Log in Register |
Photo | Name | Manufacturer | Technical parameters | Prices (rub.) | Buy |
FMY1AT148 | Rohm Semiconductor | TRANS NPN/PNP 50V 150MA SMT5 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 500mV, 400mV @ 5mA, 50mA · Ток коллектора (макс): 150mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V · Мощность макcимальная: 300mW · Модуляция частот: 140MHz, 180MHz · Тип транзистора: NPN, PNP · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SC-74-5, SOT-753 | from 0,00 to 0,00 | Additional information Find at suppliers Buy in store | |
FMY4AT148 | Rohm Semiconductor | TRANS NPN/PNP 50V 150MA SMT5 TR Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA · Ток коллектора (макс): 150mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V · Мощность макcимальная: 300mW · Модуляция частот: 140MHz · Тип транзистора: NPN, PNP · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SC-74-5, SOT-753 | from 0,00 | Additional information Find at suppliers Buy in store | |
FMY5T148 | Rohm Semiconductor | TRANS NPN/PNP 120V 50MA SMT5 TR Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 120V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA · Ток коллектора (макс): 50mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 2mA, 6V · Мощность макcимальная: 300mW · Модуляция частот: 140MHz · Тип транзистора: NPN, PNP · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SC-74-5, SOT-753 | from 0,00 | Additional information Find at suppliers Buy in store | |
FTM3725 | Fairchild Semiconductor | TRANSISTOR NPN 40V 1.2A 16SOIC Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 40В · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 30mA, 300mA · Ток коллектора (макс): 1.2A · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 100mA, 1V · Мощность макcимальная: 1Вт · Модуляция частот: 250MHz · Тип транзистора: 4 NPN (Quad) · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 16-SOIC (3.9мм ширина) | from 0,00 | Additional information Find at suppliers Buy in store | |
HBDM60V600W-7 | Diodes Inc | TRANS ARRAY NPN/PNP DUAL SOT-363 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 60V, 65V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA · Ток коллектора (макс): 600mA, 500mA · Мощность макcимальная: 200mW · Модуляция частот: 100MHz · Тип транзистора: NPN, PNP · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363 | from 0,00 to 0,00 | Additional information Find at suppliers Buy in store | |
HN1B01FDW1T1 | ON Semiconductor | TRANS BR NPN/PNP DUAL 60V SC74-6 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 300mV, 250mV @ 10mA, 100mA · Ток коллектора (макс): 200mA · Ток отсечки коллетора (vfrc): 1mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V · Мощность макcимальная: 380mW · Тип транзистора: NPN, PNP · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SC-74-6 | Additional information Find at suppliers Buy in store | ||
HN1B01FDW1T1G | ON Semiconductor | TRANS BR NPN/PNP DUAL 60V SC74-6 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 300mV, 250mV @ 10mA, 100mA · Ток коллектора (макс): 200mA · Ток отсечки коллетора (vfrc): 1mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V · Мощность макcимальная: 380mW · Тип транзистора: NPN, PNP · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SC-74-6 | from 0,00 | Additional information Find at suppliers Buy in store | |
IMT17-7 | Diodes Inc | TRANS PNP DUAL 50V 500MA SOT-26 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 50mA, 500mA · Ток коллектора (макс): 500mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 3V · Мощность макcимальная: 300mW · Модуляция частот: 200MHz · Тип транзистора: 2 PNP (Dual) · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-26 | from 0,00 | Additional information Find at suppliers Buy in store | |
IMT17T110 | Rohm Semiconductor | TRANS DUAL PNP 50V 500MA SOT-457 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 50mA, 500mA · Ток коллектора (макс): 500mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 3V · Мощность макcимальная: 300mW · Модуляция частот: 200MHz · Тип транзистора: 2 PNP (Dual) · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SC-74-6 | from 0,00 to 0,00 | Additional information Find at suppliers Buy in store | |
IMT1AT110 | Rohm Semiconductor | TRANS DUAL PNP 50V 150MA SOT-457 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA · Ток коллектора (макс): 150mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V · Мощность макcимальная: 300mW · Модуляция частот: 140MHz · Тип транзистора: 2 PNP (Dual) · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SC-74-6 | from 0,00 to 0,00 | Additional information Find at suppliers Buy in store | |
IMT2AT108 | Rohm Semiconductor | TRANS DUAL PNP 50V 150MA SOT-457 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA · Ток коллектора (макс): 150mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V · Мощность макcимальная: 300mW · Модуляция частот: 140MHz · Тип транзистора: 2 PNP (Dual) · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SC-74-6 | from 0,00 to 0,00 | Additional information Find at suppliers Buy in store | |
IMT3AT108 | Rohm Semiconductor | TRANS DUAL PNP 50V 150MA SOT-457 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA · Ток коллектора (макс): 150mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V · Мощность макcимальная: 300mW · Модуляция частот: 140MHz · Тип транзистора: 2 PNP (Dual) · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SC-74-6 | from 0,00 | Additional information Find at suppliers Buy in store | |
IMT4-7-F | Diodes Inc | TRANS BIPO PNP DUAL SOT-26 Тип транзистора: 2 PNP (Dual) · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-26 | from 0,00 | Additional information Find at suppliers Buy in store | |
