Log in    Register
ChipFind каталог подбора компонентов
Например: transistor, max232, lt319a
 

Дискретные полупроводники  ·  Высокочастотные транзисторы (BJT)

Производитель
















Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.)








































Модуляция частот













































































Коэфицент шума (dB Typ @ f)


































































































































































Усиление


































































































































Мощность макcимальная



























































































Тип транзистора







Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce























































































































































































Ток коллектора (макс)






















































Тип монтажа


Корпус









































































 
ФотоНаименованиеПроизводительТех. параметрыЦены (руб.)Купить
BF 771 E6327Infineon TechnologiesTRANSISTOR RF NPN 12V SOT-23
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 12В  ·  Модуляция частот: 8GHz  ·  Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1dB ~ 1.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz  ·  Усиление: 15dB ~ 10dB  ·  Мощность макcимальная: 580mW  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 30mA, 8V  ·  Ток коллектора (макс): 80mA  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SOT-23
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
BF 775 E6327Infineon TechnologiesTRANSISTOR RF NPN 15V SOT-23
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 15V  ·  Модуляция частот: 5GHz  ·  Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1.4dB ~ 2dB @ 900MHz ~ 1.8GHz  ·  Усиление: 16dB ~ 10.5dB  ·  Мощность макcимальная: 280mW  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 15mA, 8V  ·  Ток коллектора (макс): 45mA  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SOT-23
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
BF 799 E6327Infineon TechnologiesTRANSISTOR NPN RF 20V SOT-23
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 20В  ·  Модуляция частот: 1.1GHz  ·  Коэфицент шума (dB Typ @ f): 3dB @ 100MHz  ·  Мощность макcимальная: 280mW  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 20mA  ·  Ток коллектора (макс): 35mA  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SOT-23
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
BF 799W E6327BF 799W E6327Infineon TechnologiesTRANSISTOR NPN RF 20V SOT-323
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 20В  ·  Модуляция частот: 1.1GHz  ·  Коэфицент шума (dB Typ @ f): 3dB @ 100MHz  ·  Мощность макcимальная: 280mW  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 20mA  ·  Ток коллектора (макс): 35mA  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SOT-323
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
BF959BF959ON SemiconductorTRANS RF NPN 20V 100MA TO-92
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 20В  ·  Модуляция частот: 700MHz  ·  Коэфицент шума (dB Typ @ f): 3dB @ 200MHz  ·  Мощность макcимальная: 625mW  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V  ·  Ток коллектора (макс): 100mA  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
BF959GBF959GON SemiconductorTRANS RF NPN 20V 100MA TO-92
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 20В  ·  Модуляция частот: 700MHz  ·  Коэфицент шума (dB Typ @ f): 3dB @ 200MHz  ·  Мощность макcимальная: 625mW  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V  ·  Ток коллектора (макс): 100mA  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
BF959RL1BF959RL1ON SemiconductorTRANS RF NPN 20V 100MA TO-92
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 20В  ·  Модуляция частот: 700MHz  ·  Коэфицент шума (dB Typ @ f): 3dB @ 200MHz  ·  Мощность макcимальная: 625mW  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V  ·  Ток коллектора (макс): 100mA  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
BF959RL1GBF959RL1GON SemiconductorTRANS RF NPN 20V 100MA TO-92
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 20В  ·  Модуляция частот: 700MHz  ·  Коэфицент шума (dB Typ @ f): 3dB @ 200MHz  ·  Мощность макcимальная: 625mW  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V  ·  Ток коллектора (макс): 100mA  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
BF959ZL1BF959ZL1ON SemiconductorTRANS RF NPN 20V 100MA TO-92
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 20В  ·  Модуляция частот: 700MHz  ·  Коэфицент шума (dB Typ @ f): 3dB @ 200MHz  ·  Мощность макcимальная: 625mW  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V  ·  Ток коллектора (макс): 100mA  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
BF959ZL1GBF959ZL1GON SemiconductorTRANS RF NPN 20V 100MA TO-92
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 20В  ·  Модуляция частот: 700MHz  ·  Коэфицент шума (dB Typ @ f): 3dB @ 200MHz  ·  Мощность макcимальная: 625mW  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V  ·  Ток коллектора (макс): 100mA  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
BFG10W/X,115BFG10W/X,115NXP SemiconductorsTRANS NPN 10V 250MA SOT343N
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 10V  ·  Модуляция частот: 1.9GHz  ·  Мощность макcимальная: 400мВт  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 50mA, 5V  ·  Ток коллектора (макс): 250mA  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SOT-343N
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
BFG135,115BFG135,115NXP SemiconductorsTRANS NPN 150MA 15V 7GHZ SOT223
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 15V  ·  Модуляция частот: 7GHz  ·  Мощность макcимальная: 1Вт  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 100mA, 10V  ·  Ток коллектора (макс): 150mA  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SOT-223 (3 leads + Tab), SC-73, TO-261AA
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
BFG 135A E6327Infineon TechnologiesTRANS NPN RF 15V 150MA SOT223
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 15V  ·  Модуляция частот: 6GHz  ·  Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1.5dB ~ 2.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz  ·  Мощность макcимальная: 1Вт  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 100mA, 8V  ·  Ток коллектора (макс): 150mA  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SOT-223 (3 leads + Tab), SC-73, TO-261AA
