Log in    Register
ChipFind Component Selection Catalog
For example: transistor, max232, lt319a
  

Дискретные полупроводники  ·  Транзисторы специального назначения
Производитель









Серия

Сфера применения





Тип транзистора
















Номинальное напряжение






























Номинал тока





























Тип монтажа


Корпус

















 
PhotoNameManufacturerTechnical parametersPrices (rub.)Buy
STE50DE100STE50DE100STMicroelectronicsTRANSISTOR EMIT 1000V 50A ISOTOP
Тип транзистора: NPN - Emitter Switched Bipolar  ·  Номинальное напряжение: 1000V (1kV)  ·  Номинал тока: 50A  ·  Тип монтажа: Chassis Mount  ·  Корпус: ISOTOP
from 0,00
to 0,00		Additional information
Find at suppliers
Buy in store
STE07DE220STE07DE220STMicroelectronicsTRANS PWR MOD ESBT 7A ISOTOP
Сфера применения: Gate Driver  ·  Тип транзистора: NPN - Emitter Switched Bipolar  ·  Номинальное напряжение: 2200V (2.2kV)  ·  Номинал тока: 7A  ·  Тип монтажа: Chassis Mount  ·  Корпус: ISOTOP
from 0,00
to 0,00		Additional information
Find at suppliers
Buy in store
STP12IE90F4STMicroelectronicsTRANS BIPO EMITTER SW TO-220FP-4
Серия: ESBT®  ·  Сфера применения: Gate Driver  ·  Тип транзистора: NPN - Emitter Switched Bipolar  ·  Номинальное напряжение: 900V  ·  Номинал тока: 12A  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-220-4 Full Pack (Straight Leads)
from 0,00Additional information
Find at suppliers
Buy in store
STC20DE90HPSTC20DE90HPSTMicroelectronicsMOSFET ESBT 900V 20A TO247-4
Сфера применения: General Purpose  ·  Тип транзистора: NPN - Emitter Switched Bipolar  ·  Номинальное напряжение: 900V  ·  Номинал тока: 20A  ·  Тип монтажа: Through Hole
from 0,00
to 0,00		Additional information
Find at suppliers
Buy in store
STC08IE120HVSTC08IE120HVSTMicroelectronicsTRANS ESBT 1200V 8A TO247-4LHV
Серия: ESBT®  ·  Сфера применения: Gate Driver  ·  Тип транзистора: NPN - Emitter Switched Bipolar  ·  Номинальное напряжение: 1200V (1.2kV)  ·  Номинал тока: 8A  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-247
from 0,00Additional information
Find at suppliers
Buy in store
STC03DE170STMicroelectronicsTRANS ESBT 1700V 3A TO-247-4L
Серия: ESBT®  ·  Сфера применения: Gate Driver  ·  Тип транзистора: NPN - Emitter Switched Bipolar  ·  Номинальное напряжение: 1700V (1.7kV)  ·  Номинал тока: 3A  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-247
Additional information
Find at suppliers
Buy in store
STC04IE170HVSTC04IE170HVSTMicroelectronicsTRANS ESBT 1700V 4A TO247-4LHV
Сфера применения: Gate Driver  ·  Тип транзистора: NPN - Emitter Switched Bipolar  ·  Номинальное напряжение: 1700V (1.7kV)  ·  Номинал тока: 4A  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-247-4 Modified
from 0,00
to 0,00		Additional information
Find at suppliers
Buy in store
STC03DE220HPSTC03DE220HPSTMicroelectronicsTRANS ESBT 2200V 3A BIPO TO247-4
Серия: ESBT®  ·  Сфера применения: Gate Driver  ·  Тип транзистора: NPN - Emitter Switched Bipolar  ·  Номинальное напряжение: 2200V (2.2kV)  ·  Номинал тока: 3A  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-247
from 0,00
to 0,00		Additional information
Find at suppliers
Buy in store
STC04IE170HPSTC04IE170HPSTMicroelectronicsTRANS ESBT 1700V 4A TO247-4LHP
Сфера применения: Gate Driver  ·  Тип транзистора: NPN - Emitter Switched Bipolar  ·  Номинальное напряжение: 1700V (1.7kV)  ·  Номинал тока: 4A  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-247-4 Modified
from 0,00
to 0,00		Additional information
Find at suppliers
Buy in store
STC03DE170HVSTC03DE170HVSTMicroelectronicsTRANS ESBT 1700V 3A TO247-4LHV
Серия: ESBT®  ·  Сфера применения: Gate Driver  ·  Тип транзистора: NPN - Emitter Switched Bipolar  ·  Номинальное напряжение: 1700V (1.7kV)  ·  Номинал тока: 3A  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-247
from 0,00
to 0,00		Additional information
Find at suppliers
Buy in store
STC08DE150HVSTMicroelectronicsTRANS ESBT 1500V 8A TO247-4LHV
Серия: ESBT®  ·  Сфера применения: Gate Driver  ·  Тип транзистора: NPN - Emitter Switched Bipolar  ·  Номинальное напряжение: 1500V  ·  Номинал тока: 8A  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-247-4 Modified
from 0,00
to 0,00		Additional information
Find at suppliers
Buy in store
TPCP8J01(TE85L,F)ToshibaMOSFET N/P-CH 32V 2-3V1G
Сфера применения: General Purpose  ·  Тип транзистора: NPN Pre-Biased, P-Channel Pre-Biased  ·  Номинальное напряжение: 50V NPN, 32V P-Channel  ·  Номинал тока: 100mA PNP, 5.5A P-Channel  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж
from 0,00Additional information
Find at suppliers
Buy in store
← Ctrl  1234next  Ctrl →
© 2006 — 2024 ChipFind Ltd.
Contact phone, e-mail, ICQ		 Catalog with parameters for 1,401,534 components Register • Advertising