора: NPN - Pre-Biased  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3
from 0,00
to 0,00		Additional information
Find at suppliers
Buy in store
DDTA122TE-7-FDDTA122TE-7-FDiodes IncTRANS PREBIASED PNP 150MW SOT523
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V  ·  Сопротивление базы (Ом): 220  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 10mA, 5V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA  ·  Ток коллектора (макс): 100mA  ·  Модуляция частот: 200MHz  ·  Мощность макcимальная: 150mW  ·  Тип транзистора: PNP - Pre-Biased  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SOT-523
from 0,00
to 0,00		Additional information
Find at suppliers
Buy in store
DDTA144GCA-7-FDDTA144GCA-7-FDiodes IncTRANS PREBIAS PNP 200MW SOT23-3
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V  ·  Сопротивление эмитер - база (Ом): 47K  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA  ·  Ток коллектора (макс): 100mA  ·  Модуляция частот: 250MHz  ·  Мощность макcимальная: 200mW  ·  Тип транзистора: PNP - Pre-Biased  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3
from 0,00
to 0,00		Additional information
Find at suppliers
Buy in store
DDTC124TUA-7-FDDTC124TUA-7-FDiodes IncTRANS PREBIAS NPN 200MW SC70-3
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V  ·  Сопротивление базы (Ом): 22K  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 5mA  ·  Ток коллектора (макс): 100mA  ·  Модуляция частот: 250MHz  ·  Мощность макcимальная: 200mW  ·  Тип транзистора: NPN - Pre-Biased  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SC-70-3, SOT-323-3
from 0,00
to 0,00		Additional information
Find at suppliers
Buy in store
DDTC124XCA-7DDTC124XCA-7Diodes IncTRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V  ·  Сопротивление базы (Ом): 22K  ·  Сопротивление эмитер - база (Ом): 47K  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA  ·  Ток коллектора (макс): 100mA  ·  Модуляция частот: 250MHz  ·  Мощность макcимальная: 200mW  ·  Тип транзистора: NPN - Pre-Biased  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3
from 0,00
to 0,00		Additional information
Find at suppliers
Buy in store
DDTC143FE-7DDTC143FE-7Diodes IncTRANS PREBIASED NPN 150MW SOT523
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V  ·  Сопротивление базы (Ом): 4.7K  ·  Сопротивление эмитер - база (Ом): 22K  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 10mA, 5V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA  ·  Ток коллектора (макс): 100mA  ·  Модуляция частот: 250MHz  ·  Мощность макcимальная: 150mW  ·  Тип транзистора: NPN - Pre-Biased  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SOT-523
from 0,00
to 0,00		Additional information
Find at suppliers
Buy in store
DDTA144ELP-7DDTA144ELP-7Diodes IncTRANS PNP PRE BIAS 3-DFN
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V  ·  Сопротивление базы (Ом): 47K  ·  Сопротивление эмитер - база (Ом): 47K  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 10mA, 5V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 1mA, 10mA  ·  Ток коллектора (макс): 100mA  ·  Модуляция частот: 250MHz  ·  Мощность макcимальная: 250mW  ·  Тип транзистора: PNP - Pre-Biased  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: 3-DFN
from 0,00
to 0,00		Additional information
Find at suppliers
Buy in store
DDTA144WKA-7-FDiodes IncTRANS PNP 200MW R1/R2 SC59-3
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V  ·  Сопротивление базы (Ом): 47K  ·  Сопротивление эмитер - база (Ом): 22K  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 10mA, 5V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA  ·  Ток коллектора (макс): 30mA  ·  Модуляция частот: 250MHz  ·  Мощность макcимальная: 200mW  ·  Тип транзистора: PNP - Pre-Biased  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SC-59-3, SMT3, SOT-346, TO-236
from 0,00Additional information
Find at suppliers
Buy in store
DDTB122TC-7DDTB122TC-7Diodes IncTRANS PREBIAS PNP 200MW SOT23-3
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V  ·  Сопротивление базы (Ом): 220  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 5mA, 5V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA  ·  Ток коллектора (макс): 500mA  ·  Модуляция частот: 200MHz  ·  Мощность макcимальная: 200mW  ·  Тип транзистора: PNP - Pre-Biased  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3
from 0,00
to 0,00		Additional information
Find at suppliers
Buy in store
DDTC115GE-7-FDDTC115GE-7-FDiodes IncTRANS PREBIASED NPN 150MW SOT523