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
BFG 193 E6433BFG 193 E6433Infineon TechnologiesTRANSISTOR RF NPN 12V SOT-223
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 12В  ·  Модуляция частот: 8GHz  ·  Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1dB ~ 1.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz  ·  Усиление: 16dB ~ 10.5dB  ·  Мощность макcимальная: 600mW  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 30mA, 8V  ·  Ток коллектора (макс): 80mA  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SOT-223 (3 leads + Tab), SC-73, TO-261AA
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
BFG 196 E6327BFG 196 E6327Infineon TechnologiesTRANSISTOR RF NPN 12V SOT-223
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 12В  ·  Модуляция частот: 7.5GHz  ·  Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1.3dB ~ 2.3dB @ 900MHz ~ 1.8GHz  ·  Усиление: 14.5dB ~ 9dB  ·  Мощность макcимальная: 800мВт  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 50mA, 8V  ·  Ток коллектора (макс): 150mA  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SOT-223 (3 leads + Tab), SC-73, TO-261AA
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
BFG198,115BFG198,115NXP SemiconductorsTRANS NPN 10V 8GHZ SOT223
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 10V  ·  Модуляция частот: 8GHz  ·  Мощность макcимальная: 1Вт  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 50mA, 5V  ·  Ток коллектора (макс): 100mA  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SOT-223 (3 leads + Tab), SC-73, TO-261AA
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
BFG 19S E6327BFG 19S E6327Infineon TechnologiesTRANSISTOR RF NPN 15V SOT-223
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 15V  ·  Модуляция частот: 5.5GHz  ·  Коэфицент шума (dB Typ @ f): 2dB ~ 3dB @ 900MHz ~ 1.8GHz  ·  Усиление: 14dB ~ 8dB  ·  Мощность макcимальная: 1Вт  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 70mA, 8V  ·  Ток коллектора (макс): 210mA  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SOT-223 (3 leads + Tab), SC-73, TO-261AA
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
BFG21W,115BFG21W,115NXP SemiconductorsTRANS NPN 15V .5A 18GHZ SOT343R
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 15V  ·  Модуляция частот: 1.9GHz  ·  Мощность макcимальная: 600mW  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 200mA, 2V  ·  Ток коллектора (макс): 500mA  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SOT-343R
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
BFG 235 E6327BFG 235 E6327Infineon TechnologiesTRANSISTOR RF NPN 15V SOT-223
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 15V  ·  Модуляция частот: 5.5GHz  ·  Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1.7dB @ 900MHz  ·  Усиление: 12.5dB  ·  Мощность макcимальная: 2Вт  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 75 @ 200mA, 8V  ·  Ток коллектора (макс): 300mA  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SOT-223 (3 leads + Tab), SC-73, TO-261AA
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
BFG25A/X,215BFG25A/X,215NXP SemiconductorsTRANS NPN 5V 5GHZ SOT143B
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 5V  ·  Модуляция частот: 5GHz  ·  Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1.8dB ~ 2dB @ 1GHz  ·  Усиление: 18dB  ·  Мощность макcимальная: 32mW  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 500µA, 1V  ·  Ток коллектора (макс): 6.5mA  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SOT-143, SOT-143B, TO-253AA
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
BFG310W/XR,115BFG310W/XR,115NXP SemiconductorsTRANS NPN 6V 10MA 14GHZ SOT343R
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 6V  ·  Модуляция частот: 14GHz  ·  Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1dB @ 2GHz  ·  Усиление: 18.3dB  ·  Мощность макcимальная: 60mW  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 3V  ·  Ток коллектора (макс): 10mA  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SOT-343R  ·  Compression Point (P1dB): 1.8dBm
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
BFG310/XR,215BFG310/XR,215NXP SemiconductorsTRANS NPN 4.5V 18GHZ SOT143R
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 6V  ·  Модуляция частот: 14GHz  ·  Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1dB @ 2GHz  ·  Усиление: 18.3dB  ·  Мощность макcимальная: 60mW  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 3V  ·  Ток коллектора (макс): 10mA  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SOT-143, SOT-143B, TO-253AA  ·  Compression Point (P1dB): 1.8dBm
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
BFG31,115BFG31,115NXP SemiconductorsTRANS PNP 10V 5GHZ SOT223
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 15V  ·  Модуляция частот: 5GHz  ·  Мощность макcимальная: 1Вт  ·  Тип транзистора: PNP  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 70mA, 10V  ·  Ток коллектора (макс): 100mA  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SOT-223 (3 leads + Tab), SC-73, TO-261AA
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
BFG325W/XR,115BFG325W/XR,115NXP SemiconductorsTRANS NPN 6V 35MA 14GHZ SOT343R
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 6V  ·  Модуляция частот: 14GHz  ·  Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1.1dB @ 2GHz  ·  Усиление: 18.3dB  ·  Мощность макcимальная: 210mW  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 15mA, 3V  ·  Ток коллектора (макс): 35mA  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SOT-343R  ·  Compression Point (P1dB): 8.7dBm
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
BFG325/XR,215BFG325/XR,215NXP SemiconductorsTRANS NPN 6V 35MA 14GHZ SOT143R
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 6V  ·  Модуляция частот: 14GHz  ·  Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1.1dB @ 2GHz  ·  Усиление: 18.3dB  ·  Мощность макcимальная: 210mW  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 15mA, 3V  ·  Ток коллектора (макс): 35mA  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SOT-143, SOT-143B, TO-253AA  ·  Compression Point (P1dB): 8.7dBm
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
← Ctrl  1 ... 3456789 ... 30  Ctrl →

© 2006 — 2024 ChipFind Ltd.
Contact phone, e-mail, ICQ
Каталог с параметрами на 1.401.534 компонентов RegisterAdvertising