Log in    Register
ChipFind Component Selection Catalog
For example: transistor, max232, lt319a
 

Дискретные полупроводники  ·  Высокочастотные транзисторы (BJT)

Производитель
















Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.)








































Модуляция частот













































































Коэфицент шума (dB Typ @ f)


































































































































































Усиление


































































































































Мощность макcимальная



























































































Тип транзистора







Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce























































































































































































Ток коллектора (макс)






















































Тип монтажа


Корпус









































































 
PhotoNameManufacturerTechnical parametersPrices (rub.)Buy
BFS17SE6327Infineon TechnologiesDUAL NPN TRANS RADIO FREQ BROAD
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 15V  ·  Модуляция частот: 2.5GHz  ·  Коэфицент шума (dB Typ @ f): 3dB ~ 5dB @ 800MHz  ·  Мощность макcимальная: 280mW  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 2mA, 1V  ·  Ток коллектора (макс): 25mA  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363  ·  Compression Point (P1dB): 11dBm
from 0,00Additional information
Find at suppliers
Buy in store
NE52418-T1-ANECIC AMP HBT GAAS LN 4-SMINI
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 5V  ·  Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1dB ~ 1.5dB @ 2GHz  ·  Усиление: 14dB ~ 16dB  ·  Мощность макcимальная: 150mW  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 3mA, 2V  ·  Ток коллектора (макс): 40mA  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: S-Mini 4P
from 0,00Additional information
Find at suppliers
Buy in store
NE52418-ANECIC AMP HBT GAAS LN 4-SMINI
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 5V  ·  Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1dB ~ 1.5dB @ 2GHz  ·  Усиление: 14dB ~ 16dB  ·  Мощность макcимальная: 150mW  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 3mA, 2V  ·  Ток коллектора (макс): 40mA  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: S-Mini 4P
from 0,00Additional information
Find at suppliers
Buy in store
HSG1002VE-TL-ERenesas Technology AmericaIC AMP HBT SIGE 38GHZ MFPAK-4
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 3.5V  ·  Модуляция частот: 38GHz  ·  Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1.2dB ~ 1.8dB @ 5.8GHz  ·  Усиление: 1.95dB  ·  Мощность макcимальная: 200mW  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 5mA, 2V  ·  Ток коллектора (макс): 35mA  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: 4-MFP
Additional information
Find at suppliers
Buy in store
HFA3127R96IntersilIC TRANS ARRAY 5X NPN 16QFN
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 12В  ·  Модуляция частот: 8GHz  ·  Коэфицент шума (dB Typ @ f): 3.5dB @ 1GHz  ·  Мощность макcимальная: 150mW  ·  Тип транзистора: 5 NPN  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 10mA, 2V  ·  Ток коллектора (макс): 65mA  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: 16-QFN
Additional information
Find at suppliers
Buy in store
HFA3127RIntersilIC TRANS ARRAY 5X NPN 16QFN
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 12В  ·  Модуляция частот: 8GHz  ·  Коэфицент шума (dB Typ @ f): 3.5dB @ 1GHz  ·  Мощность макcимальная: 150mW  ·  Тип транзистора: 5 NPN  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 10mA, 2V  ·  Ток коллектора (макс): 65mA  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: 16-QFN
Additional information
Find at suppliers
Buy in store
HFA3127RZIntersilIC TRANS ARRAY 5X NPN 16-QFN
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 12В  ·  Модуляция частот: 8GHz  ·  Коэфицент шума (dB Typ @ f): 3.5dB @ 1GHz  ·  Мощность макcимальная: 150mW  ·  Тип транзистора: 5 NPN  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 10mA, 2V  ·  Ток коллектора (макс): 65mA  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: 16-QFN
from 0,00Additional information
Find at suppliers
