Log in Register |
Photo | Name | Manufacturer | Technical parameters | Prices (rub.) | Buy |
DDTA115EKA-7-F | Diodes Inc | TRANS PNP 200MW R1/R2 SC59-3 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Сопротивление базы (Ом): 100K · Сопротивление эмитер - база (Ом): 100K · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 82 @ 5mA, 5V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA · Ток коллектора (макс): 100mA · Модуляция частот: 250MHz · Мощность макcимальная: 200mW · Тип транзистора: PNP - Pre-Biased · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SC-59-3, SMT3, SOT-346, TO-236 | from 0,00 | Additional information Find at suppliers Buy in store | |
DDTA115EUA-7 | Diodes Inc | TRANS PREBIAS PNP 200MW SC70-3 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Сопротивление базы (Ом): 100K · Сопротивление эмитер - база (Ом): 100K · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 82 @ 5mA, 5V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA · Ток коллектора (макс): 100mA · Модуляция частот: 250MHz · Мощность макcимальная: 200mW · Тип транзистора: PNP - Pre-Biased · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SC-70-3, SOT-323-3 | from 0,00 to 0,00 | Additional information Find at suppliers Buy in store | |
DDTA115EUA-7-F | Diodes Inc | TRANS PREBIAS PNP 200MW SC70-3 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Сопротивление базы (Ом): 100K · Сопротивление эмитер - база (Ом): 100K · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 82 @ 5mA, 5V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA · Ток коллектора (макс): 100mA · Модуляция частот: 250MHz · Мощность макcимальная: 200mW · Тип транзистора: PNP - Pre-Biased · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SC-70-3, SOT-323-3 | from 0,00 to 0,00 | Additional information Find at suppliers Buy in store | |
DDTA115GCA-7 | Diodes Inc | TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT23-3 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Сопротивление эмитер - база (Ом): 100K · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 82 @ 5mA, 5V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA · Ток коллектора (макс): 100mA · Модуляция частот: 250MHz · Мощность макcимальная: 200mW · Тип транзистора: PNP - Pre-Biased · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 | from 0,00 to 0,00 | Additional information Find at suppliers Buy in store | |
DDTA115GCA-7-F | Diodes Inc | TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT23-3 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Сопротивление эмитер - база (Ом): 100K · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 82 @ 5mA, 5V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA · Ток коллектора (макс): 100mA · Модуляция частот: 250MHz · Мощность макcимальная: 200mW · Тип транзистора: PNP - Pre-Biased · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 | from 0,00 to 0,00 | Additional information Find at suppliers Buy in store | |
DDTA115GE-7-F | Diodes Inc | TRANS PREB PNP 150MW R1/2 SOT523 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Сопротивление эмитер - база (Ом): 100K · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 82 @ 5mA, 5V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA · Ток коллектора (макс): 100mA · Модуляция частот: 250MHz · Мощность макcимальная: 150mW · Тип транзистора: PNP - Pre-Biased · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-523 | from 0,00 | Additional information Find at suppliers Buy in store | |
DDTA115GKA-7-F | Diodes Inc | TRANS PREBIAS PNP 200MW SC59-3 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Сопротивление эмитер - база (Ом): 100K · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 82 @ 5mA, 5V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA · Ток коллектора (макс): 100mA · Модуляция частот: 250MHz · Мощность макcимальная: 200mW · Тип транзистора: PNP - Pre-Biased · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SC-59-3, SMT3, SOT-346, TO-236 | from 0,00 | Additional information Find at suppliers Buy in store | |
DDTA115GUA-7 | Diodes Inc | TRANS PREBIAS PNP 200MW SC70-3 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Сопротивление эмитер - база (Ом): 100K · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 82 @ 5mA, 5V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA · Ток коллектора (макс): 100mA · Модуляция частот: 250MHz · Мощность макcимальная: 200mW · Тип транзистора: PNP - Pre-Biased · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SC-70-3, SOT-323-3 | from 0,00 to 0,00 | Additional information Find at suppliers Buy in store | |
