Log in Register |
Photo | Name | Manufacturer | Technical parameters | Prices (rub.) | Buy |
MAT02EH | Analog Devices | IC TX MATCHED MONO DUAL LN TO-78 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 40В · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 100µA, 1mA · Ток коллектора (макс): 20mA · Модуляция частот: 200MHz · Тип транзистора: 2 NPN (Dual) · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-78-6 Metal Can | Additional information Find at suppliers Buy in store | ||
MAT01GHZ | Analog Devices | TRANS MATCHED MONO DUAL TO-78-6 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 45V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 0.1mA, 1mA · Ток коллектора (макс): 25mA · Ток отсечки коллетора (vfrc): 400pA · Мощность макcимальная: 500мВт · Модуляция частот: 450MHz · Тип транзистора: 2 NPN (Dual) · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-78-6 Metal Can | from 0,00 | Additional information Find at suppliers Buy in store | |
MAT03FHZ | Analog Devices | IC TRANS DUAL MATCHED PNP TO78-6 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 36V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 100µA, 1mA · Ток коллектора (макс): 20mA · Мощность макcимальная: 500мВт · Модуляция частот: 190MHz · Тип транзистора: 2 PNP (Dual) · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-78-6 Metal Can | from 0,00 to 0,00 | Additional information Find at suppliers Buy in store | |
SSM2210SZ | Analog Devices | IC TRANSISTOR AUDIO MATCH 8SOIC Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 40В · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 100µA, 1mA · Ток коллектора (макс): 20mA · Ток отсечки коллетора (vfrc): 500pA · Модуляция частот: 200MHz · Тип транзистора: 2 NPN (Dual) · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина) | Additional information Find at suppliers Buy in store | ||
SSM2210S-REEL | Analog Devices | IC TRANS AUDIO DUAL NPN 8-SOIC Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 40В · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 100µA, 1mA · Ток коллектора (макс): 20mA · Ток отсечки коллетора (vfrc): 500pA · Модуляция частот: 200MHz · Тип транзистора: 2 NPN (Dual) · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина) | Additional information Find at suppliers Buy in store | ||
SSM2210S | Analog Devices | IC TRANSISTOR AUDIO MATCH 8SOIC Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 40В · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 100µA, 1mA · Ток коллектора (макс): 20mA · Ток отсечки коллетора (vfrc): 500pA · Модуляция частот: 200MHz · Тип транзистора: 2 NPN (Dual) · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина) | Additional information Find at suppliers Buy in store | ||
MAT04FSZ | Analog Devices | IC TX MATCHED MONO QUAD 14-SOIC Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 40В · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 60mV @ 1mA, 100µA · Ток коллектора (макс): 30mA · Ток отсечки коллетора (vfrc): 5nA · Мощность макcимальная: 350mW · Модуляция частот: 300MHz · Тип транзистора: 2 NPN (Dual) · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 14-SOIC (3.9мм ширина), 14-SOL | Additional information Find at suppliers Buy in store | ||
MAT01AH | Analog Devices | IC TRANS DUAL MATCHED NPN TO78-6 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 45V · Ток коллектора (макс): 20mA · Модуляция частот: 450MHz · Тип транзистора: 2 NPN (Dual) · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-78-6 Metal Can | from 0,00 | Additional information Find at suppliers Buy in store | |
MAT04FP | Analog Devices | IC TX MATCHED MONO QUAD 14-DIP Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 40В · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 60mV @ 1mA, 100µA · Ток коллектора (макс): 30mA · Ток отсечки коллетора (vfrc): 5nA · Мощность макcимальная: 350mW · Модуляция частот: 300MHz · Тип транзистора: 4 NPN (Quad) · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: 14-DIP (300 mil) | Additional information Find at suppliers Buy in store | ||
MAT04FPZ | Analog Devices | IC TX MATCHED MONO QUAD 14-DIP Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 40В · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 60mV @ 1mA, 100µA · Ток коллектора (макс): 30mA · Ток отсечки коллетора (vfrc): 5nA · Мощность макcимальная: 350mW · Модуляция частот: 300MHz · Тип транзистора: 4 NPN (Quad) · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: 14-DIP (300 mil) | Additional information Find at suppliers Buy in store | ||
SSM2220PZ | Analog Devices | IC TRANS PNP AUDIO DUAL 8DIP Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 36V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 100µA, 1mA · Ток коллектора (макс): 20mA · Модуляция частот: 190MHz · Тип транзистора: 2 PNP (Dual) · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: 8-DIP (300 mil) | from 0,00 to 0,00 | Additional information Find at suppliers Buy in store | |
SSM2220S | Analog Devices | IC TRANS AUDIO DUAL PNP 8SOIC Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 36V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 100µA, 1mA · Ток коллектора (макс): 20mA · Модуляция частот: 190MHz · Тип транзистора: 2 PNP (Dual) · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина) | from 0,00 | Additional information Find at suppliers Buy in store | |
MAT04FS-REEL | Analog Devices | IC TRANS QUAD MATCHED NPN 14SOIC Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 40В · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 60mV @ 1mA, 100µA · Ток коллектора (макс): 30mA · Ток отсечки коллетора (vfrc): 5nA · Мощность макcимальная: 350mW · Модуляция частот: 300MHz · Тип транзистора: 2 NPN (Dual) · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 14-SOIC (3.9мм ширина), 14-SOL | Additional information Find at suppliers Buy in store | ||