Buy in store
HFA3127RZ96IntersilIC TRANS ARRAY 5X NPN 16-QFN
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 12В  ·  Модуляция частот: 8GHz  ·  Коэфицент шума (dB Typ @ f): 3.5dB @ 1GHz  ·  Мощность макcимальная: 150mW  ·  Тип транзистора: 5 NPN  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 10mA, 2V  ·  Ток коллектора (макс): 65mA  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: 16-QFN
from 0,00Additional information
Find at suppliers
Buy in store
HFA3128RIntersilIC TRANS ARRAY 5X PND 16QFN
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 12В  ·  Модуляция частот: 8GHz  ·  Коэфицент шума (dB Typ @ f): 3.5dB @ 1GHz  ·  Мощность макcимальная: 150mW  ·  Тип транзистора: 5 PNP  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 10mA, 2V  ·  Ток коллектора (макс): 65mA  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: 16-QFN
Additional information
Find at suppliers
Buy in store
HFA3128R96IntersilIC TRANS ARRAY 5X PND 16QFN
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 12В  ·  Модуляция частот: 8GHz  ·  Коэфицент шума (dB Typ @ f): 3.5dB @ 1GHz  ·  Мощность макcимальная: 150mW  ·  Тип транзистора: 5 PNP  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 10mA, 2V  ·  Ток коллектора (макс): 65mA  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: 16-QFN
Additional information
Find at suppliers
Buy in store
HFA3102BZ96HFA3102BZ96IntersilIC TRANS ARRAY DUAL NPN 14-SOIC
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 12В  ·  Модуляция частот: 10GHz  ·  Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1.8dB ~ 2.1dB @ 500MHz ~ 1GHz  ·  Усиление: 17.5dB ~ 12.4dB  ·  Мощность макcимальная: 250mW  ·  Тип транзистора: 2 NPN (Dual)  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 10mA, 3V  ·  Ток коллектора (макс): 30mA  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: 14-SOIC (3.9мм ширина), 14-SOL
from 0,00
to 0,00
Additional information
Find at suppliers
Buy in store
HFA3102B96HFA3102B96IntersilIC TRANS ARRAY DUAL NPN 14-SOIC
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 12В  ·  Модуляция частот: 10GHz  ·  Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1.8dB ~ 2.1dB @ 500MHz ~ 1GHz  ·  Усиление: 17.5dB ~ 12.4dB  ·  Мощность макcимальная: 250mW  ·  Тип транзистора: 2 NPN (Dual)  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 10mA, 3V  ·  Ток коллектора (макс): 30mA  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: 14-SOIC (3.9мм ширина), 14-SOL
Additional information
Find at suppliers
Buy in store
HFA3102BZHFA3102BZIntersilIC TRANS ARRAY DUAL NPN 14-SOIC
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 12В  ·  Модуляция частот: 10GHz  ·  Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1.8dB ~ 2.1dB @ 500MHz ~ 1GHz  ·  Усиление: 17.5dB ~ 12.4dB  ·  Мощность макcимальная: 250mW  ·  Тип транзистора: 2 NPN (Dual)  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 10mA, 3V  ·  Ток коллектора (макс): 30mA  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: 14-SOIC (3.9мм ширина), 14-SOL
from 0,00Additional information
Find at suppliers
Buy in store
HFA3127B96HFA3127B96IntersilIC TRANS ARRAY NPN 16-SOIC
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 12В  ·  Модуляция частот: 8GHz  ·  Коэфицент шума (dB Typ @ f): 3.5dB @ 1GHz  ·  Мощность макcимальная: 150mW  ·  Тип транзистора: 5 NPN  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 10mA, 2V  ·  Ток коллектора (макс): 65mA  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: 16-SOIC (3.9мм ширина)
from 0,00Additional information
Find at suppliers
Buy in store
HFA3127BZ96HFA3127BZ96IntersilIC TRANS ARRAY NPN 16-SOIC
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 12В  ·  Модуляция частот: 8GHz  ·  Коэфицент шума (dB Typ @ f): 3.5dB @ 1GHz  ·  Мощность макcимальная: 150mW  ·  Тип транзистора: 5 NPN  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 10mA, 2V  ·  Ток коллектора (макс): 65mA  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: 16-SOIC (3.9мм ширина)
from 0,00Additional information
Find at suppliers
Buy in store
HFA3046BZ96HFA3046BZ96IntersilIC TRANS ARRAY NPN DIFF 14-SOIC
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 12В  ·  Модуляция частот: 8GHz  ·  Коэфицент шума (dB Typ @ f): 3.5dB @ 1GHz  ·  Мощность макcимальная: 150mW  ·  Тип транзистора: 5 NPN  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 10mA, 2V  ·  Ток коллектора (макс): 65mA  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: 14-SOIC (3.9мм ширина), 14-SOL
from 0,00Additional information
Find at suppliers
Buy in store