DDTA115GUA-7-F | Diodes Inc | TRANS PREBIAS PNP 200MW SC70-3 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Сопротивление эмитер - база (Ом): 100K · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 82 @ 5mA, 5V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA · Ток коллектора (макс): 100mA · Модуляция частот: 250MHz · Мощность макcимальная: 200mW · Тип транзистора: PNP - Pre-Biased · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SC-70-3, SOT-323-3 | from 0,00 to 0,00 | Additional information Find at suppliers Buy in store | |
DDTA115TCA-7 | Diodes Inc | TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT23-3 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Сопротивление базы (Ом): 100K · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 100µA, 1mA · Ток коллектора (макс): 100mA · Модуляция частот: 250MHz · Мощность макcимальная: 200mW · Тип транзистора: PNP - Pre-Biased · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 | from 0,00 to 0,00 | Additional information Find at suppliers Buy in store | |
DDTA115TCA-7-F | Diodes Inc | TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT23-3 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Сопротивление базы (Ом): 100K · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 1V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 100µA, 1mA · Ток коллектора (макс): 100mA · Модуляция частот: 250MHz · Мощность макcимальная: 200mW · Тип транзистора: PNP - Pre-Biased · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 | from 0,00 to 0,00 | Additional information Find at suppliers Buy in store | |
DDTA115TE-7-F | Diodes Inc | TRANS PREB PNP 150MW R1/2 SOT523 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Сопротивление базы (Ом): 100K · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 100µA, 1mA · Ток коллектора (макс): 100mA · Модуляция частот: 250MHz · Мощность макcимальная: 150mW · Тип транзистора: PNP - Pre-Biased · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-523 | from 0,00 | Additional information Find at suppliers Buy in store | |
DDTA115TKA-7-F | Diodes Inc | TRANS PREBIAS PNP 200MW SC59-3 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Сопротивление базы (Ом): 100K · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 100µA, 1mA · Ток коллектора (макс): 100mA · Модуляция частот: 250MHz · Мощность макcимальная: 200mW · Тип транзистора: PNP - Pre-Biased · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SC-59-3, SMT3, SOT-346, TO-236 | from 0,00 | Additional information Find at suppliers Buy in store | |
DDTA115TUA-7 | Diodes Inc | TRANS PREBIAS PNP 200MW SC70-3 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Сопротивление базы (Ом): 100K · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 100µA, 1mA · Ток коллектора (макс): 100mA · Модуляция частот: 250MHz · Мощность макcимальная: 200mW · Тип транзистора: PNP - Pre-Biased · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SC-70-3, SOT-323-3 | from 0,00 to 0,00 | Additional information Find at suppliers Buy in store | |
DDTA115TUA-7-F | Diodes Inc | TRANS PREBIAS PNP 200MW SC70-3 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Сопротивление базы (Ом): 100K · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 100µA, 1mA · Ток коллектора (макс): 100mA · Модуляция частот: 250MHz · Мощность макcимальная: 200mW · Тип транзистора: PNP - Pre-Biased · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SC-70-3, SOT-323-3 | from 0,00 to 0,00 | Additional information Find at suppliers Buy in store | |
DDTA122LE-7 | Diodes Inc | TRANS PREBIASED PNP SOT-523 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Сопротивление базы (Ом): 220 · Сопротивление эмитер - база (Ом): 10K · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 10mA, 5V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA · Ток коллектора (макс): 100mA · Модуляция частот: 200MHz · Мощность макcимальная: 150mW · Тип транзистора: PNP - Pre-Biased · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-523 | from 0,00 to 0,00 | Additional information Find at suppliers Buy in store | |
DDTA122LE-7-F | Diodes Inc | TRANS PREBIASED PNP SOT523 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Сопротивление базы (Ом): 220 · Сопротивление эмитер - база (Ом): 10K · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 10mA, 5V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA · Ток коллектора (макс): 100mA · Модуляция частот: 200MHz · Мощность макcимальная: 150mW · Тип транзистора: PNP - Pre-Biased · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-523 | from 0,00 to 0,00 | Additional information Find at suppliers Buy in store | |