SSM2210SZ-REEL | Analog Devices | IC TRANS AUDIO DUAL NPN 8SOIC TR Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 40В · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 100µA, 1mA · Ток коллектора (макс): 20mA · Ток отсечки коллетора (vfrc): 500pA · Модуляция частот: 200MHz · Тип транзистора: 2 NPN (Dual) · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина) | Additional information Find at suppliers Buy in store | ||
MAT02FH | Analog Devices | IC TRANS DUAL MATCHED NPN TO78-6 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 40В · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 100µA, 1mA · Ток коллектора (макс): 20mA · Модуляция частот: 200MHz · Тип транзистора: 2 NPN (Dual) · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-78-6 Metal Can | Additional information Find at suppliers Buy in store | ||
MAT04FSZ-REEL | Analog Devices | TRANSISTOR NPN QUAD MONO 14SOIC Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 40В · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 60mV @ 1mA, 100µA · Ток коллектора (макс): 30mA · Ток отсечки коллетора (vfrc): 5nA · Мощность макcимальная: 350mW · Модуляция частот: 300MHz · Тип транзистора: 2 NPN (Dual) · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 14-SOIC (3.9мм ширина), 14-SOL | Additional information Find at suppliers Buy in store | ||
MAT01AHZ | Analog Devices | IC TRANS DUAL MATCHED NPN TO-78 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 45V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 100µA, 1mA · Ток коллектора (макс): 25mA · Мощность макcимальная: 1.8W · Модуляция частот: 450MHz · Тип транзистора: 2 NPN (Dual) · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-78-6 Metal Can | from 0,00 | Additional information Find at suppliers Buy in store | |
MAT04FS | Analog Devices | IC TX MATCHED MONO QUAD 14-SOIC Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 40В · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 60mV @ 1mA, 100µA · Ток коллектора (макс): 30mA · Ток отсечки коллетора (vfrc): 5nA · Мощность макcимальная: 350mW · Модуляция частот: 300MHz · Тип транзистора: 2 NPN (Dual) · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 14-SOIC (3.9мм ширина), 14-SOL | Additional information Find at suppliers Buy in store | ||
SSM2220P | Analog Devices | IC TRANS AUDIO DUAL PNP 8DIP Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 36V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 100µA, 1mA · Ток коллектора (макс): 20mA · Модуляция частот: 190MHz · Тип транзистора: 2 PNP (Dual) · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: 8-DIP (300 mil) | Additional information Find at suppliers Buy in store | ||
MAT02FHZ | Analog Devices | IC TRANS DUAL MATCHED NPN TO-78 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 40В · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 100µA, 1mA · Ток коллектора (макс): 20mA · Ток отсечки коллетора (vfrc): 400pA · Мощность макcимальная: 1.8W · Модуляция частот: 200MHz · Тип транзистора: 2 NPN (Dual) · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-78-6 Metal Can | Additional information Find at suppliers Buy in store | ||
MAT03FH | Analog Devices | IC TRANS DUAL MATCHED PNP TO78-6 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 36V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 100µA, 1mA · Ток коллектора (макс): 20mA · Модуляция частот: 190MHz · Тип транзистора: 2 PNP (Dual) · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-78-6 Metal Can | from 0,00 | Additional information Find at suppliers Buy in store | |
SSM2210PZ | Analog Devices | IC TRANS AUDIO DUAL NPN 8-DIP Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 40В · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 100µA, 1mA · Ток коллектора (макс): 20mA · Ток отсечки коллетора (vfrc): 500pA · Модуляция частот: 200MHz · Тип транзистора: 2 NPN (Dual) · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: 8-DIP (300 mil) | Additional information Find at suppliers Buy in store | ||
MAT03EHZ | Analog Devices | IC TRANS DUAL MATCHED PNP TO78-6 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 36V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 100µA, 1mA · Ток коллектора (макс): 20mA · Мощность макcимальная: 500мВт · Модуляция частот: 190MHz · Тип транзистора: 2 PNP (Dual) · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-78-6 Metal Can | from 0,00 to 0,00 | Additional information Find at suppliers Buy in store | |
SSM2220SZ | Analog Devices | IC TRANS AUDIO DUAL PNP 8-SOIC Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 36V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 100µA, 1mA · Ток коллектора (макс): 20mA · Модуляция частот: 190MHz · Тип транзистора: 2 PNP (Dual) · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина) | from 0,00 to 0,00 | Additional information Find at suppliers Buy in store | |
MAT03EH | Analog Devices | IC TRANS DUAL MATCHED PNP TO78-6 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 36V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 100µA, 1mA · Ток коллектора (макс): 20mA · Мощность макcимальная: 500мВт · Модуляция частот: 190MHz · Тип транзистора: 2 PNP (Dual) · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-78-6 Metal Can | from 0,00 | Additional information Find at suppliers Buy in store |
© 2006 — 2024 ChipFind Ltd. Contact phone, e-mail, ICQ |
Catalog with parameters for 1,401,534 components | Register • Advertising |