HFA3046B96HFA3046B96IntersilIC TRANS ARRAY NPN DIFF 14-SOIC
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 12В  ·  Модуляция частот: 8GHz  ·  Коэфицент шума (dB Typ @ f): 3.5dB @ 1GHz  ·  Мощность макcимальная: 150mW  ·  Тип транзистора: 5 NPN  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 10mA, 2V  ·  Ток коллектора (макс): 65mA  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: 14-SOIC (3.9мм ширина), 14-SOL
from 0,00Additional information
Find at suppliers
Buy in store
HFA3134IHZ96HFA3134IHZ96IntersilIC TRANS ARRAY NPN MATCH SOT23-6
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 9V  ·  Модуляция частот: 8.5GHz  ·  Коэфицент шума (dB Typ @ f): 2.4dB @ 1GHz  ·  Тип транзистора: 2 NPN (Dual)  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 48 @ 10mA, 2V  ·  Ток коллектора (макс): 14mA  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SOT-23-6
from 0,00Additional information
Find at suppliers
Buy in store
HFA3096BHFA3096BIntersilIC TRANS ARRAY NPN/PNP 16-SOIC
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 12V, 15V  ·  Модуляция частот: 8GHz  ·  Коэфицент шума (dB Typ @ f): 3.5dB @ 1GHz  ·  Мощность макcимальная: 150mW  ·  Тип транзистора: 3 NPN + 2 PNP  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 10mA, 2V  ·  Ток коллектора (макс): 65mA  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: 16-SOIC (3.9мм ширина)
Additional information
Find at suppliers
Buy in store
HFA3096BZ96HFA3096BZ96IntersilIC TRANS ARRAY NPN/PNP 16-SOIC
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 12V, 15V  ·  Модуляция частот: 8GHz  ·  Коэфицент шума (dB Typ @ f): 3.5dB @ 1GHz  ·  Мощность макcимальная: 150mW  ·  Тип транзистора: 3 NPN + 2 PNP  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 10mA, 2V  ·  Ток коллектора (макс): 65mA  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: 16-SOIC (3.9мм ширина)
from 0,00Additional information
Find at suppliers
Buy in store
HFA3096B96HFA3096B96IntersilIC TRANS ARRAY NPN/PNP 16-SOIC
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 12V, 15V  ·  Модуляция частот: 8GHz  ·  Коэфицент шума (dB Typ @ f): 3.5dB @ 1GHz  ·  Мощность макcимальная: 150mW  ·  Тип транзистора: 3 NPN + 2 PNP  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 10mA, 2V  ·  Ток коллектора (макс): 65mA  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: 16-SOIC (3.9мм ширина)
from 0,00Additional information
Find at suppliers
Buy in store
HFA3135IHZ96HFA3135IHZ96IntersilIC TRANS ARRAY PNP MATCH SOT23-6
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 9V  ·  Модуляция частот: 8.5GHz  ·  Коэфицент шума (dB Typ @ f): 2.4dB @ 1GHz  ·  Тип транзистора: 2 PNP (Dual)  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 48 @ 10mA, 2V  ·  Ток коллектора (макс): 14mA  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SOT-23-6
from 0,00Additional information
Find at suppliers
Buy in store
HFA3135IH96IntersilIC TRANS ARRAY PNP MATCH SOT23-6
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 9V  ·  Модуляция частот: 8.5GHz  ·  Коэфицент шума (dB Typ @ f): 2.4dB @ 1GHz  ·  Тип транзистора: 2 PNP (Dual)  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 48 @ 10mA, 2V  ·  Ток коллектора (макс): 14mA  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SOT-23-6
Additional information
Find at suppliers
Buy in store
AT-32011-TR1AT-32011-TR1Avago Technologies US Inc.IC TRANS NPN BIPOLAR SOT-143
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 5.5V  ·  Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1dB @ 900MHz  ·  Усиление: 12.5dB ~ 14dB  ·  Мощность макcимальная: 200mW  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 2mA, 2.7V  ·  Ток коллектора (макс): 32mA  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SOT-143, SOT-143B, TO-253AA
Additional information
Find at suppliers
Buy in store
AT-32011-TR1GAT-32011-TR1GAvago Technologies US Inc.IC TRANS NPN BIPOLAR SOT-143
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 5.5V  ·  Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1dB ~ 1.3dB @ 900MHz  ·  Усиление: 12.5dB ~ 14dB  ·  Мощность макcимальная: 200mW  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 2mA, 2.7V  ·  Ток коллектора (макс): 32mA  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SOT-143, SOT-143B, TO-253AA  ·  Compression Point (P1dB): 14.5dB
from 0,00Additional information
Find at suppliers
Buy in store
← Ctrl  previous12345678 ... 30  Ctrl →

© 2006 — 2024 ChipFind Ltd.
Contact phone, e-mail, ICQ
Catalog with parameters for 1,401,534 components RegisterAdvertising