Log in Register |
Photo | Name | Manufacturer | Technical parameters | Prices (rub.) | Buy |
BFG35,115 | NXP Semiconductors | TRANS NPN 10V 150MA SOT223 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 18В · Модуляция частот: 4GHz · Мощность макcимальная: 1Вт · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 100mA, 10V · Ток коллектора (макс): 150mA · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-223 (3 leads + Tab), SC-73, TO-261AA | from 0,00 | Additional information Find at suppliers Buy in store | |
BFG403W,115 | NXP Semiconductors | TRANS NPN 4.5V 17GHZ SOT343R Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 4.5V · Модуляция частот: 17GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1dB @ 900MHz · Усиление: 22dB · Мощность макcимальная: 16mW · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 3mA, 2V · Ток коллектора (макс): 3.6mA · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-343R · Compression Point (P1dB): -5dBm | from 0,00 to 0,00 | Additional information Find at suppliers Buy in store | |
BFG410W,115 | NXP Semiconductors | TRANS NPN 4.5V 22GHZ SOT343R Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 4.5V · Модуляция частот: 22GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1.2dB @ 2GHz · Усиление: 21dB · Мощность макcимальная: 54mW · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 2V · Ток коллектора (макс): 12mA · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-343R · Compression Point (P1dB): 5dBm | from 0,00 to 0,00 | Additional information Find at suppliers Buy in store | |
BFG424F,115 | NXP Semiconductors | TRANS NPN 4.5V 25GHZ SOT343 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 4.5V · Модуляция частот: 25GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1.2dB @ 2GHz · Усиление: 23dB · Мощность макcимальная: 135mW · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 25mA, 2V · Ток коллектора (макс): 30mA · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-343F, SOT-343 Flat Leads · Compression Point (P1dB): 12dBm | from 0,00 to 0,00 | Additional information Find at suppliers Buy in store | |
BFG424W,115 | NXP Semiconductors | TRANS NPN 10V 30MA SOT343R Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 4.5V · Модуляция частот: 25GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1.2dB @ 2GHz · Усиление: 18dB · Мощность макcимальная: 135mW · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 25mA, 2V · Ток коллектора (макс): 30mA · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-343R · Compression Point (P1dB): 12dBm | from 0,00 | Additional information Find at suppliers Buy in store | |
BFG425W,115 | NXP Semiconductors | TRANS NPN 4.5V 25GHZ SOT-343R Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 4.5V · Модуляция частот: 25GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1.2dB @ 2GHz · Усиление: 20dB · Мощность макcимальная: 135mW · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 25mA, 2V · Ток коллектора (макс): 30mA · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-343R | from 0,00 to 0,00 | Additional information Find at suppliers Buy in store | |
BFG480W,115 | NXP Semiconductors | TRANS NPN 4.5V 21GHZ SOT343R Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 4.5V · Модуляция частот: 21GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1.8dB @ 2GHz · Усиление: 16dB · Мощность макcимальная: 360mW · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 80mA, 2V · Ток коллектора (макс): 250mA · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-343R · Compression Point (P1dB): 20dBm | from 0,00 to 0,00 | Additional information Find at suppliers Buy in store | |
BFG505,215 | NXP Semiconductors | TRANS NPN 6V 18MA SOT343N Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 15V · Модуляция частот: 9GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1.2dB ~ 1.9dB @ 900MHz ~ 2GHz · Усиление: 16dB ~ 17dB · Мощность макcимальная: 150mW · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 6V · Ток коллектора (макс): 18mA · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-143, SOT-143B, TO-253AA | from 0,00 | Additional information Find at suppliers Buy in store | |
BFG505/X,215 | NXP Semiconductors | TRANS NPN 6V 18MA SOT343N Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 15V · Модуляция частот: 9GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1.2dB ~ 1.9dB @ 900MHz ~ 2GHz · Мощность макcимальная: 150mW · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 6V · Ток коллектора (макс): 18mA · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-143, SOT-143B, TO-253AA · Compression Point (P1dB): 4dBm | from 0,00 | Additional information Find at suppliers Buy in store | |
BFG520,215 | NXP Semiconductors | TRANS NPN 15V 9GHZ SOT143B Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 15V · Модуляция частот: 9GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1.6dB ~ 2.1dB @ 900MHz · Мощность макcимальная: 300mW · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 20mA, 6V · Ток коллектора (макс): 70mA · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-143, SOT-143B, TO-253AA · Compression Point (P1dB): 17dBm | from 0,00 | Additional information Find at suppliers Buy in store | |
BFG520W,115 | NXP Semiconductors | TRANS NPN 6V 70MA SOT343N Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 15V · Модуляция частот: 9GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1.1dB ~ 1.6dB @ 900MHz · Мощность макcимальная: 500мВт · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 20mA, 6V · Ток коллектора (макс): 70mA · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-343N · Compression Point (P1dB): 17dBm | from 0,00 | Additional information Find at suppliers Buy in store | |
BFG520W/X,115 | NXP Semiconductors | TRANS NPN 70MA 15V 9GHZ SOT343N Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 15V · Модуляция частот: 9GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1.1dB ~ 1.6dB @ 900MHz · Усиление: 16dB ~ 17dB · Мощность макcимальная: 500мВт · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 20mA, 6V · Ток коллектора (макс): 70mA · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-343N | from 0,00 to 0,00 | Additional information Find at suppliers Buy in store | |
BFG520/X,215 | NXP Semiconductors | TRANS NPN 6V 70MA SOT343N Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 15V · Модуляция частот: 9GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1.6dB ~ 2.1dB @ 900MHz · Мощность макcимальная: 300mW · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 20mA, 6V · Ток коллектора (макс): 70mA · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-143, SOT-143B, TO-253AA · Compression Point (P1dB): 17dBm | from 0,00 | Additional information Find at suppliers Buy in store | |
