Log in Register |
Photo | Name | Manufacturer | Technical parameters | Prices (rub.) | Buy |
XP0621300L | Panasonic - SSG | TRANS ARRAY NPN/NPN W/RES S MINI Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Сопротивление базы (Ом): 47K · Сопротивление эмитер - база (Ом): 47K · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA · Ток коллектора (макс): 100mA · Ток отсечки коллетора (vfrc): 500nA · Модуляция частот: 150MHz · Мощность макcимальная: 150mW · Тип транзистора: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) · Mounting Type: Surface Mount · Корпус: S-mini | from 0,00 to 0,00 | Additional information Find at suppliers Buy in store | |
XP0621400L | Panasonic - SSG | TRANS ARRAY NPN/NPN W/RES S MINI Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Сопротивление базы (Ом): 10K · Сопротивление эмитер - база (Ом): 2.1K · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA · Ток коллектора (макс): 100mA · Ток отсечки коллетора (vfrc): 500nA · Модуляция частот: 150MHz · Мощность макcимальная: 150mW · Тип транзистора: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) · Mounting Type: Surface Mount · Корпус: S-mini | from 0,00 to 0,00 | Additional information Find at suppliers Buy in store | |
XP0621500L | Panasonic - SSG | TRANS ARRAY NPN/NPN W/RES S MINI Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Сопротивление базы (Ом): 10K · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA · Ток коллектора (макс): 100mA · Ток отсечки коллетора (vfrc): 500nA · Модуляция частот: 150MHz · Мощность макcимальная: 150mW · Тип транзистора: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) · Mounting Type: Surface Mount · Корпус: S-mini | from 0,00 to 0,00 | Additional information Find at suppliers Buy in store | |
XP0621600L | Panasonic - SSG | TRANS ARRAY NPN/NPN W/RES SMINI6 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Сопротивление базы (Ом): 4.7K · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA · Ток коллектора (макс): 100mA · Ток отсечки коллетора (vfrc): 500nA · Модуляция частот: 150MHz · Мощность макcимальная: 150mW · Тип транзистора: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) · Mounting Type: Surface Mount · Корпус: S-Mini 6P | from 0,00 to 0,00 | Additional information Find at suppliers Buy in store |
© 2006 — 2024 ChipFind Ltd. Contact phone, e-mail, ICQ |
Catalog with parameters for 1,401,534 components | Register • Advertising |