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V  ·  Сопротивление эмитер - база (Ом): 100K  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 82 @ 5mA, 5V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA  ·  Ток коллектора (макс): 100mA  ·  Модуляция частот: 250MHz  ·  Мощность макcимальная: 150mW  ·  Тип транзистора: NPN - Pre-Biased  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SOT-523
from 0,00
to 0,00		Additional information
Find at suppliers
Buy in store
DDTC144WCA-7-FDDTC144WCA-7-FDiodes IncTRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V  ·  Сопротивление базы (Ом): 47K  ·  Сопротивление эмитер - база (Ом): 22K  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 5mA, 5V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA  ·  Ток коллектора (макс): 100mA  ·  Модуляция частот: 250MHz  ·  Мощность макcимальная: 200mW  ·  Тип транзистора: NPN - Pre-Biased  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3
from 0,00
to 0,00		Additional information
Find at suppliers
Buy in store
DDTC144GCA-7DDTC144GCA-7Diodes IncTRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V  ·  Сопротивление эмитер - база (Ом): 47K  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA  ·  Ток коллектора (макс): 100mA  ·  Модуляция частот: 250MHz  ·  Мощность макcимальная: 200mW  ·  Тип транзистора: NPN - Pre-Biased  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3
from 0,00
to 0,00		Additional information
Find at suppliers
Buy in store
DDTA144WE-7-FDDTA144WE-7-FDiodes IncTRANS PREBIASED PNP 150MW SOT523
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V  ·  Сопротивление базы (Ом): 47K  ·  Сопротивление эмитер - база (Ом): 22K  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 10mA, 5V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA  ·  Ток коллектора (макс): 100mA  ·  Модуляция частот: 250MHz  ·  Мощность макcимальная: 150mW  ·  Тип транзистора: PNP - Pre-Biased  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SOT-523
from 0,00
to 0,00		Additional information
Find at suppliers
Buy in store
DDTB114GU-7-FDiodes IncTRANS PNP 200MW R1/2 SC70-3
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V  ·  Сопротивление эмитер - база (Ом): 10K  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 5mA, 5V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA  ·  Ток коллектора (макс): 500mA  ·  Модуляция частот: 200MHz  ·  Мощность макcимальная: 200mW  ·  Тип транзистора: PNP - Pre-Biased  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SC-70-3, SOT-323-3
from 0,00Additional information
Find at suppliers
Buy in store
DDTC143EUA-7DDTC143EUA-7Diodes IncTRANS PREBIAS NPN 200MW SC70-3
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V  ·  Сопротивление базы (Ом): 4.7K  ·  Сопротивление эмитер - база (Ом): 4.7K  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 10mA, 5V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA  ·  Ток коллектора (макс): 100mA  ·  Модуляция частот: 250MHz  ·  Мощность макcимальная: 200mW  ·  Тип транзистора: NPN - Pre-Biased  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SC-70-3, SOT-323-3
from 0,00Additional information
Find at suppliers
Buy in store
DDTC144VE-7-FDDTC144VE-7-FDiodes IncTRANS PREBIASED NPN 150MW SOT523
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V  ·  Сопротивление базы (Ом): 47K  ·  Сопротивление эмитер - база (Ом): 10K  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 33 @ 5mA, 5V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA  ·  Ток коллектора (макс): 100mA  ·  Модуляция частот: 250MHz  ·  Мощность макcимальная: 150mW  ·  Тип транзистора: NPN - Pre-Biased  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SOT-523
from 0,00
to 0,00		Additional information
Find at suppliers
Buy in store
DDTA144WE-7DDTA144WE-7Diodes IncTRANS PREBIASED PNP 150MW SOT523
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V  ·  Сопротивление базы (Ом): 47K  ·  Сопротивление эмитер - база (Ом): 22K  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 10mA, 5V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA  ·  Ток коллектора (макс): 100mA  ·  Модуляция частот: 250MHz  ·  Мощность макcимальная: 150mW  ·  Тип транзистора: PNP - Pre-Biased  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SOT-523
from 0,00
to 0,00		Additional information
Find at suppliers
Buy in store
← Ctrl  1 ... 567891011 ... 87  Ctrl →
© 2006 — 2024 ChipFind Ltd.
Contact phone, e-mail, ICQ		 Catalog with parameters for 1,401,534 components Register • Advertising