BFG520/XR,215 | NXP Semiconductors | TRANS NPN 6V 70MA SOT143B Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 15V · Модуляция частот: 9GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1.6dB ~ 2.1dB @ 900MHz · Мощность макcимальная: 300mW · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 20mA, 6V · Ток коллектора (макс): 70mA · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-143, SOT-143B, TO-253AA · Compression Point (P1dB): 17dBm | from 0,00 | Additional information Find at suppliers Buy in store | |
BFG540,215 | NXP Semiconductors | TRANS NPN 15V 9GHZ SOT143B Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 15V · Модуляция частот: 9GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1.9dB ~ 2.4dB @ 900MHz · Мощность макcимальная: 400мВт · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 40mA, 8V · Ток коллектора (макс): 120mA · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-143, SOT-143B, TO-253AA · Compression Point (P1dB): 21dBm | from 0,00 | Additional information Find at suppliers Buy in store | |
BFG540W,115 | NXP Semiconductors | TRANS NPN 8V 120MA SOT343N Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 15V · Модуляция частот: 9GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 2.1dB @ 2GHz · Усиление: 16dB · Мощность макcимальная: 500мВт · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 40mA, 8V · Ток коллектора (макс): 120mA · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-343N · Compression Point (P1dB): 21dBm | from 0,00 | Additional information Find at suppliers Buy in store | |
BFG540W/X,115 | NXP Semiconductors | TRANS WIDEBAND 9GHZ SOT-343 15V Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 15V · Модуляция частот: 9GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 2.1dB @ 2GHz · Усиление: 16dB · Мощность макcимальная: 500мВт · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 40mA, 8V · Ток коллектора (макс): 120mA · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-343N · Compression Point (P1dB): 21dBm | from 0,00 | Additional information Find at suppliers Buy in store | |
BFG540/X,215 | NXP Semiconductors | TRANS NPN 15V 9GHZ SOT143B Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 15V · Модуляция частот: 9GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1.3dB ~ 2.1dB @ 900MHz ~ 2GHz · Усиление: 18dB · Мощность макcимальная: 400мВт · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 40mA, 8V · Ток коллектора (макс): 120mA · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-143, SOT-143B, TO-253AA · Compression Point (P1dB): 21dBm | from 0,00 to 0,00 | Additional information Find at suppliers Buy in store | |
BFG540/XR,215 | NXP Semiconductors | TRANS NPN 15V 9GHZ SOT143B REV Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 15V · Модуляция частот: 9GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1.3dB ~ 1.8dB @ 900MHz · Усиление: 15dB ~ 16dB · Мощность макcимальная: 400мВт · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 40mA, 8V · Ток коллектора (макс): 120mA · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-143, SOT-143B, TO-253AA · Compression Point (P1dB): 21dBm | from 0,00 | Additional information Find at suppliers Buy in store | |
BFG541,115 | NXP Semiconductors | TRANS NPN 15V 9GHZ SOT223 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 15V · Модуляция частот: 9GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1.3dB ~ 1.8dB @ 900MHz · Усиление: 15dB ~ 9dB · Мощность макcимальная: 650мВт · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 40mA, 8V · Ток коллектора (макс): 120mA · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-223 (3 leads + Tab), SC-73, TO-261AA · Compression Point (P1dB): 21dBm | from 0,00 to 0,00 | Additional information Find at suppliers Buy in store | |
BFG590,215 | NXP Semiconductors | TRANS NPN 15V 200MA SOT143B Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 15V · Модуляция частот: 5GHz · Усиление: 13dB · Мощность макcимальная: 400мВт · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 35mA, 8V · Ток коллектора (макс): 200mA · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-143, SOT-143B, TO-253AA | from 0,00 | Additional information Find at suppliers Buy in store | |
BFG590/X,215 | NXP Semiconductors | TRANS NPN 15V 200MA SOT143B Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 15V · Модуляция частот: 5GHz · Усиление: 13dB · Мощность макcимальная: 400мВт · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 35mA, 8V · Ток коллектора (макс): 200mA · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-143, SOT-143B, TO-253AA | from 0,00 | Additional information Find at suppliers Buy in store | |
BFG591,115 | NXP Semiconductors | TRANS NPN 15V 7GHZ SOT-223 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 15V · Модуляция частот: 7GHz · Усиление: 13dB ~ 7.5dB · Мощность макcимальная: 2Вт · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 70mA, 8V · Ток коллектора (макс): 200mA · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-223 (3 leads + Tab), SC-73, TO-261AA | from 0,00 to 0,00 | Additional information Find at suppliers Buy in store | |
BFG67,215 | NXP Semiconductors | TRANS NPN 10V 8GHZ SOT143B Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 10V · Модуляция частот: 8GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1.3dB ~ 2.2dB @ 1GHz ~ 2GHz · Усиление: 17dB · Мощность макcимальная: 300mW · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 15mA, 5V · Ток коллектора (макс): 50mA · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-143, SOT-143B, TO-253AA | from 0,00 | Additional information Find at suppliers Buy in store | |
BFG67/X,215 | NXP Semiconductors | TRANS NPN 10V 8GHZ SOT143R Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 10V · Модуляция частот: 8GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1.3dB ~ 2.2dB @ 1GHz ~ 2GHz · Усиление: 17dB · Мощность макcимальная: 300mW · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 15mA, 5V · Ток коллектора (макс): 50mA · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-143, SOT-143B, TO-253AA | from 0,00 | Additional information Find at suppliers Buy in store |
© 2006 — 2024 ChipFind Ltd. Contact phone, e-mail, ICQ |
Catalog with parameters for 1,401,534 components | Register • Advertising |