DDTA122LU-7 | Diodes Inc | TRANS PREBIASED PNP SC70-3 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Сопротивление базы (Ом): 220 · Сопротивление эмитер - база (Ом): 10K · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA · Ток коллектора (макс): 100mA · Модуляция частот: 200MHz · Мощность макcимальная: 200mW · Тип транзистора: PNP - Pre-Biased · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SC-70-3, SOT-323-3 | from 0,00 to 0,00 | Additional information Find at suppliers Buy in store | |
DDTA122LU-7-F | Diodes Inc | TRANS PREBIASED PNP SC70-3 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Сопротивление базы (Ом): 220 · Сопротивление эмитер - база (Ом): 10K · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA · Ток коллектора (макс): 100mA · Модуляция частот: 200MHz · Мощность макcимальная: 200mW · Тип транзистора: PNP - Pre-Biased · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SC-70-3, SOT-323-3 | from 0,00 to 0,00 | Additional information Find at suppliers Buy in store | |
DDTA122TE-7 | Diodes Inc | TRANS PREBIASED PNP 150MW SOT523 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Сопротивление базы (Ом): 220 · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 10mA, 5V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA · Ток коллектора (макс): 100mA · Модуляция частот: 200MHz · Мощность макcимальная: 150mW · Тип транзистора: PNP - Pre-Biased · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-523 | from 0,00 to 0,00 | Additional information Find at suppliers Buy in store | |
DDTA122TE-7-F | Diodes Inc | TRANS PREBIASED PNP 150MW SOT523 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Сопротивление базы (Ом): 220 · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 10mA, 5V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA · Ток коллектора (макс): 100mA · Модуляция частот: 200MHz · Мощность макcимальная: 150mW · Тип транзистора: PNP - Pre-Biased · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-523 | from 0,00 to 0,00 | Additional information Find at suppliers Buy in store | |
DDTA122TU-7 | Diodes Inc | TRANS PREBIASED PNP 200MW SC70-3 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Сопротивление базы (Ом): 220 · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA · Ток коллектора (макс): 100mA · Модуляция частот: 200MHz · Мощность макcимальная: 200mW · Тип транзистора: PNP - Pre-Biased · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SC-70-3, SOT-323-3 | from 0,00 to 0,00 | Additional information Find at suppliers Buy in store | |
DDTA122TU-7-F | Diodes Inc | TRANS PREBIASED PNP 200MW SC70-3 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Сопротивление базы (Ом): 220 · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA · Ток коллектора (макс): 100mA · Модуляция частот: 200MHz · Мощность макcимальная: 200mW · Тип транзистора: PNP - Pre-Biased · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SC-70-3, SOT-323-3 | from 0,00 to 0,00 | Additional information Find at suppliers Buy in store | |
DDTA123ECA-7 | Diodes Inc | TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT23-3 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Сопротивление базы (Ом): 2.2K · Сопротивление эмитер - база (Ом): 2.2K · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 20mA, 5V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA · Ток коллектора (макс): 100mA · Модуляция частот: 250MHz · Мощность макcимальная: 200mW · Тип транзистора: PNP - Pre-Biased · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 | from 0,00 to 0,00 | Additional information Find at suppliers Buy in store | |
DDTA123ECA-7-F | Diodes Inc | TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT23-3 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Сопротивление базы (Ом): 2.2K · Сопротивление эмитер - база (Ом): 2.2K · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 20mA, 5V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA · Ток коллектора (макс): 100mA · Модуляция частот: 250MHz · Мощность макcимальная: 200mW · Тип транзистора: PNP - Pre-Biased · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 | from 0,00 to 0,00 | Additional information Find at suppliers Buy in store |
© 2006 — 2024 ChipFind Ltd. Contact phone, e-mail, ICQ |
Catalog with parameters for 1,401,534 components | Register • Advertising |