IMT4T108 | Rohm Semiconductor | TRANS DUAL PNP 120V 50MA SOT-457 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 120V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA · Ток коллектора (макс): 50mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 2mA, 6V · Мощность макcимальная: 300mW · Модуляция частот: 140MHz · Тип транзистора: 2 PNP (Dual) · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SC-74-6 | from 0,00 to 0,00 | Additional information Find at suppliers Buy in store | |
IMX17T110 | Rohm Semiconductor | TRANS DUAL NPN 50V 500MA SOT-457 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 50mA, 500mA · Ток коллектора (макс): 500mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 3V · Мощность макcимальная: 300mW · Модуляция частот: 250MHz · Тип транзистора: 2 NPN (Dual) · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SC-74-6 | from 0,00 to 0,00 | Additional information Find at suppliers Buy in store | |
IMX1T110 | Rohm Semiconductor | TRANS DUAL NPN 50V 150MA SOT-457 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA · Ток коллектора (макс): 150mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V · Мощность макcимальная: 300mW · Модуляция частот: 180MHz · Тип транзистора: 2 NPN (Dual) · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SC-74-6 | from 0,00 to 0,00 | Additional information Find at suppliers Buy in store | |
IMX2T108 | Rohm Semiconductor | RANS DUAL NPN 50V 150MA SOT-457 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA · Ток коллектора (макс): 150mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V · Мощность макcимальная: 300mW · Модуляция частот: 180MHz · Тип транзистора: 2 NPN (Dual) · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SC-74-6 | from 0,00 to 0,00 | Additional information Find at suppliers Buy in store | |
IMX3T108 | Rohm Semiconductor | TRANS DUAL NPN 50V 150MA SOT-457 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA · Ток коллектора (макс): 150mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V · Мощность макcимальная: 300mW · Модуляция частот: 180MHz · Тип транзистора: 2 NPN (Dual) · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SC-74-6 | from 0,00 to 0,00 | Additional information Find at suppliers Buy in store | |
IMX4T108 | Rohm Semiconductor | TRANS DUAL NPN 20V 50MA SOT-457 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 20В · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 4mA, 20mA · Ток коллектора (макс): 50mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 27 @ 10mA, 10V · Мощность макcимальная: 300mW · Модуляция частот: 1.5GHz · Тип транзистора: 2 NPN (Dual) · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SC-74-6 | from 0,00 to 0,00 | Additional information Find at suppliers Buy in store | |
IMX5T108 | Rohm Semiconductor | TRANS DUAL NPN 11V 50MA SOT-457 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 11В · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 10mA · Ток коллектора (макс): 50mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 5mA, 10V · Мощность макcимальная: 300mW · Модуляция частот: 3.2GHz · Тип транзистора: 2 NPN (Dual) · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SC-74-6 | from 0,00 to 0,00 | Additional information Find at suppliers Buy in store | |
IMX8-7 | Diodes Inc | TRANSISTOR DUAL NPN 120V SOT-26 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 120V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA · Ток коллектора (макс): 50mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 2mA, 6V · Мощность макcимальная: 300mW · Модуляция частот: 140MHz · Тип транзистора: 2 NPN (Dual) · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-26 | from 0,00 to 0,00 | Additional information Find at suppliers Buy in store | |
IMX8-7-F | Diodes Inc | TRANSISTOR DUAL NPN 120V SOT26 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 120V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA · Ток коллектора (макс): 50mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 2mA, 6V · Мощность макcимальная: 300mW · Модуляция частот: 140MHz · Тип транзистора: 2 NPN (Dual) · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-26 | from 0,00 to 0,00 | Additional information Find at suppliers Buy in store | |
IMX8T108 | Rohm Semiconductor | TRANS DUAL NPN 120V 50MA SOT-457 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 120V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA · Ток коллектора (макс): 50mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 2mA, 6V · Мощность макcимальная: 300mW · Модуляция частот: 140MHz · Тип транзистора: 2 NPN (Dual) · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SC-74-6 | from 0,00 to 0,00 | Additional information Find at suppliers Buy in store | |
IMX9T110 | Rohm Semiconductor | TRANS DUAL NPN 20V 500MA SOT-457 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 20В · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 20mA, 500mA · Ток коллектора (макс): 500mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 560 @ 10mA, 3V · Мощность макcимальная: 300mW · Модуляция частот: 350MHz · Тип транзистора: 2 NPN (Dual) · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SC-74-6 | from 0,00 to 0,00 | Additional information Find at suppliers Buy in store | |
IMZ1AT108 | Rohm Semiconductor | TRANS NPN/PNP 50V 150MA SOT-457 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 400mV, 500mV @ 5mA, 50mA · Ток коллектора (макс): 150mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V · Мощность макcимальная: 300mW · Модуляция частот: 180MHz · Тип транзистора: NPN, PNP · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SC-74-6 | from 0,00 to 0,00 | Additional information Find at suppliers Buy in store |
© 2006 — 2024 ChipFind Ltd. Contact phone, e-mail, ICQ |
Catalog with parameters for 1,401,534 components | Register • Advertising |